新規窒化物半導体共振器構造による光制御に関する研究

• 研究課題/領域番号: 13J10877
• 研究種目: 特別研究員奨励費
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 国内
• 研究分野: 応用光学・量子光工学
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: 正直 花奈子 東北大学, 工学研究科, 特別研究員(DC1)
• 研究期間 (年度): 2013-04-01 – 2016-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2015年度)
• 配分額: 3,300千円 (直接経費: 3,300千円); 2015年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円); 2014年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円); 2013年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
• キーワード: 窒化物半導体 / 結晶成長 / エピタキシャル成長 / 有機金属気相エピタキシャル成長 / InGaN / MOVPE / 有機金属気相エピタキシャル法

研究実績の概要

昨年度に引き続き新規の面方位であるN極性(000-1)（-c面）InGaNの発光素子開発を進めた。まず、前年に作製した-c面InGaN 発光ダイオード（LED）の微視的な構造・光学特性を測定し、その結果を基に、素子特性の改善を試みた。結果として、前年度に他機関に先駆けて発表した可視光波長全域での発光を有する-c面InGaN LEDにおいて、自己形成量子ドット的な発光中心からの狭線幅励起子分子発光を発見、その特異な発光機構を明らかにした。この狭線幅発光は、高スペクトル純度な量子光源として期待される。
また、素子特性の向上を目的として-c面p型GaNの品質向上を行った。この結果、原料供給Mg/Ga比、原料供給V/III比、成長温度を最適化することで、正孔濃度を向上させることができることを明らかにした。加えて、InGaN/GaN量子井戸構造の組成および膜厚均一性を向上させるための下地GaN層の平坦化も行った。基板の微傾斜角の方向を90度変化させることでステップバンチングが抑制し、-c面GaNの表面平坦化ができることを示した。この際の表面の原子ステップの形状はステップ端の形成エネルギーで説明することができる。この平坦な-c面GaNテンプレート上に成長したInGaN/GaN量子井戸構造の微視的構造・光学特性を調べた。結果、微視的構造の均一性が向上していることが放射光施設でのマイクロビームX線回折測定より明らかになった。また、光学特性としてフォトルミネッセンス測定より発光スペクトルの半値全幅が狭くなっており光学的な均一性が向上していることが示唆された。以上は、可視光波長全域での発光を有する-c面InGaN発光素子の高品質化に有用な知見である。

現在までの達成度 (段落)

27年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

27年度が最終年度であるため、記入しない。

研究成果

• [雑誌論文] Homogeneity improvement of N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells by using c-plane sapphire substrate with off-cut angle toward a-sapphire plane (2016)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, T. Hanada, T. Tanikawa, Y. Imai, S. Kimura, R. Nonoda, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 印刷中
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Effect of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar (000-1) p-type GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy (2016)
  • 著者名/発表者名: R. Nonoda, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 印刷中
  • 査読あり
• [雑誌論文] Large Stokes-like shift in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes (2016)
  • 著者名/発表者名: T. Tanikawa, K. Shojiki, S .Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: 55 (5S) 号: 5S ページ: 05FJ03-05FJ03
  • DOI: 10.7567/jjap.55.05fj03
  • 査読あり
• [雑誌論文] Polarity control of GaN grown on pulsed-laser-deposited AlN/GaN template by metalorganic vapor phase epitaxy (2016)
  • 著者名/発表者名: J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 印刷中
  • 査読あり
• [雑誌論文] Suppression of metastable-phase inclusion in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, J.H.Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya,T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 106 (22) 号: 22
  • DOI: 10.1063/1.4922131
  • 査読あり / 国際共著
• [雑誌論文] Red to blue wavelength emission of N-polar (000-1) InGaN light-emitting diodes grown by metalorganic vapor phase epitaxy (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, T. Tanikawa, J.H.Choi, S. Kuboya,T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 雑誌名: Appl. Phys. Express 巻: 8 (6) 号: 6 ページ: 061005-061005
  • DOI: 10.7567/apex.8.061005
  • 査読あり / 国際共著
• [雑誌論文] Improvement of surface morphology of nitrogen-polar GaN by introducing indium surfactant during MOVPE growth (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 53 号: 8 ページ: 085501-085501
