強磁性を有する強誘電体とSi系希薄磁性半導体の接合を用いた新規な電界効果型素子

• 研究課題/領域番号: 14102021
• 研究種目: 基盤研究(S)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 大阪府立大学
• 研究代表者: 藤村 紀文 大阪府立大学, 工学研究科, 教授 (50199361)
• 研究分担者: 松井 利之 大阪府立大学, 工学研究科, 助教授 (20219372) ; 芦田 淳 大阪府立大学, 工学研究科, 講師 (60231908) ; 吉村 武 大阪府立大学, 工学研究科, 助手 (30405344)
• 研究期間 (年度): 2002 – 2006
• 研究課題ステータス: 完了 (2006年度)
• 配分額: 101,010千円 (直接経費: 77,700千円、間接経費: 23,310千円); 2006年度: 7,540千円 (直接経費: 5,800千円、間接経費: 1,740千円); 2005年度: 9,230千円 (直接経費: 7,100千円、間接経費: 2,130千円); 2004年度: 20,020千円 (直接経費: 15,400千円、間接経費: 4,620千円); 2003年度: 47,970千円 (直接経費: 36,900千円、間接経費: 11,070千円); 2002年度: 16,250千円 (直接経費: 12,500千円、間接経費: 3,750千円)
• キーワード: 強磁性強誘電体 / YMnO_3 / 強誘電体ゲートトランジスタ / 誘電性-磁性交差相関現象 / 減分極電界 / 電界効果型スピン素子 / Si:Ce希薄磁性半導体 / スピントロニクス / 新強誘電体物 / 新強誘電体物質設計 / Si : Ce希薄磁性半導体

研究概要

本研究では、マルチフェロイックFETの創成に向けた研究を遂行した。Si系磁性半導体と磁性強誘電体の新規な物性を明らかにするとともに、それらの接合によって生じる機能を利用した3種類の電界効果デバイスを提案することができた。最終デバイスの作製までは終了したものの研究期間内にデバイス動作を確認することはできなかった。しかしながら、それらの基礎物性は、5年間で41報の原著論文を発表し、学術的価値、関連分野への波及性に関して大きな成果が得られた。YMnO_3の磁気特性と強誘電特性との相関(マルチフェロイック物性)に関しては、ネール点近傍の温度において、YMnO_3の分極反転の抗電界および低電界側での誘電率に異常があることが見いだされた。反強磁性強誘電体であるYMnO_3はGinzburg-Landou方程式を元に導かれたドメイン安定性の議論から、強誘電性ドメイン壁は常に反強磁性ドメイン壁を伴うことが示唆されている。今回、実験的に反強磁性ドメインの形成によって強誘電性のドメイン反転が抑制されることを明らかにした。この結果はPhil.Mag.Lett.に招待論文として掲載された。誘電率がネール点で大きく減少する、強誘電性の抗電界がネール点以下で大きく増加する等が分かった。ラマン分光の結果から、フォノン-スピンカップリングが生じていることも明らかになっており、この二つの現象がリンクしていることが明らかになった。このネール点で抗電界が増加することを用いることによって、低電界で書込み、保持時は大きな抗電界を有するデバイスの設計が可能になったと考えられる。さらに、YMnO_3の反強磁性を利用した「エクスチェンジバイアス効果」も素子応用としては面白い効果である。また、AサイトをYbと置換することによって数少ない強磁性強誘電体を創出した。強磁性強誘電体を用いると「磁性強誘電体のスピンフィルタリング効果」を利用したデバイスの創成が可能になる。さらに、「磁性・強誘電性ドメイン相互作用」と「磁性極性半導体」との多重分極相互作用の3つの効果を用いた3種類のマルチフエロイックFETが構築できることが示唆され、設計指針が構築された。これらマルチフェロイック材料をゲートに、磁性半導体をチャネルに用いたこれら3つのデバイスは、世界初の提案である。しかしながら最も重要なことは、最初に記載した強誘電体をゲートに用いるとホール誘起の金属的磁性半導体をチャネルに用いることができることである。CMOSプロセスがイオン注入装置の停止で困難になったためにTFTの作製に計画を変更し、19年4月に完成した。デバイス動作は、ここ1-2年で確認されるものと期待される。この新規な電界効果デバイスをより効果的に動作させるために、極性半導体をチャネルとして用いることが有効であると言うことも提案した。

研究成果

• [雑誌論文] Effect of Bi substitution on the magnetic and dielectric properties of epitaxially-grown BaFe_<0.3>Zr_<0.7>O_<3-8> thin films on SrTiO_3 substrates (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Matsui, S.Daido, N.Fujimura, T.Yoshimura, H.suda, K.Morii
  • 雑誌名: Journal of Physics and Chemistry (in press)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Magnetic Frustration Behavior of Ferroelectric Ferromagnet YbMnO_3 Epitaxial Films (2007)
  • 著者名/発表者名: N.Fujimura, T.Takahashi, T.Yoshimura, A.Ashida
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 101(in press)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Multiferroic Behaviors of YMnO_3 and YbMnO_3 Epitaxial Films(INVITED PAPER) (2007)
  • 著者名/発表者名: N.Fujimura, N.Shigemitsu, T.Takahashi, A.Ashida, T.Yoshimura
  • 雑誌名: Philosophical Magazine Letters 87 ページ: 193-201
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Magnetic Properties of Low Temperature grown Si : Ce Thin Films on (001)Si substrate (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Terao, Y.Nishimura, D.Shindo, A.Ashida, N.Fujimura
  • 雑誌名: Journal of Magnetism and Magnetic Materials 310 ページ: 726-728
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] The Comparison of the Growth Models of Silicon Nitride Ultra-Thin Films Fabricated Using Atmospheric Pressure Plasma and Radio Frequency Plasma (2007)
  • 著者名/発表者名: M.Nakae, R.Hayakawa, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura, T.Uehara
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 101 ページ: 23513-23513
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Effect of Bi substitution on the magnetic and dielectric properties of epitaxially-grown BaFe_<0.3>Zr_<0.7>O_<3-δ> thin films on SrTiO_3 substrates (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Matsui, S.Daido, N.Fujimura, T.Yoshimura, H.Tsuda, K.Morii
  • 雑誌名: Journal of Physics and Chemistry
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Magnetic Frustration Behavior of Ferroelectric Ferromagnet YbMnO_3 Epitaxial Films (2007)
  • 著者名/発表者名: N.Fujimura, T.Takahashi T.Yoshimura, A.Ashida
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 101
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Multiferroic Behaviors of YMnO_3 and YbMnO_3 Epitaxial Films (INVITED PAPER) (2007)
  • 著者名/発表者名: N.Fujimura, N.Shigemitsu, T.Takahashi, A.Ashida, T.Yoshimura
  • 雑誌名: Philosophical Magazine Letters 87 ページ: 193-201
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Magnetic Properties of Low Temperature grown Si:Ce Thin Films on (001) Si substrate (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Terao, Y.Nishimura, D.Shindo A.Ashida, N.Fujimura
  • 雑誌名: Journal of Magnetism and Magnetic Materials 310 ページ: 726-728
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] The Comparison of the Growth Models of Silicon Nitride Ultra-Thin Films Fabricated Using Atmospheric Pressure Plasma and Radio Frequency Plasma (2007)
  • 著者名/発表者名: M.Nakae, R.Hayakawa, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura, T.Uehara
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 101 ページ: 23513-23513
