| 研究課題/領域番号 |
13J00339
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| 研究種目 |
特別研究員奨励費
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 国内 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 大阪大学 (2014)
九州大学 (2013) |
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研究代表者 |
山田 晋也 大阪大学, 大学院基礎工学研究科, 助教
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
2,760千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 360千円)
2014年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2013年度: 1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
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| キーワード | MBE / 純スピン流 / ホイスラー合金 / スピントロニクス / ゲルマニウム / 分子線エピタキシー |
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| 研究実績の概要 |
本研究では，研究代表者がこれまで開発してきた『ホイスラー合金/Ge/ホイスラー合金』縦型構造の作製技術をベースとして，純スピン流を動作原理に利用した縦型GeスピンMOSFETの動作実証を目指している．本年度の研究実施状況を以下に記す．
本年度は，前年度の研究で明らかになった課題を踏まえ，Geチャネル層とFe3Si下部電極の界面電気伝導を制御するため，Ge薄膜へのドーピング効果を検討した．前年度の検討により，作製したGe薄膜は高いキャリア濃度のp型伝導を示すことが明らかになっていたことから，Ge薄膜成長時にn型不純物であるSbを同時に蒸着し，Ge薄膜のn型化による界面電気伝導の改善を検討した．Sbの蒸着セル温度を250 ºCから300 ºC変化させSbの蒸着量を制御することで，p型伝導からn型伝導への変化を観測することができた．しかし，それと同時に，Ge薄膜の結晶性の劣化を生じた．Sbの過剰供給による偏析の影響が結晶性の劣化に影響していると考えられ，偏析を最小化する新手法を検討する必要がある．
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| 現在までの達成度 (段落) |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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