  • DOI: 10.7567/jjap.53.085501
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-Incorporation into InGaN Grown by MOVPE (2014)
  • 著者名/発表者名: J. H. Choi, K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka
  • 雑誌名: Joumal of Nanoscience and Nanotechynology 巻: 14 号: 8 ページ: 6112-6115
  • DOI: 10.1166/jnn.2014.8306
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of cplane sapphire substrate miscut angle of indium content of MOVPE-grown N-polar InGaN (2014)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, J. H. Choi, H. Shindo, T. Kimura, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka
  • 雑誌名: Japanese Journal of Apphed Physics 巻: 53
  • 査読あり
• [雑誌論文] Enhancement of surface migration by Mg doping in the metalorganic vapor phase epitaxy of N-polar (0001) GaN/sapphire (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Aisaka, T. Kimura, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 53 号: 5S1 ページ: 05FL05-05FL05
  • DOI: 10.7567/jjap.53.05fl05
  • 査読あり
• [学会発表] N極性InGaN/GaN LEDに形成されたInGaN微小島からの局所発光 (2016)
  • 著者名/発表者名: 谷川 智之、正直 花奈子、片山 竜二、窪谷 茂幸、松岡 隆志
  • 学会等名: 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 日本、東京都、目黒区、東京工業大学
  • 年月日: 2016-03-19
• [学会発表] N極性(000-1)窒化物半導体混晶InGaNの結晶成長表面と発光素子応用 (2016)
  • 著者名/発表者名: 正直花奈子，高宮健吾，谷川智之, 花田貴，野々田亮平，窪谷茂幸，秋山英文，矢口裕之，片山竜二，松岡隆志
  • 学会等名: 平成27年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会
  • 発表場所: 日本、宮城県、仙台市、東北大学
  • 年月日: 2016-03-09
  • 招待講演
• [学会発表] N極性 (000-1)p型GaNのMOVPE成長におけるMg/Ga・V/III比の正孔濃度への影響 (2016)
  • 著者名/発表者名: 野々田亮平, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志
  • 学会等名: 2015年度応用物理学会東北支部学術講演会 講演奨励賞・東北大学Student Chapterポスター賞 授与式・記念講演会
  • 発表場所: 日本、宮城県、仙台市、東北大学
  • 年月日: 2016-01-23
  • 招待講演
• [学会発表] N極性 (000-1)p型GaNのMOVPE成長におけるMg/Ga・V/III比の正孔濃度への影響 (2015)
  • 著者名/発表者名: 野々田亮平, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志
  • 学会等名: 2015年応用物理学会東北支部第70回学術講演会
  • 発表場所: 日本、青森県、平川市、南田温泉 ホテルアップルランド
  • 年月日: 2015-12-03
• [学会発表] Effect of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar (000-1) p-type GaN grown by MOVPE (2015)
  • 著者名/発表者名: R. Nonoda, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: The 6th International symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
  • 発表場所: 日本、静岡県、浜松市、アクトシティ浜松
  • 年月日: 2015-11-08
  • 国際学会
• [学会発表] Homogeneity improvement of N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells by changing substrate off-cut-angle direction (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, T. Hanada, T. Tanikawa, Y. Imai, S. Kimura, R. Nonoda, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: The 6th International symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
  • 発表場所: 日本、静岡県、浜松市、アクトシティ浜松
  • 年月日: 2015-11-08
  • 国際学会
• [学会発表] Large stokes shift in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Tanikawa, K. Shojiki, R. Katayama, S. Kuboya, and T. Matsuoka
  • 学会等名: The 6th International symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
  • 発表場所: 日本、静岡県、浜松市、アクトシティ浜松
  • 年月日: 2015-11-08
  • 国際学会
• [学会発表] Microscopic structure of N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells and light-emitting diodes (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, Y. Imai, S. Kimura, R. Nonoda, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: The 6th International symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