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Magnetic Frustration Behavior of Ferroeletric Ferromagnet YbMnO_3 Epitaxial Films (2007)
  • 著者名/発表者名: N.Fujimura, T.Takahashi, T.Yoshimura, A.Ashida
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 101(in press)
• [雑誌論文] Effect of Bi substitution on the magnetic and dielectric properties of epitaxially-grown BaFe_<0.3>Z_<0.7>O3-δ thin films on SrTiO_3 substrates (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Matsui, S.Shindo, N.Fujimura, T.Yoshimura, H.Tsuda, K.Morii
  • 雑誌名: Journal of Physics and Chemistry of Solids, (accepted Manuscript)(In Press)
• [雑誌論文] Multiferroic Behavior of YMnO_3 and YbMnO_3 Epitaxial Films(INVITED PAPER) (2007)
  • 著者名/発表者名: N.Fujimura, N.Shigemitsu, T.Takahashi, A.Ashida, T.Yoshimura
  • 雑誌名: Philosophical Magazine Letters 87,3-4 ページ: 193-201
• [雑誌論文] Preparation and the magnetic property of ZnMnO thin films on (000-1)ZnO single crystal substrate (2007)
  • 著者名/発表者名: K.Masuko, A.Ashida, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Journal of Magnetism and Magnetic Materials 310
• [雑誌論文] Fabrication of YMnO_3 Epitaxial Thin Films Films and the Magnetic-Ferroelectric Correlation Phenomena (2007)
  • 著者名/発表者名: K.Maeda, N.Shigematsu, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Proceeding, 2006 International meeting for Future of Electron Devices, Kansai accepted
• [雑誌論文] Magnetic and Dielectric Properties of Yb(Mn_<1-x>Al_x)O_3 Thin Films (2007)
  • 著者名/発表者名: K.Fukae, T.Takahashi, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Proceeding,International Symposium on the Application of Ferroelectrics, USA accepted
• [雑誌論文] Influence of Antiferromagnetic Ordering on Ferroelectric Polarization Switching of YMnO_3 Epitaxial Thin Films (2007)
  • 著者名/発表者名: K.Maeda, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Proceeding,International Symposium on the Application of Ferroelectrics, USA accepted
• [雑誌論文] Magnetic and Ferroelectric Properties of YMnO_3 Epitaxial Thin Films (2007)
  • 著者名/発表者名: K.Maeda, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Materials Research Society Symposium Proceedings accepted
• [雑誌論文] Conduction Characteristics of Charge Ordering Type Ferroelectrics, YFe_2O_<4-δ> (2007)
  • 著者名/発表者名: K.Imamura, Y.Horibe, T.Yoshimura, N.Fujimura, S.Mori, N.Ikeda
  • 雑誌名: Materials Research Society Symposium Proceedings accepted
• [雑誌論文] Effect of Additional Oxygen for the Formation of Silicon Oxynitride Using Nitrogen Plasma Generated near Atmospheric Pressure (2006)
  • 著者名/発表者名: R.Hayakawa, M.Nakae, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura, T.Uehara
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 45 ページ: 9025-9028
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Detailed structural analysis and dielectric properties of silicon nitride film fabricated using pure nitrogen plasma generated near atmospheric pressure (2006)
  • 著者名/発表者名: R.Hayakawa, M.Nakae, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura, T.Uehara, M.Tagawa, Y.Teraoka
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 100 ページ: 73710-73710
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Single-wall Carbon Nanotube Field Effect Transistors with Non-volatile Memory Operation (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Sakurai, T.Yoshimura, S.Akita, N.Fujimura, Y.Nakayama
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 4538
  • NAID: 10018340660
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Growth and Ferromagnetic Properties of Ferroelectric YbMnO_3 Thin Films (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Takahashi, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 45 ページ: 7329-7331
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Reaction of Si with excited nitrogen species in pure nitrogen plasma near atmospheric pressure (2006)
  • 著者名/発表者名: R.Hayakawa, T.Yoshimura, A.Ashida, T.Uehara, N.Fujimura
  • 雑誌名: Thin Solid Films 506-507 ページ: 423-426
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Effect of Additional Oxygen for the Formation of Silicon Oxynitride Using Nitrogen Plasma Generated near Atmospheric Pressure (2006)
  • 著者名/発表者名: R.Hayakawa, M.Nakae, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura, T.Uehara
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 45 ページ: 9025-9028
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Detailed structural analysis and dielectric properties of silicon nitride film fabricated using pure nitrogen plasma generated near atmospheric pressure (2006)
  • 著者名/発表者名: R.Hayakawa, M.Nakae, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura, T.Uehara, M.Tagawa, Y.Teraoka
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 100 ページ: 73710-73710
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Single-wall Carbon Nanotube Field Effect Transistors with Non-volatile Memory Operation (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Sakurai, T.Yoshimura, S.Akita, N.Fujimura, Y.Nakayama
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 4538
  • NAID: 10018340660
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Growth and Ferromagnetic Properties of Ferroelectric YbMnO_3 Thin Films (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Takahashi, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 45 ページ: 7329-7331
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Electro-optical effect in ZnO : Mn thin films prepared by Xe sputtering (2006)
  • 著者名/発表者名: A.Ashida, T.Nagata, N.Fujimura
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 99 ページ: 13509-13509
• [雑誌論文] Photoluminescence properties peculiar to the Mn-related transition in a lightly alloyed ZnMnO thin film grown by pulse laser deposition (2006)
  • 著者名/発表者名: M.Nakayama, H.Tanaka, K.Masuko, T.Fukushima, A.Ashida, N.Fujimura
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 88,24 ページ: 241908-241908
• [雑誌論文] Growth and Ferromagnetic Properties of Ferroelectric YbMnO_3 Thin Films (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Takahashi, Y.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 45 ページ: 7329-7331
• [雑誌論文] Single-wall Carbon Nanotube Field Effect Transistors with Non-volatile Memory Operation (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Sakurai, T.Yoshimura, S.Akita, N.Fujimura, Y.Nakayama
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 45
  • NAID: 10018340660
• [雑誌論文] Detailed structural analysis and dielectric properties of silicon nitride film fabricated using pure nitrogen plasma generated near atmospheric pressure (2006)
  • 著者名/発表者名: R.Hayakawa, M.Nakae, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura, T.Uehara, M.Tagawa, Y.Teraoka
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 100 ページ: 73710-73710
• [雑誌論文] The Comparison of the Growth Models of Silicon Nitride Ultra-Thin Films Fabricated Using Atmospheric Pressure Plasma and Radio Frequency Plasma (2006)
  • 著者名/発表者名: M.Nakae, R.Kayakawa, Y.Yoshimura, A.Ashida, T.Uehara, N.Fujimura
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 101 ページ: 23513-23513
• [雑誌論文] Effect of Additional Oxygen for the Formation of Silicon Oxynitride Using Nitrogen Plasma Generated near Atmospheric Pressure (2006)
  • 著者名/発表者名: R.Hayakawa, M.Nakae, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura, T.Uehara
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 45,12, ページ: 9025-9028
• [雑誌論文] Super thermoelectric power of one-dimensional TlInSe_2 (2006)
  • 著者名/発表者名: N.Madedov, K.Wakita, A.Ashida, T.Matsui, K.Morii
  • 雑誌名: Thin Solid Films 499 ページ: 275-278
• [雑誌論文] Fabrication of YMnO_3 Epitaxial Thin Films Films and the Magnetic-Ferroelectric Correlation Phenomena (2006)
  • 著者名/発表者名: K.Maeda, N.Shigematsu, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Transaction of the Materials Research Society of Japan 31,[1] ページ: 185-188
• [雑誌論文] Mn Doping Effects on Dielectric Properties of ZnO Epitaxial Films (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Oshio, A.Ashida, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Transaction of the Materials Research Society of Japan 31,[1] ページ: 189-192
• [雑誌論文] The Nitridation Process of Silicon with Atmospheric Pressure Plasma (2006)
  • 著者名/発表者名: M.Nakae, R.Hayakawa, T.Yoshimura, T.Ueharaq, N.Fujimura
  • 雑誌名: Transaction of the Materials Research Society of Japan 31,[1] ページ: 161-164
• [雑誌論文] Electric and Magnetic Properties of Ba(Co,Mn)O_<3-δ> Epitaxial thin films (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Inoue, T.Matsui, H.Tusda,, K.Morii
  • 雑誌名: Transaction of the Materials Research Society of Japan 31,[1] ページ: 193-196
• [雑誌論文] 強誘電体電子デバイスの展望 (2006)
  • 著者名/発表者名: 吉村武, 藤村 紀文
  • 雑誌名: 金属学会セミナーテキスト 非シリコン半導体の現状と展望 100 ページ: 22-30
• [雑誌論文] 磁性強誘電体のマルチフェロイック物性 (2006)
  • 著者名/発表者名: 藤村紀文, 吉村武
  • 雑誌名: 応用物理 75,6 ページ: 713-713
  • NAID: 10019172603
• [雑誌論文] Ferromagnetic and Dielectric Behavior of Mn-Doped BaCoO_3 (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Inoue, T.Matsui, N.Fujimura, H.Tsuda, K.Morii
  • 雑誌名: IEEE Transactions on Magnetics 41 ページ: 3496-3498
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Low-Temperature Growth and Characterization of Epitaxial YMnO_3/Y_2O_3/Si MFIS Capacitors with Thinner Insulator Layer (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Haratake, N.Shigemitsu, M.Nishijima, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Jpn J. Appl. Phys. 44 ページ: 6977-6980
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Epitaxial growth of CuScO_2 thin films on sapphire a-plane substrates by pulsed laser deposition (2005)
  • 著者名/発表者名: Y.Kakehi, K.Satoh, T.Yotsuya, S.Nakao, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 97 ページ: 83535-83535
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Improvement of magnetization and leakage current properties of magnetoelectric BaFeO_3 thin films by Zr substitution (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Matsui, E.Taketani, H.Tuda, N.Fujimura, K.Morii
  • 雑誌名: Appl. Phys. Letters 86 ページ: 82902-82902
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Enhancement of ferromagnetic ordering in dielectric BaFe_<1-X>ZrxO_3 (x=0.5-0.8) single crystalline films by pulsed laser-beam deposition (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Matsui, E.Taketani, N.Fujimura, H.Tsuda, K.Morii
