研究課題
特別研究員奨励費
有機トランジスタの接触抵抗を低下させる方法として開発した化学ドープを用いたセルフコンタクト有機トランジスタの研究を前年度に引き続き継続して行った。活性層にヘキサメチレンテトラチアフルバレン、ジメチルジシアノキノジイミンを用いて、テトラシアノキノジメタン、ヨウ化銅をインクジェット法で印刷し、p型、n型半導体にもこの方法が適用可能となった。良好なトランジスタ動作を確認し、真空蒸着法で金属電極を作製した素子と接触抵抗を比較した。印刷法で作製した有機電極においても、金属電極と同等の低い接触抵抗を示した。またこれまでの研究と合わせて、電極・活性層間のエネルギーレベルについて詳しく考察した。アニオンラジカル塩、カチオンラジカル塩およびドナー・アクセプター型の全ての電荷移動錯体で、エネルギーバンドに部分的に電荷が満たされることまで考慮すると、活性層の有機半導体のエネルギーレベルに極めて近い位置に電極のフェルミレベルを構築できることを指摘している。真空蒸着法を用いたデバイスについては、全て有機物から形成されるセルフコンタクト有機トランジスタを開発できた。またカーボン電極を用いて有機トランジスタのアクセス抵抗に着目して研究を行った。溶解性を向上するために側鎖にアルキル鎖を導入した有機半導体における接触抵抗の活性層の膜厚依存性を検証し、ボトムコンタクト型カーボン電極がアクセス抵抗の低下に有効であることを実証した。
26年度が最終年度であるため、記入しない。
すべて 2015 2014 2013 その他
すべて 雑誌論文 (8件) (うち査読あり 8件、 謝辞記載あり 3件、 オープンアクセス 1件) 学会発表 (13件) 備考 (1件)
Org. Electron.
巻: 21 ページ: 106-110
J. Mater. Chem. C
巻: 3 号: 6 ページ: 1196-1207
10.1039/c4tc02273d
巻: 2 号: 43 ページ: 9311-9317
10.1039/c4tc01563k
J. Phys. Chem. C
巻: 118 号: 40 ページ: 23139-23146
10.1021/jp5070819
Appl. Phys. Lett.
巻: 105 ページ: 023301-023304
Eur. J. Inorg. Chem.
巻: 24 号: 24 ページ: 3895-3898
10.1002/ejic.201402221
Physical Chemistry Chemical Physics
巻: 15 号: 41 ページ: 17818-17822
10.1039/c3cp52881b
Journal of the Japan Society of Colour Material
巻: 86 ページ: 456-460
130004516239
http://www.op.titech.ac.jp/lab/mori/