  • 発表場所: 日本、静岡県、浜松市、アクトシティ浜松
  • 年月日: 2015-11-08
  • 国際学会
• [学会発表] Polarity control of GaN grown on PLD-AlN/GaN templates by MOVPE (2015)
  • 著者名/発表者名: J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: The 6th International symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
  • 発表場所: 日本、静岡県、浜松市、アクトシティ浜松
  • 年月日: 2015-11-08
  • 国際学会
• [学会発表] -c面InGaN/GaN量子井戸のMOVPE成長における相純度制御 (2015)
  • 著者名/発表者名: 片山竜二, 正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 木村健司, 窪谷茂幸, 花田貴, 松岡隆志, 高宮健吾, 矢口裕之
  • 学会等名: 第45回結晶成長国内会議（NCCG-45）
  • 発表場所: 日本、北海道、札幌市、北海道大学
  • 年月日: 2015-10-19
  • 招待講演
• [学会発表] MOVPE成長N極性 (000-1)p型GaNの正孔濃度に与えるMg/Ga・V/III比の影響 (2015)
  • 著者名/発表者名: 野々田亮平, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志
  • 学会等名: 2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 日本、愛知県、名古屋市、名古屋国際会議場
  • 年月日: 2015-09-13
• [学会発表] 超臨界流体セレン化・硫化法によるアモルファス酸化物薄膜からのCZTS薄膜の作製 (2015)
  • 著者名/発表者名: 中安祐太, 笘居高明, 岡伸人, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 片山竜二, 角谷正友, 本間格
  • 学会等名: 2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 日本、愛知県、名古屋市、名古屋国際会議場
  • 年月日: 2015-09-13
• [学会発表] Two-Dimensional Electron Gas in N-polar GaN/AlGaN/GaN Heterostructure Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Prasertsuk, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, F. Hemmi, S. Kuboya, T. Suemitsu, R. Katayama, T. Matsuoka
  • 学会等名: 2nd 2015 Tohoku University-MIT collaborative Research Meeting
  • 発表場所: 日本、宮城県、仙台市、東北大学
  • 年月日: 2015-08-27
• [学会発表] -c面InGaN多重量子井戸発光ダイオード：全可視域発光の実現と狭線幅発光 (2015)
  • 著者名/発表者名: 片山竜二, 正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 木村健司, 窪谷茂幸, 花田貴, 松岡隆志, 高宮健吾, 矢口裕之
  • 学会等名: 第3回 酸化物研究の新機軸に向けた学際討論会
  • 発表場所: 日本、宮城県、仙台市、東北大学
  • 年月日: 2015-08-07
  • 招待講演
• [学会発表] Fabrication of InGaN/GaN Nanodisk Structure by using Bio-template and Neutral Beam Etching Process (2015)
  • 著者名/発表者名: Y. C. Lai, A. Higo, C. Lee, C. Thomas, T. Tanikawa, K. Shojiki, S. Kuboya, R. Katayama, T. Kiba, P. Yu, I. Yamashita, A. Murayama, and S. Samukawa
  • 学会等名: International IEEE Conference on Nanotechnology 2015 (IEEE NANO 2015)
  • 発表場所: イタリア、ローマ
  • 年月日: 2015-07-27
  • 国際学会
• [学会発表] Current status and future prospects of nitride semiconductors (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Matsuoka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, K. Prasertsuk, and T. Suemitsu
  • 学会等名: 40th International Conference and Exposition on Advanced Ceramics and Composites (ICACC 2016)
  • 発表場所: アメリカ、フロリダ
  • 年月日: 2015-07-24
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Polarity-controlled MOVPE growth of GaN on PLD-AlN templates (2015)
  • 著者名/発表者名: J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: 34th Electronic Materials Symposium (EMS-34)
  • 発表場所: 日本、滋賀県、守山市、ラフォーレ琵琶湖
  • 年月日: 2015-07-15
• [学会発表] Design of the Transverse Quasi-Phase Matched AlN Waveguides for Deep-UV Second Harmonic Generation (2015)
  • 著者名/発表者名: Y. Mitani, R. Katayama, J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, and T. Matsuoka
  • 学会等名: 34th Electronic Materials Symposium (EMS-34)
  • 発表場所: 日本、滋賀県、守山市、ラフォーレ琵琶湖
  • 年月日: 2015-07-15
• [学会発表] Effects of V/III source ratio on the hole concentration of N-polar (000-1) p-type GaN growtn by MOVPE (2015)
  • 著者名/発表者名: R. Nonoda, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: 34th Electronic Materials Symposium (EMS-34)
  • 発表場所: 日本、滋賀県、守山市、ラフォーレ琵琶湖
  • 年月日: 2015-07-15
• [学会発表] Structural and optical properties of GaN films grown on cleaved ScAlMgO4 substrate by MOVPE (2015)
  • 著者名/発表者名: S. Kuboya, T. Iwabuchi, H. Yahara, K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: 5th RLE-RIEC Meeting on Research Collaboration in Photonics
  • 発表場所: アメリカ、ボストン
  • 年月日: 2015-07-01
• [学会発表] Possibility of N-Polarity in Applications for GaN-based Devices (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Matsuoka, K. Shojiki, T. Kimura, T. Tanikawa, and R. Katayama
  • 学会等名: Compound Semiconductor Week 2015 (CSW 2015)
  • 発表場所: アメリカ、サンタバーバラ
  • 年月日: 2015-06-28
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] N極性(000-1) GaNの選択MOVPE成長における横方向成長の促進 (2015)
  • 著者名/発表者名: 谷川智之, 逢坂崇, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志
  • 学会等名: 日本結晶成長学会 ナノ構造エピタキシャル成長分科会 2015春期講演会 第7回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 日本、宮城県、仙台市、東北大学
  • 年月日: 2015-05-07
• [学会発表] MOVPE成長N極性(000-1)p型GaNの正孔濃度に与えるV/III比の影響 (2015)
  • 著者名/発表者名: 野々田亮平, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志
  • 学会等名: 日本結晶成長学会 ナノ構造エピタキシャル成長分科会 2015春期講演会 第7回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 日本、宮城県、仙台市、東北大学
  • 年月日: 2015-05-07
• [学会発表] Polarity control of MOVPE-grown GaN on AlN/GaN templates (2015)
  • 著者名/発表者名: J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: 日本結晶成長学会 ナノ構造エピタキシャル成長分科会 2015春期講演会 第7回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 日本、宮城県、仙台市、東北大学
  • 年月日: 2015-05-07
• [学会発表] 横型疑似位相整合AlN導波路を用いた深紫外第二高調波発生素子の設計 (2015)
  • 著者名/発表者名: 三谷悠貴，片山竜二，劉 陳燁，正直花奈子，谷川智之，窪谷茂幸，松岡隆志
  • 学会等名: 日本結晶成長学会 ナノ構造エピタキシャル成長分科会 2015春期講演会 第7回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 日本、宮城県、仙台市、東北大学
  • 年月日: 2015-05-07
• [学会発表] Influence of V/III ratio and layer thicknesses on MOVPE-grown N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, J. H. Choi, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: Conference on Light-Emitting Devices and it’s industrial application ’15 (LEDIA’15)
  • 発表場所: 日本、神奈川県、横浜市、パシフィコ横浜
  • 年月日: 2015-04-22
  • 国際学会
• [学会発表] MOVPE Growth of GaN onto PLD-Grown AlN Interlayer on GaN Templates (2015)
  • 著者名/発表者名: J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: Conference on Light-Emitting Devices and it’s industrial application ’15 (LEDIA’15)
  • 発表場所: 日本、神奈川県、横浜市、パシフィコ横浜
  • 年月日: 2015-04-22
  • 国際学会
• [学会発表] MOVPE成長N極性(000-1)InGaN多重量子井戸構造と発光ダイオードの構造・光学特性 (2015)
  • 著者名/発表者名: 正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 木村健司, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山 竜二, 松岡 隆志
  • 学会等名: 2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学
  • 年月日: 2015-03-12
  • 招待講演
• [学会発表] N極性(000-1)GaNのMOVPE選択成長における貫通転位密度の低減 (2015)
  • 著者名/発表者名: 逢坂崇, 谷川智之, 木村健司, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志, 三宅秀人
  • 学会等名: 2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学
  • 年月日: 2015-03-12
• [学会発表] MOVPE法による可視全域波長の発光を有するN極性(000-1)InGaN発光ダイオードの作製 (2015)
  • 著者名/発表者名: 正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山 竜二, 松岡 隆志
  • 学会等名: 2014年度応用物理学会東北支部学術講演会 講演奨励賞授与式・記念講演会
  • 発表場所: 東北大学
  • 年月日: 2015-01-31
  • 招待講演
• [学会発表] N極性 (000-1)GaNのMOVPE選択成長による結晶形態変化 (2014)
  • 著者名/発表者名: 逢坂崇, 谷川智之, 木村健司,正直花奈子, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志
  • 学会等名: 2014年応用物理学会東北支部第69回学術講演会
  • 発表場所: 東北大学
  • 年月日: 2014-12-04
• [学会発表] MOVPE法による可視光全域波長の発光を有するN極性(000-1)InGaN発光ダイオードの作製 (2014)
  • 著者名/発表者名: 正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山 竜二, 松岡 隆志
  • 学会等名: 2014年応用物理学会東北支部第69回学術講演会
  • 発表場所: 東北大学
  • 年月日: 2014-12-04
• [学会発表] N極性(000-1)InGaN/GaN多重量子井戸構造のMOVPE成長と発光ダイオード作製 (2014)
  • 著者名/発表者名: 正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 岩渕拓也, 宇佐美徳隆, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山 竜二, 松岡 隆志
  • 学会等名: 第44回結晶成長国内会議（NCCG-44）
  • 発表場所: 学習院大学
  • 年月日: 2014-11-06
  • 招待講演
• [学会発表] Overview of crystallographic polarization (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Matsuoka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Iwabuchi, and R. Katayama
  • 学会等名: 2nd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-2)
  • 発表場所: 東北大学
  • 年月日: 2014-10-30
  • 招待講演
• [学会発表] Control of GaN growth orientation by MOVPE (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Aisaka, T. Kimura, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Mastsuoka, Y. Honda, and H. Amano
  • 学会等名: 2nd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-2)
  • 発表場所: 東北大学
  • 年月日: 2014-10-30
  • 招待講演
• [学会発表] 変調分光法によるInGaN/GaN LEDの内部電界の観察 (2014)
  • 著者名/発表者名: 谷川智之, 片山竜二, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 松岡隆志, 本田善央, 天野浩
  • 学会等名: 2015年第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学
  • 年月日: 2014-09-18
• [学会発表] サファイア基板上MOVPE成長N極性(000-1)InGaNを用いた赤・緑・青色発光ダイオードの作製 (2014)
  • 著者名/発表者名: 正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山 竜二, 松岡 隆志
  • 学会等名: 2015年第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学
  • 年月日: 2014-09-18
• [学会発表] MOVPE growth of GaN on ScAlMgO4 substrate (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Iwabuchi, S. Kuboya, T. Tanikawa, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada, A. Minato, T. Fukuda, and T. Matsuoka
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014)
  • 発表場所: ブロツワフ（ポーランド）
  • 年月日: 2014-08-28
• [学会発表] Accurate determination of modal dispersion in nonlinear optical TiOx/GaN waveguide by spectroscopic m-line technique (2014)
  • 著者名/発表者名: R. Katayama, N. Yoshinogawa, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, and T. Matsuoka
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014)
  • 発表場所: ブロツワフ（ポーランド）
  • 年月日: 2014-08-28
• [学会発表] Modulation spectroscopic investigation on internal electric fields in InGaN/GaN light-emitting diodes (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Tanikawa, R. Katayama, K. Shojiki, S. Kuboya, T. Matsuoka, Y. Honda, and H. Amano
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014)
  • 発表場所: ブロツワフ（ポーランド）
  • 年月日: 2014-08-28
• [学会発表] Emission wavelength extension of light emitting diodes using MOVPE-grown N-polar (000-1) InGaN (2014)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, J. H. Choi, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014)
  • 発表場所: ブロツワフ（ポーランド）
  • 年月日: 2014-08-25
• [学会発表] N極性窒化物半導体の結晶成長と素子応用 (2014)
  • 著者名/発表者名: 正直花奈子
  • 学会等名: 第4回先端フォトニクスシンポジウム
  • 発表場所: 日本学術会議（東京都港区）
  • 年月日: 2014-08-08
• [学会発表] 有機金属気相成長法による様々な面方位のInGaN/GaNの結晶成長 (2014)
  • 著者名/発表者名: 谷川智之, 正直花奈子, 吉野川伸雄, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志, 久志本真希, 本田善男, 天野浩
  • 学会等名: ナノ構造エピタキシャル成長分科会 2014春期講演会 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 名城大学
  • 年月日: 2014-07-26
  • 招待講演
• [学会発表] N極性面(000-1)InGaNによる発光ダイオードの長発光波長化 (2014)
