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高放射線環境下での素粒子実験用電子回路の動作保証技術の研究

研究課題

研究課題/領域番号 14046204
研究種目

特定領域研究

配分区分補助金
審査区分 理工系
研究機関東京大学

研究代表者

坂本 宏  東京大学, 素粒子物理国際研究センター, 教授 (80178574)

研究分担者 石野 雅也  東京大学, 素粒子物理国際研究センター, 助手 (30334238)
研究期間 (年度) 2002 – 2003
研究課題ステータス 完了 (2003年度)
配分額 *注記
5,600千円 (直接経費: 5,600千円)
2003年度: 2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
2002年度: 3,300千円 (直接経費: 3,300千円)
キーワード大強度ビーム加速器 / 放射線損傷 / シングルイベントエフェクト / 衝突型加速器実験 / 読み出し用電子回路 / 半導体集積回路
研究概要

前年度に開発された、被爆による誤動作や性能劣化を測定するための装置を用い、各種半導体素子に対する放射線の影響を調査した。放射線の影響としては大別して(1)放射線損傷が蓄積しトランジスタの暗電流の増加等による積分的性能劣化の効果、(2)単発の放射線の影響によりレジスターの状態が変化するソフト的効果や、ラッチアップ、ハード的障害を発生するシングルイベントエフェクト(SEE)と呼ばれる効果がある。前者についてはガンマ線や中性子線を持続的に照射しその間アナログ的性能測定を行う。後者についてはディジタル的動作を照射中継続してモニターしSEEの発生を確認する。前年度に定めたサンプル素子ホールダーの仕様に従い、いくつかの素子用ホールダーを製作した。また、照射中にサンプルの性能を測定するためのデータ収集装置およびそのためのソフトウエアの改良を行った。
開発されたシステムを用いて実際に照射試験を行い、機能等について検証を行った。まず、積分的性能劣化の効果を測定するため、東京大学原子力総合センターにおいてコバルト60線源を用いた照射試験を行った。数十kradまでの照射を行い、電源電流やリングオッシレータの発信周波数などアナログ量の測定を行い、使用したサンプルでは約50krad程度から損傷の効果が観測された。また、東北大学サイクロトロンRIセンターの陽子ビームを用い、SEE測定を行った。この場合、SEEと同時に積分的劣化も観測された。照射したサンプルに対し、SEE発生断面積を求めることができた。
SEE照射試験において、レジスターの内容の変更、あるいはラッチアップ現象の発生に対しては直ちに復旧措置を自動的に行うことが効率的に試験を進める上で重要であることがわかった。SEEからの復旧機構について検討を進めることとした。

報告書

(2件)
  • 2003 実績報告書
  • 2002 実績報告書
  • 研究成果

    (2件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (2件)

  • [文献書誌] C.Fukunaga et al.: "Beam Test of the ATLAS End-cap Muon Level 1 Trigger System"Proceedings of the 9th Workshop of Electronics for LHC Experiments. CERN-2003-006. 265-269 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] K.Hasuko et al.: "The first integration test of the ATLAS end-cap muon level 1 trigger system"IEEE Transaction on Nuclear Science. (発表予定). (2003)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書

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公開日: 2002-04-01   更新日: 2018-03-28  

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