| 研究課題/領域番号 |
14076101
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
田中 雅明 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (30192636)
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| 研究分担者 |
山田 省二 北陸先端科学技術大学院大学, 新素材センター, 教授 (00262593)
猪俣 浩一郎 (猪股 浩一郎) 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (90323071)
秋永 広幸 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノテクノロジー研究部門, グループ長 (90221712)
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| 研究期間 (年度) |
2002 – 2005
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| 研究課題ステータス |
完了 (2005年度)
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| 配分額 *注記 |
15,600千円 (直接経費: 15,600千円)
2005年度: 4,500千円 (直接経費: 4,500千円)
2004年度: 4,600千円 (直接経費: 4,600千円)
2003年度: 4,200千円 (直接経費: 4,200千円)
2002年度: 2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
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| キーワード | スピントロニクス / 電子デバイス / ヘテロ構造 / トンネル磁気抵抗効果 / 磁気抵抗スイッチ効果 / スピンFET / スピンMOSFET / MRAM / スピン依存伝導 / ハーフメタル / 磁気抵抗効果 / ハーフメタ / ヘテロ構造電子デバイス / 強磁性トンネル接合 / キャリアスピン / 電子スピントロニクスデバイス / スピン注入 / グラニュラー構造 |
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| 研究概要 |
平成17度には、前年に引き続きこれまでに開発したさまざまなスピントロニクス材料を用いて、スピンの生成、トンネル効果による輸送、注入に関する研究を行い、機能としては記憶と計測(+論理演算)を行う下記デバイスの調査研究、分析と研究開発を行った。8月に行われた国際会議(Spintech III)に関連して第1線で活躍中の外国人研究者を招聘し、研究討論を行った。次の項目に関し成果のとりまとめを行った。1月末に年度末成果報告会および公開シンポジウムを開催した。
(1)強磁性トンネル接合デバイス
・半導体と整合性のよいフルエピタキシャル強磁性トンネル接合の作製とTMRデバイス(田中)
・スイッチイング機能付きMRAM素子(猪俣、田中)
・共鳴トンネル型TMRデバイス(田中、山田)
(2)磁性グラニュラー構造デバイス
・磁気抵抗スイッチ効果の解明と高感度磁気センサへの応用(秋永)
・半導体/強磁性金属グラニュラー構造の作製と磁気輸送特性の解明(田中)
(3)スピンFETおよびスピンMOSFETの試作と動作原理の実証
・半導体チャネル中へのスピン注入と伝導、スピンの検出(山田、田中)
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