  • 著者名/発表者名: 正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山 竜二, 松岡 隆志
  • 学会等名: ナノ構造エピタキシャル成長分科会 2014春期講演会 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 名城大学
  • 年月日: 2014-07-25
• [学会発表] uppression of metastable-phase inclusion in MOVPE-grown N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells (2014)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa,S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: 33th Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: ラフォーレ修善寺（静岡県伊豆市）
  • 年月日: 2014-07-10
• [学会発表] Fabrication of reg, green, and blue light emitting diodes using MOVPE-grown N-polar (000-1) InGaNon sapphire substrate (2014)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, J. H. Choi, T. Tanikawa,S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: 33th Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: ラフォーレ修善寺（静岡県伊豆市）
  • 年月日: 2014-07-10
• [学会発表] MOVPE growth of GaN on ScAlMgO4 substrate (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Iwabuchi, S. Kuboya, T. Tanikawa, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada, A. Minato, T. Fukuda, and T. Matsuoka
  • 学会等名: 33th Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: ラフォーレ修善寺（静岡県伊豆市）
  • 年月日: 2014-07-10
• [学会発表] Investigation of surface morphology of -c GaN crystals grown by selective area metalorganic vapor phase epitaxy (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: 33th Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: ラフォーレ修善寺（静岡県伊豆市）
  • 年月日: 2014-07-10
• [学会発表] I Investigation of modal dispersion in nonlinear optical TiOx/GaN waveguide by m-line spectroscopy (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Yoshinogawa, R. Katayama, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, and T. Matsuoka
  • 学会等名: 33th Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: ラフォーレ修善寺（静岡県伊豆市）
  • 年月日: 2014-07-10
• [学会発表] 窒化物半導体極性反転ヘテロ構造の非線形光学素子応用 (2014)
  • 著者名/発表者名: 片山竜二, 吉野川伸雄, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 松岡隆志
  • 学会等名: 日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第86回委員会・第90回研究会
  • 発表場所: 名城大学名駅サテライト（MSAT）
  • 年月日: 2014-07-04
  • 招待講演
• [学会発表] Crystallographic polarity in nitride semiconductors and its deviec applications (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Matsuoka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Iwabuchi, and R. Katayama
  • 学会等名: 4th RIEC-RLE Meeting on Research Collaboration in Photonics
  • 発表場所: 東北大学
  • 年月日: 2014-07-02
• [学会発表] Realization of p-type conduction in Mg-doped N-polar (000-1) GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Tanikawa, J. H. Choi, K. Shojiki, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: Conference on LED and it’s industrial application ’14 (LEDIA’14)
  • 発表場所: パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
  • 年月日: 2014-04-23
• [学会発表] Suppression of metastable-phase inclusion in MOVPE-grown N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells (2014)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: Conference on LED and it’s industrial application ’14 (LEDIA’14)
  • 発表場所: パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
  • 年月日: 2014-04-23
• [学会発表] c面Al_2O_3基板上にMOVPE成長したGaNの異常分散X線回折による極性判定 (2014)
  • 著者名/発表者名: 花田貴, 稲葉克彦, 正直花奈子, 崔正焄, 片山竜二, 谷川智之, 窪谷茂幸, 松岡隆志
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 日本、相模原
