• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

シリコン/微小空隙/シリコン構造を用いたトンネル分光マイクロセンサの研究

研究課題

研究課題/領域番号 13875012
研究種目

萌芽研究

配分区分補助金
研究分野 表面界面物性
研究機関大阪大学

研究代表者

森田 瑞穂  大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50157905)

研究分担者 有馬 健太  大阪大学, 大学院・工学研究科, 助手 (10324807)
研究期間 (年度) 2001 – 2003
研究課題ステータス 完了 (2003年度)
配分額 *注記
2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
2003年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
2002年度: 700千円 (直接経費: 700千円)
2001年度: 600千円 (直接経費: 600千円)
キーワードマイクロセンサ構造 / トンネル分光 / シリコン酸化膜 / 極薄シリコン酸化膜
研究概要

単結晶シリコン/シリコン酸化膜/単結晶シリコン基板を用いたシリコン/微小空隙(マイクロギャップ)/シリコン構造デバイスにより、従来のトンネル分光法が分光対象としていた固体に加えて、液体、気体材料の分光も可能にするトンネル分光マイクロセンシング法を開拓する目的に対して、マイクロセンサの微小空隙に液体を導入することにより、液体の導入を静電容量とコンダクタンスの変化で検出できることを明らかにしている。超清浄精密制御熱酸化装置を用いて、2枚の単結晶シリコンウェハ表面に100nmの厚さのシリコン酸化膜を形成し、エッチングによりシリコン酸化膜の一部を除去した後、シリコン酸化膜除去部を向かい合わせて2枚のシリコンウェハを室温で貼り合わせ、貼り合わせたウェハを超高純度窒素ガス中での1000℃の加熱処理を行い、2枚のウェハを埋め込み酸化膜となるシリコン酸化膜を介して接着させ、シリコン酸化膜除去部が微小空隙となるマイクロセンサ構造を製作している。マイクロセンサの微小空隙を通るシリコン間の距離は200nmである。シリコン/シリコン酸化膜/シリコン構造部の両方のシリコン外側表面に金属を蒸着して、電極を形成し、センシングデバイスを製作している。次に、マイクロセンサの微小空隙に超純水を導入する前の所定の印加直流電圧で所定の印加交流電圧での静電容量とコンダクタンスを測定しておき、微小空隙に超純水を導入したときに同じ印加電圧での静電容量とコンダクタンスが変化することを明らかにしている。さらに、マイクロセンサの微小空隙に超純水が導入されていることを、フーリエ変換赤外吸収測定により確認している。

報告書

(3件)
  • 2003 実績報告書
  • 2002 実績報告書
  • 2001 実績報告書
  • 研究成果

    (15件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (15件)