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 97
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Low-Temperature Growth and Characterization of Epitaxial YMnO_3/Y_2O_3/Si MFIS Capacitors with Thinner Insulator Laver (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Haratake, N.Shigemitsu, M.Nishijima, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Jpn J.Appl.Phys. 44 ページ: 6977-6980
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Epitaxial growth of CuScO_2 thin films on sapphire a-plane substrates by pulsed laser deposition (2005)
  • 著者名/発表者名: Y.Kakehi, K.Satoh, T.Yotsuya, S.Nakao, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 97 ページ: 83535-83535
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Improvement of magnetization and leakage current properties of magnetoelectric BaFeO_3 thin films by Zr substitution (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Matsui, E.Taketani, H.Tsuda, N.Fujimura, K.Morii
  • 雑誌名: Appl.Phys.Letters 86 ページ: 82902-82902
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Enhancement of ferromagnetic ordering in dielectric BaFe_<1-x>ZrxO_3(x=0.5-0.8) single crystalline films by pulsed laser-beam deposition (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Matsui, E.Taketani, N.Fujimura, H.Tsuda, K.Morii
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 97
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Ferromagnetic and Dielectric Behavior of Mn-Doped BaCoO_3 (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Inoue, T.Matsui, N.Fujimura, H.Tsuda, K.Morii
  • 雑誌名: IEEE Transactions on Magnetics 41(10) ページ: 3496-3498
• [雑誌論文] Low-Temperature Growth and Characterization of Epitaxial YMnO_3/Y_2O_3/Si MFIS Capacitors with Thinner Insulator Layer (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Haratake, N.Shigemitsu, M.Nishijima, T.Yoshimura, N Fujimura
  • 雑誌名: Jpn J.Appl.Phys. 44(9B) ページ: 6977-6980
• [雑誌論文] Epitaxial growth of CuScO_2 thin films on sapphire a-plane substrates by pulse laser deposition (2005)
  • 著者名/発表者名: Y.Kakehi, K.Satoh, T.Yotsuya, S.Nakao, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 97(8) ページ: 83535-83535
• [雑誌論文] Improvement of magnetization and leakage current properties of magnetoelectric BaFeO_3 thin films by Zr substitution (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Matsui, E.Taketani, H.Tuda N.Fujimura, K.Morii
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 86(8) ページ: 82902-82902
• [雑誌論文] Enhancement of ferromagnetic ordering in dielectric BaFe_<1-x>Zr_xO_3 (x=0.5-0.8) single crystal films by pulsed laser-beam deposition (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Matsui, E.Taketani, N.Fujimura, H.Tsuda, K.Morii
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 97(10)
• [雑誌論文] Comparison of Reactivity of Excited Nitrogen Species Generated in RF Plasma and Atmospheric Pressure Plasma (2005)
  • 著者名/発表者名: M.Nakae, R.Hayakawa, T.Yoshimura, A.Ashida, T.Uehara, N.Fujimura
  • 雑誌名: Transactions of the Materials Research Society of Japan 30[1] ページ: 225-227
• [雑誌論文] Low Temperature Growth of YMnO_3/Y_2O_3/Si Capacitor. (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Haratake, N.Shigemitsu, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura
  • 雑誌名: Transactions of the Materials Research Society of Japan 30[1] ページ: 237-240
• [雑誌論文] Influence of Space Charge on the Dielectric Properties of ZnO : Mn Epitaxial Films (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Oshio, K.Masuko, A.Ashida, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Transactions of the Materials Research Society of Japan 30[1] ページ: 245-247
• [雑誌論文] Epitaxial Growth of ZnO Films on Ferroelectric YMnO_3 Films Deposited by The PLD Method (2005)
  • 著者名/発表者名: R.Arai, N.Shigemitsu, K.Masuko, T.Oshio, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura
  • 雑誌名: Transactions of the Materials Research Society of Japan 30[1] ページ: 241-244
• [雑誌論文] Electrical Characterization of YMnO_3-based Metal-Ferroelectric-Insulator/Semiconductor Capacitor by Novel Method (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Yoshimura, D Ito, K.Hratake, A.Ashida, N.Fujimura
  • 雑誌名: Transactions of the Materials Research Society of Japan 30[1] ページ: 233-236
• [雑誌論文] Low-Temperature Formation of Silicon Nitride Films using Nitrogen Plasma near Atmospheric Pressure (2005)
  • 著者名/発表者名: R.Hayakawa, T.Yoshimura, M.Nakae, A.Ashida, T.Uehara, N.Fujimura
  • 雑誌名: Transactions of the Materials Research Society of Japan 30[1] ページ: 217-220
• [雑誌論文] YMnO_3薄膜の作成とマルチフェロイック物性 (2005)
  • 著者名/発表者名: 藤村紀文, 吉村武
  • 雑誌名: セラミックデータブック2005 工業と製品 33(87) ページ: 128-130
• [雑誌論文] マルチフェロイック材料の設計とデバイス応用 (2005)
  • 著者名/発表者名: 藤村紀文
  • 雑誌名: 応用物理学会結晶工学分科会誌 123 ページ: 33-40
• [雑誌論文] ZnMnO/ZnOヘテロ界面における二次元電子ガスの形成 (2005)
  • 著者名/発表者名: 益子慶一郎, 芦田淳, 大塩武士, 枝広俊昭, 藤村紀文
  • 雑誌名: 応用電子物性分科会誌 11(1) ページ: 40-45
• [雑誌論文] Analysis of nitrogen plasma generated by a pulsed plasma system near atmospheric pressure (2004)
  • 著者名/発表者名: R.Hayakawa, T.Yoshimura, A.Ashida, H.Kitahata, M.Yuasa, N.Fujimura
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 96 ページ: 6094-6096
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Formation of Silicon Oxynitride Films with Low Leakage Current Using N_2/O_2 Plasma near Atomospheric Pressure (2004)
  • 著者名/発表者名: R.Hayakawa, T.Yoshimura, A.Ashida, H.Kitahata, M.Yuasa, N.Fujimura
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 43 ページ: 7853-7856
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Pulsed-Laser-Deposited YMnO_3 Epitaxial Films with Square Polarization-Electric Field Hysteresis Loop and Low-Temperature Growth (2004)
  • 著者名/発表者名: N.Shigemitsu, H.Sakata, D.Ito, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 43 ページ: 6613-6616
  • NAID: 10013612023
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Synthesis of Bi(Fe_xAl_<1-X>)O_3 Thin Films by Pulsed Laser Deposition and Its Structural Characterization (2004)
  • 著者名/発表者名: M.Okada, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 43 ページ: 6609-6612
  • NAID: 10013612011
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Effect of oxygen deficiencies on magnetic properties of epitaxial grown BaFeO_3 thin films on (100)SrTiO_3 substrates (2004)
  • 著者名/発表者名: E.Taketani, T.Matsui, N.Fujimura, K.Morii
  • 雑誌名: IEEE Transactions on Magnetics 40 ページ: 2736-2738
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] P-E measurements for ferroelectric gate capacitors (2004)
  • 著者名/発表者名: T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Integrated Ferroelectrics 61 ページ: 59-64
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Analysis of nitrogen plasma generated by a pulsed plasma system near atmospheric pressure (2004)
  • 著者名/発表者名: R.Hayakawa, T.Yoshimura, A.Ashida, H.Kitahata, M.Yuasa, N.Fujimura
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 96 ページ: 6094-6096
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Formation of Silicon Oxynitride Films with Low Leakage Current Using N_2/O_2 Plasma near Atomospheric Pressure (2004)
  • 著者名/発表者名: R.Hayakawa, T.Yoshiraura, A.Ashida, H.Kitahata, M.Yuasa, N.Fujimura
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 43 ページ: 7853-7856
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Pulsed-Laser-Deposited YMNO_3 Epitaxial Films with Square Polarization-Electric Field Hysteresis Loop and Low-Temperature Growth (2004)
  • 著者名/発表者名: N.Shigemitsu, H.Sakata, D.Ito, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 43 ページ: 6613-6616
  • NAID: 10013612023
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Synthesis of Bi(Fe_xAl<1-x>)O_3 Thin Films by Pulsed Laser Deposition and Its Structural Characterization (2004)
  • 著者名/発表者名: M.Okada, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 43 ページ: 6609-6612
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Analysis of Nitrogen Plasma Generated by a Pulsed Plasma System Near Atmospheric Pressure (2004)
  • 著者名/発表者名: R.Hayakawa, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura, H.Kitahata, M.Yuasa
  • 雑誌名: Jpn J.Appl.Phys. 96 ページ: 6094-6096
• [雑誌論文] Formation of Silicon Oxynitride Films with Low Leakage Current Using N_2/O_2 Plasma near Atomospheric Pressure (2004)
  • 著者名/発表者名: R.Hayakawa, T.Yoshimura, A.Ashida, H.Kitahata, M.Yuasa, N.Fujimura
  • 雑誌名: Jpn J.Appl.Phys. 43 ページ: 7853-7856
• [雑誌論文] Pulsed-Laser-Deposited YMnO_3 Epitaxial Films with Square Polarization-Electric Field Hysteresis Loop and Low-Temperature Growth (2004)
  • 著者名/発表者名: N.Shigemitsu, H.Sakata, D.Ito, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Jpn J.Appl.Phys. 43 ページ: 6613-6616
  • NAID: 10013612023
• [雑誌論文] Synthesis of Bi(Fe_XAl_<1-X>)O_3 Thin Films by Pulsed Laser Deposition and Its Structural Characterization (2004)
  • 著者名/発表者名: M.Okada, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Jpn J.Appl.Phys. 43 ページ: 6609-6612
  • NAID: 10013612011
• [雑誌論文] Effect of oxygen deficiencies on magnetic properties of epitaxial grown BaFeO_3 thin films on (100) SrTiO_3 substrates (2004)
  • 著者名/発表者名: E.Taketani, T.Matsui, N.Fujimura, K.Morii
  • 雑誌名: IEEE Transaction on Magnetics 40(4) ページ: 2736-2738
• [雑誌論文] Electro-Optic Effect In ZnO : Mn Thin Films (2004)
  • 著者名/発表者名: T.Nagata, A.Ashida, N.Fujimura, T.Ito
  • 雑誌名: Journal of Alloys and Compounds 371 ページ: 157-159
• [雑誌論文] The effect of Xe on the rf plasma and the film growth of ZnO by rf sputtering (2004)
  • 著者名/発表者名: T.Nagata, A.Ashida, N.Fujimura, T.Ito
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 95 ページ: 3923-3927
• [雑誌論文] Optical Propagation Properties of ZnO Films Grown on Sapphire Substrate (2004)
  • 著者名/発表者名: A.Ashida, H.Ohta, T.Nagata, Y.Nakano, N.Fujimura, T.Ito
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 95(4) ページ: 1673-1676
• [雑誌論文] Polarization hysteresis loops of ferroelectric gate capacitors measured by Sawyer-tower circuit (2003)
  • 著者名/発表者名: T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Jpn J. Appl. Phys. 42 ページ: 6011-6014
  • NAID: 10011767427
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Improvement of Surface Morphology and the Dielectric Property of YMnO_3 Films (2003)
  • 著者名/発表者名: H.Sakata, D.Ito, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura
  • 雑誌名: Jpn J. Appl. Phys. 42 ページ: 6003-6006
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Influence of Schottky and Poole-Frenkel emission on the retention property of YMnO_3 based Metal/Ferroelectric/Insulator/Semiconductor capacitors (2003)
  • 著者名/発表者名: D.Ito, N.Fujimura, T.Yoshimura, T.Ito
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 94 ページ: 4036-4041
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] The Effect of Carrier for Magnetic and Magneto-transport Properties of Si : Ce Films (2003)
  • 著者名/発表者名: T.Yokota, N.Fujimura, T.Wada, S.Hamasaki, T.Ito
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 93 ページ: 7679-7681
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Formation of Two-Dimensional Electron Gas and the Magneto-Transport Behavior of ZnMnO/ZnO Heterostructure (2003)
  • 著者名/発表者名: T.Edahiro, N.Fujimura, T.Ito
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 93 ページ: 7673-7675
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Magnetic Properties of Highly Resistive BaFeO_3 Thin Films Epitaxially Grown on SrTiO_3 Single Crystal Substrates (2003)
  • 著者名/発表者名: T.Matsui, E.Taketani, N.Fujimura, T.Ito, K.Morii
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 93 ページ: 6993-6995
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Ferromagnetic and Ferroelectric Behaviors of A Site Substituted YMnO_3 Based Epitaxial Thin Films (2003)
  • 著者名/発表者名: N.Fujimura, D.Ito, H.Sakata, T.Yoshimura, T.Yokota, T.Ito
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 93 ページ: 6990-6992
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Ferroelectric properties of YMnO_3 epitaxial films for ferroelectric-gate field effect transistors (2003)
  • 著者名/発表者名: D.Ito, N.Fujimura, T.Yoshimura, T.Ito
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 93 ページ: 5563-5567
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Magnetic and Dielectric Properties of Epitaxially Grown BaFeO_3 Thin Films on SrTiO_3 Single Crystal Substrates (2003)
  • 著者名/発表者名: T.Matsui, H.Tanaka, E.Taketani, N.Fujimura, T.Ito, K.Morii
  • 雑誌名: J. Korean Phys. Soc. 42
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Magnetic and Magneto-transport Properties of Solid Phase Epitaxially Grown Si : Ce Films (2003)
  • 著者名/発表者名: T.Yokota, N.Fujimura, T.Ito
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 93 ページ: 4045-4048
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Polarization hysteresis loops of ferroelectric gate capacitors measured by Sawyer-tower circuit (2003)
  • 著者名/発表者名: T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Jpn J.Appl.Phys. 42 ページ: 6011-6014
  • NAID: 10011767427
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Improvement of Surface Morphology and the Dielectric Property of YMnO_3 Films (2003)
  • 著者名/発表者名: H.Sakata, D.Ito, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura
  • 雑誌名: Jpn J.Appl.Phys. 42 ページ: 6003-6006
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Influence of Schottky and Poole-Frenkel emission on the retention property of YMnO_3 based Metal/Ferroelectric/Insulator/Semiconductor capacitors (2003)
  • 著者名/発表者名: D.Ito, N.Fujimura, T.Yoshimura, T.Ito
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 94 ページ: 4036-4041
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] The Effect of Carrier for Magnetic and Magneto-transport Properties of Si:Ce Films (2003)
  • 著者名/発表者名: T.Yokota, N.Fujimura, T.Wada, S.Hamasaki, T.Ito
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 93 ページ: 7679-7681
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Formation of Two-Dimensional Electron Gas and the Magneto-Transport Behavior of ZnMnO/ZnO Heterostructure (2003)
  • 著者名/発表者名: T.Edahiro, N.Fujimura, T.Ito
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 93 ページ: 7673-7675
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Magnetic Properties of Highly Resistive BaFeO_3 Thin Films Epitaxially Grown on SrTi_O3 Single Crystal Substrates (2003)
  • 著者名/発表者名: T.Matsui, E.Taketani, N.Fujimura, T.Ito, K.Mori
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 93 ページ: 6993-6995
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Ferromagnetic and Ferroelectric Behaviors of A Site Substituted YMnO_3 Based Epitaxial Thin Films (2003)
  • 著者名/発表者名: N.Fujimura, D.Ito, H.Sakata, T.Yoshimura, T.Yokota, T.Ito
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 93 ページ: 6990-6992
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Ferroelectric properties of YMnO_3 epitaxial films for ferroelectric-gate field effect transistor (2003)
  • 著者名/発表者名: D.Ito, N.Fujimura, T.Yoshimura, T.Ito
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 93 ページ: 5563-5567
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Magnetic and Dielectric Properties of Epitaxially Grown BaFeO_3 Thin Films on SrTiO_3 Single Crystal Substrates (2003)
  • 著者名/発表者名: T.Matsui, H.Tanaka, E.Taketani, N.Fujimura, T.Ito, K.Morii
  • 雑誌名: J.Korean Phys.Soc. 42
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Magnetic and Magneto-transport Properties of Solid Phase Epitaxially Grown Si:Ce Films (2003)
  • 著者名/発表者名: T.Yokota, N.Fujimura, T.Ito
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 93 ページ: 4045-4048
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] The effect of leakage current on the retention property of YMnO_3 based MFIS capacitor (2002)
  • 著者名/発表者名: D.Ito, N.Fujimura, T.Ito
  • 雑誌名: Integrated Ferroelectrics 49 ページ: 41-49
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Effect of Substitutionally Dissolved Ce in Si on the Magnetic and Electric Properties of Magnetic Semiconductor : Si_<1-x>Ce_x Films (2002)
  • 著者名/発表者名: T.Yokota, N.Fujimura, T.Wada, S.Hamasaki, T.Ito
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 81 ページ: 4023-4025
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Crystal Growth and Interface Characterization of Dielectric BaZrO_3 Thin Films on Si Substrates (2002)
  • 著者名/発表者名: T.Matsui, Y.Kitano, N.Fujimura, K.Morii, T.Ito
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 41 ページ: 6639-6642
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Structural, Dielectric and Magnetic Properties of Epitaxially Grown BaFeO_3 Thin Films on(100) SrTiO_3 Single-crystal Substrates (2002)
  • 著者名/発表者名: T.Matsui, H.Tanaka, N.Fujimura, T.Ito, H.Mabuchi, K.Morii
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 81 ページ: 2764-2766
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Ce Concentration Dependence on the Magnetic and Transport Properties of Ce Doped Si Epitaxial Films Prepared by Molecular Beam Epitaxy (2002)
  • 著者名/発表者名: T.Yokota, N.Fujimura, T.Wada, S.Hamasaki, T.Ito
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 91 ページ: 7905-7907
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Thin Film Crystal Growth of BaZrO_3 at Low Oxygen Partial Pressure (2002)
  • 著者名/発表者名: Y.Kitano, T.Matsui, N.Fujimura, K.Morii, T.Ito
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 243 ページ: 164-169
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Growth Process and Interfacial Structure of Epitaxial Y_2O_3/Si Thin Films Deposited by Pulsed Laser Deposition (2002)
  • 著者名/発表者名: K.Kakuno, D.Ito, N.Fujimura, T.Matsui, T.Ito
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 237 ページ: 487-491
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Retention Property Analysis of Epitaxially Grown YMnO_3/Y_2O_3/Si Capacitor (2002)
  • 著者名/発表者名: D.Ito, N.Fujimura, K.Kakuno, T.Ito
  • 雑誌名: Ferroelectrics 271 ページ: 87-92
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Electro-Optic Property of ZnO : X (X = Li, Mg) Thin Films (2002)
  • 著者名/発表者名: T.Nagata, T.Shimura, A.Ashida, N.Fujimura, T.Ito
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 237 ページ: 533-537
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] The Progress of the YMnO_3/Y_2O_3/Si System for a Ferroelectric Gate Field Effect Transistor (2002)
  • 著者名/発表者名: N.Fujimura, D.Ito, T.Ito
  • 雑誌名: Ferroelectrics 271 ページ: 229-234
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Effect of Substitutionally Dissolved Ce in Si on the Magnetic and Electric Properties of Magnetic Semiconductor : Si_<1-x>Ce_x Films (2002)
  • 著者名/発表者名: T.Yokota, N.Fujimura, T.Wada, S.Hamasaki, T.Ito
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett. 81 ページ: 4023-4025
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Crystal Growth and Interface Characterization of Dielectric BaZrO_3 Thin Films on Si Substrates (2002)
  • 著者名/発表者名: T.Matsui, Y.Kitano, N.Fujimura, K.Morii, T.Ito
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 41 ページ: 6639-6642
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Structural, Dielectric and Magnetic Properties of Epitaxially Grown BaFeO_3 Thin Films on (100) SrTiO_3 Single-crystal Substrates (2002)
  • 著者名/発表者名: T.Matsui, H.Tanaka, N.Fujimura, T.Ito, H.Mabuchi, K.Morii
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett. 81 ページ: 2764-2766
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Ce Concentration Dependence on the Magnetic and Transport Properties of Ce Doped Si Epitaxial Films Prepared by Molecular Beam Epitaxy (2002)
  • 著者名/発表者名: T.Yokota, N.Fujimura, T.Wada, S.Hamasaki, T.Ito
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 91 ページ: 7905-7907
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Electro-optic Property of ZnO:X(X=Li,Mg) Thin Films (2002)
  • 著者名/発表者名: T.Nagata, T.Shimura, A.Ashida, N.Fujimura, T.Ito
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 237 ページ: 533-537
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Inprouvement of magnetization and leakage current properties of magnetoelectric BaFeO_3 thin films by Zr substitution
  • 著者名/発表者名: T.Matsui, E.Taketani, H.Tuda, N.Fujimura, K.Morii
  • 雑誌名: Applied Phys.Letters (印刷中)
• [雑誌論文] Enhancement of ferromagnetic ordering in dielectric BaFe_<1-X>Zr_XO_3 (x=0.5-0.8)single crystalline films by pulsed laser-beam deposition
  • 著者名/発表者名: T.Matsui, E.Taketani, N.Fujimura, H.Tsuda, K.Morii
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics (印刷中)
• [図書] Ferroelectric Thin Films -Basic Properties and Device Physics for Memory Application- (2005)
  • 著者名/発表者名: N.Fujimura, T.Yoshimura
  • 出版者: Springer-Verlag GmbH
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [図書] Ferroelectric Thin Films - Basic Properties and Device Physics for Memory Applications- (2005)
  • 著者名/発表者名: N.Fujimura(分担執筆)
  • 出版者: Springer-Verlag GmbH
• [図書] Ferroelectric Thin Films : Basic Properties and Device Physics for Memory Applications (2005)
  • 著者名/発表者名: N.Fujimura, T.Yoshimura
  • 総ページ数: 220
  • 出版者: Springer-Verlag GmbH
• [文献書誌] T.Yoshimura, N.Fujimura: "Polarization Hysteresis Loops of Ferroelectric Gate Capacitors and the Dependence of the Capacitance for the Insulator Layer"Jpn J.Appl.Phys.. 42. 6011-6014 (2003)
• [文献書誌] H.Sakata, D.Ito, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura: "Improvement of Surface Morphology and the Dielectric Property of YMnO3 Films"Jpn J.Appl.Phys.. 42. 6003-6006 (2003)
• [文献書誌] D.Ito, N.Fujimura, T.Yoshimura, T.Ito: "Influence of Schottky and Poole-Frenkel emission on the retention property of YMnO3 based Metal/Ferroelectric/Insulator/Semiconductor capacitors"Journal of Applied Physics. 94. 4036-4041 (2003)
• [文献書誌] T.Yokota, N.Fujimura, T.Wada, S.Hamasaki, T.Ito: "The Effect of Carrier for Magnetic and Magneto-transport Properties of Si : Ce Films"Journal of Applied Physics. 93. 7679-7681 (2003)
• [文献書誌] T.Matsui, E.Taketani, N.Fujimura, T.Ito, K.Morii: "Magnetic Properties of Highly Resistive BaFeO3 Thin Films Epitaxially Grown on SrTiO3 Single Crystal Substrates"Journal of Applied Physics. 93. 6993-6995 (2003)
• [文献書誌] N.Fujimura, D.Ito, H.Sakata, T.Yoshimura, T.Yokota, T.Ito: "Ferromagnetic and Ferroelectric Behaviors of A Site Substituted YMnO3 Based Epitaxial Thin Films"Journal of Applied Physics. 93. 6990-6992 (2003)
• [文献書誌] D.Ito, N.Fujimura, T.Yoshimura, T.Ito: "Ferroelectric properties of YMnO3 epitaxial films for ferroelectric-gate field effect transistors"Journal of Applied Physics. 93. 5563-5567 (2003)
• [文献書誌] T.Matsui, H.Tanaka, E.Taketani, N.Fujimura, T.Ito, K.Morii: "Magnetic and Dielectric Properties of Epitaxially Grown BaFeO3 Thin Films on SrTiO3 Single Crystal Substrates"J.Korean Phys.Soc.. 42. S1378-S138 (2003)
• [文献書誌] T.Yokota, N.Fujimura, T.Ito: "Magnetic and Magneto-transport Properties of Solid Phase Epitaxially Grown Si : Ce Films"Journal of Applied Physics. 93. 4045-4048 (2003)
• [文献書誌] D.Ito, N.Fujimura, T.Ito: "The effect of leakage current on the retention property of YmnO3 based MFIS capacitor"Integrated Ferroelectrics. 49. 41-49 (2002)
• [文献書誌] T.Yokota, N.Fujimura, T.Wada, S.Hamasaki, T.Ito: "Effect of Substitutionally Dissolved Ce in Si on the Magnetic and Electric Properties of Magnetic Semiconductor : Si1-xCex Films"Applied Phys.Letters.. 81. 4023-4025 (2002)
• [文献書誌] D.Ito, N.Fujimura^*, T.Yoshimura, T.Ito: "Ferroelectric properties of YMnO_3 epitaxial films for ferroelectric-gate field effect transistors"Journal of Applied Physics. (accepted for publication). (2003)
• [文献書誌] T.Yokota, N.Fujimura, T.Wada, S.Hamasaki, T.Ito: "The Effect of Carrier for Magnetic and Magneto-transport Properties of Si:Ce Films"Journal of Applied Physics. (accepted for publication). (2003)
• [文献書誌] T.Edahiro, N.Fujimura, T.Ito: "Formation of Two-Dimensional Electron Gas and the Magneto-Transport Behavior of ZnMnO/ZnO Heterostructure"Journal of Applied Physics. (accepted for publication). (2003)
• [文献書誌] T.Yokota, N.Fujimura, T.Ito: "Magnetic and Magneto-transport Properties of Solid Phase Epitaxially Grown Si:Ce Films"Journal of Applied Physics. (accepted for publication). (2003)
• [文献書誌] N.Fujimura, D.Ito, H.Sakata, T.Ito: "Ferromagnetic and Ferroelectric Behaviors of A Site Substituted YMnO_3 Based Epitaxial Thin Films"Journal of Applied Physics. (accepted for publication). (2003)
• [文献書誌] Ito D, Fujimura N, Ito T: "The effect of leakage current on the retention property of YMnO_3 based MFIS capacitor"Integrated Ferroelectrics. 49. 41-49 (2002)
• [文献書誌] T.Matsui, H.Tanaka, N.Fujimura, T.Ito, H.Mabuchi, K.Morii: "Structural, Dielectric and Magnetic Properties of Epitaxially Grown BaFeO_3 Thin Films on (100) SrTiO_3 Single-crystal Substrates"Applied Physics Letters. Vol.81. 2764-2766 (2002)
• [文献書誌] T.Nagata, A.Ashida, Y.Takagi, N.Fujimura, T.Ito: "Electro-optic Effect in Epitaxial ZnO:Mn Thin Films"Japanese Journal of Applied Physics. 41. 6916-6918 (2002)
• [文献書誌] T.Matsui, Y.Kitano, N.Fujimura, K.Morii, T.Ito: "Crystal Growth and Interface Characterization of Dielectric BaZrO_3 Thin Films on Si Substrates"Japanese Journal of Applied Physics. 41. 6639-6642 (2002)
• [文献書誌] Y.Kitano, T.Matsui, N.Fujimura, K.Morii, T.Ito: "Thin Film Crystal Growth of BaZrO_3 at Low Oxygen Partial Pressure"Journal of Crystal Growth. 243(1). 164-169 (2002)
• [文献書誌] K.Kakuno, D.Ito, N.Fujimura, T.Matsui, T.Ito: "Growth Process and Interfacial Structure of Epitaxial Y_2O_3/Si Thin Films Deposited by Pulsed Laser Deposition"Journal of Crystal Growth. 237(Part 1). 487-491 (2002)
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