  • 年月日: 2014-03-19
• [学会発表] MOVPE成長-c面InGaN/GaN多重量子井戸構造における準安定相混在の抑制 (2014)
  • 著者名/発表者名: 正直花奈子, 崔正焄, 岩渕拓也, 宇佐美徳隆, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 日本、相模原
  • 年月日: 2014-03-17
• [学会発表] MOVPE成長-c面InGaN/GaN多重量子井戸構造における準安定相混在の抑制 (2013)
  • 著者名/発表者名: 正直花奈子, 崔正焄, 岩渕拓也, 宇佐美徳隆, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志
  • 学会等名: 応用物理学会東北支部第68回学術講演会
  • 発表場所: 日本、米沢
  • 年月日: 2013-12-05
• [学会発表] ヒロック形成にともなうm面InGaN薄膜のIn組成分布観察 (2013)
  • 著者名/発表者名: 正直花奈子, 花田貴, 崔正焄, 島田貴章, 今井康彦, 木村滋, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志
  • 学会等名: 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 日本、京田辺
  • 年月日: 2013-09-17
• [学会発表] Effect of c-plane Sapphire Substrate Miscut-angle on Indium Content of MOVPE-grown N-polar InGaN Films (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, J. H. Choi, E. Shindo, T. Kimura, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T Matsuoka
  • 学会等名: 2013 JSAP-MRS Joint Symposia
  • 発表場所: 日本、京田辺
  • 年月日: 2013-09-16
• [学会発表] The improvement of N-polar GaN surface during MOVPE growth with indium surfactant (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Neaka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Iwabuclli, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka
  • 学会等名: 2013 JSAP-MRS Joint Symposia
  • 発表場所: 日本、京田辺
  • 年月日: 2013-09-16
• [学会発表] Evaluation and Solution of Metastable-Phase Inclusion in MOVPE-grown-cplane InGaN/GaN Multiple Quantum Wells (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka
  • 学会等名: 10th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: アメリカ、ワシントンDC
  • 年月日: 2013-08-26
• [学会発表] Effect of indium surfactant on MOVPE growth of N-polar GaN (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, T. Iwabuchi, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada, T. Matsuoka
  • 学会等名: 32th Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: 日本、守山
  • 年月日: 2013-07-11
• [学会発表] Crystallographic polahty dependence of surface morphology evolution during MOVPE growth of GaN/Sapphire. (2013)
  • 著者名/発表者名: N. Yoshinogawa, T. Iwabuchi, K. Shojiki, T. Kimura, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka.
  • 学会等名: 32th Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: 日本、守山
  • 年月日: 2013-07-11
• [学会発表] Observation of phase separation on m-plane InGaN film by micro-beam X-ray diffraction (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, T. Hanada, J. H. Choi, T. Imai, S. Kimura, T. Shimada, T. Tankawa, R. Katayama, T. Matsuoka
  • 学会等名: 32th Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: 日本、守山
  • 年月日: 2013-07-11
• [学会発表] Lattice-matching Substrates to InGaAIN and its Epitaxial Growth (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Matsuoka, T. Kimura, T. Tanikawa, T. Iwabuchi, K. Shojiki
  • 学会等名: 2nd Intemational Symposium on Single Crystals and Wafers
  • 発表場所: 韓国、ウォンジュ
  • 年月日: 2013-06-27
  • 招待講演
• [学会発表] Improvement of surface morphology in (000-1) GaN/Sapphire grown by MOVPE with indium surfactant (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, T. Iwabuchi, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada, T. Matsuoka
  • 学会等名: The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: 日本、神戸
  • 年月日: 2013-05-20
• [備考] 松岡研究室HP
  • URL: http://www.matsuoka-lab.imr.tohoku.ac.jp/?TOPPAGE
• [備考] 松岡研究室HP
  • URL: http://www.matsuoka-lab.imr.tohoku.ac.ip/?TOPPAGE