  • [文献書誌] Yasushi Azuma, Ruiqin Tan, Toshiyuki Fujimoto, Isao Kojima, Akihito Shinozaki, Mizuho Morita: "Uncertainties Caused by Surface Adsorbates in Estimates of the Thickness of SiO_2 Ultrathin Films"Characterization and Metrology for ULSI Technology : 2003 International Conference. 337-342 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] Akihito SHINOZAKI, Kenta ARIMA, Mizuho MORITA, Isao KOJIMA, Yasushi AZUMA: "FTIR-ATR Evaluation of Organic Contaminant Cleaning Methods for SiO_2 Surfaces"ANALYTICAL SCIENCES. 19. 1557-1559 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] Naoto Yoshii, Satou Morita, Akihito Shinozaki, Minoru Aoki, Mizuho Morita: "Energy Barrier Heights of Ultra-thin Silicon Dioxide Films with Different Metal Gates"Extended Abstracts of International Workshop on Gate Insulator 2003. 96-97 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] Naoto Yoshii, Satoru Morita, Akihito Shinozaki, Minoru Aoki, Mizuho Morita: "Determination of Energy Barrier Heights in MOS Diodes with Different Metal Gates"Extended Abstracts of the 9th Workshop on FORMATION, CHARACTERIZATION AND RELIABILITY OF ULTRATHIN SILICON OXIDES. 313-316 (2004)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] Akihito Shinozaki, Yuuki Morita, Satoru Morita, Mizuho Morita: "Oxide Thickness Dependence of Photo Currents of MOS Tunneling Diodes"Extended Abstracts of the 9th Workshop on FORMATION, CHARACTERIZATION AND RELIABILITY OF ULTRATHIN SILICON OXIDES. 317-320 (2004)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] 森田瑞穂: "赤外線加熱工学ハンドブック 極薄シリコン酸化膜形成への応用"アグネ技術センター. 118-126 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] Minoru Aoki, Naoto Yoshii, Kenta Arima, Mizuho Morita: "Electrical Properties of SiC Films Formed on Si by Thermal Chemical Vapour Deposition Using Monomethylsilane"ABSTRACTS, Fourth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces. 4-8-4-8 (2002)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] Naoto Yoshii, Satoru Morita, Akihito Shinozaki, Minoru Aoki, Mizuho Morita: "Determination of Energy Barrier Heights of Ultra-thin Silicon Dioxide Films Using Different Metal Gates"ABSTRACTS, Fourth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces. LP3-5-LP3-5 (2002)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] Akihito SHINOZAKI, Kenta ARIMA, Mizuho MORITA, Yasushi AZUMA, Isao KOJIMA: "The Influence of Organic Contamination on Ultrathin Silicon Dioxide Film Thickness Measured By Ellipsometry"Extended Abstracts of the 8th Workshop on FORMATION CHARACTERIZATION AND RELIABILITY OF ULTRATHIN SILICON OXIDES. 233-236 (2003)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] 森勇蔵, 山内和人, 芳井熊安, 安武潔, 森田瑞穂, 片岡俊彦, 遠藤勝義, 青野正和, 桑原裕司, 広瀬喜久治, 後藤英和: "究極の物づくり-原子を操る-"大阪大学出版会. 87 (2002)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] Chiyo Inoue, Naoya Mizuno, Satoshi Ogura, Yuichiro Hanayama, Shinji Hattori, Katsuyoshi Endo, Kiyoshi Yasutake. Mizuho Morita. Yuzo Mori: "Time Variations of Organic Compound Concentrations in a Newly Constructed Cleanroom"Journal of the Institute of Environmental Sciences and Technology. 44・2. 23-29 (2001)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書
  • [文献書誌] N.Hirashita, T.Jimbo, T.Matsunaga, M.Matsuura, M.Morita, I.Nishiyama, M.Nishizuka, H.Okumura, A.Shimazaki, N.Yabumoto: "Study on temperature calibration of a silicon substrate in a temperature programmed desorption analysis"Journal of Vacuum Science & Technology A. 19・4. 1255-1260 (2001)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書
  • [文献書誌] Satoru MORITA, Tatsuya OKAZAKI, Kazuo NISHIMURA, Shinichi URABE, Mizuho MORITA: "Tunneling Current through Ultra-Thin Silicon Dioxide Films Formed by Controlling Preoxide in Heating-up"Extended Abstracts of International Workshop on Gate Insulator. 110-113 (2001)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書
  • [文献書誌] Satoru MORITA, Kazuo NISHIMURA, Shinichi URABE, Mizuho MORITA: "Formation of Ultra-thin Silicon Dioxide Films under Multi-Temperature Condition"Extended Abstracts of the 7th Workshop on FORMATION CHARACTERIZATION AND RELIABILITY OF ULTRATHIN SILICON OXIDES. 165-168 (2002)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書
  • [文献書誌] Atsushi OKUYAMA, Kazuo NISHIMURA, Satoru MORITA, Kenta ARIMA, Mizuho MORITA: "Effects of Wafer Cleaning with Ultrapure Water on Tunneling Current through Ultra-Thin Silicon Dioxide Films"Extended Abstracts of the 7th Workshop on FORMATION CHARACTERIZATION AND RELIABILITY OF ULTRATHIN SILICON OXIDES. 241-244 (2002)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書

URL: 

公開日: 2001-04-01   更新日: 2016-04-21  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi