| 研究課題/領域番号 |
13F03716
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| 研究種目 |
特別研究員奨励費
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 外国 |
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| 研究分野 |
環境技術・環境材料
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
Svrcek Vladimir (SVRCEK Vladimir) (2014-2015) 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 太陽光発電研究センター, 主任研究員 (80462828)
VLADIMIR SVRCEK (2013) 独立行政法人産業技術総合研究所, 太陽光発電工学研究センター研究部門, 主任研究員
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| 研究分担者 |
LOZAC'H MICKAEL 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 太陽光発電研究センター, 外国人特別研究員
LOZAC'H Mickael 独立行政法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域 太陽光発電研究センター, 外国人特別研究員
MICKAEL Lozac'h 独立行政法人産業技術総合研究所, 太陽光発電工字研究センター研究部門, 外国人特別研究員
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
2015年度: 600千円 (直接経費: 600千円)
2014年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
2013年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
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| キーワード | silicon-tin nanocrystals / photovoltaic / nanocrystals / semivonducting nanocrystals / direct energy band gep / hybrid solar cells |
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| 研究実績の概要 |
SiSn-ncs were fabricated by laser ablation in liquid media technique that generates high localized plasma on the surface of amorphous SiSn target. This method synthetized SiSn-ncs alloys that was not possible using conventional techniques such as thin film deposition, high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition, or pulsed laser deposition. The nanoparticles generated reach a quantum confinement size about 4nm with clear atomic plans observed by transmission electron microscopy. SiSn-ncs were analyzed by synchrotron radiation XRD to estimate a Si0.88Sn0.12-ncs alloys that can correspond theoretically to direct energy gap transition. Optical bandgap was estimated to be 0.81eV by absorbance measurements, which is well below the silicon bandgap. A low concentration of oxygen on the surface of SiSn-ncs was underlined by Fourier transient infrared spectra, which is of great importance for the stability over time of the devices.
The photovoltaic properties of SiSn-ncs were also analyzed using hybrid solar cell devices. Our findings underlines an improvement of the short-circuit current for devices using conjugated polymer PTB7 mixed with SiSn-ncs as active layer. This improvement is related to a better absorption at longer wavelengths due to the low energy band gap and also due to its possible direct transition. An improvement of the open-circuit voltage is also confirmed, related to the bulk heterojunction quality. It is the first report about the photovoltaic effect of SiSn-ncs alloy.
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| 現在までの達成度 (段落) |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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