| 配分額 *注記 |
55,770千円 (直接経費: 42,900千円、間接経費: 12,870千円)
2003年度: 15,340千円 (直接経費: 11,800千円、間接経費: 3,540千円)
2002年度: 40,430千円 (直接経費: 31,100千円、間接経費: 9,330千円)
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| 研究概要 |
自然形成させたGaN/AIN量子ドットを用いた単一電子トランジスタを作製し、クーロンプロッケード現象、共鳴トンネル現象を観測した。窒化物半導体量子ドット内の単一電子スピンを赤外線円偏向パルスを用いて反転励起させる量子ビットの実現法を提案した。自発分極を利用した量子相関素子は窒化物半導体特有である。選択成長法を用いて窒化物半導体量子ドットの位置制御が可能であることを示した。ヘテロ構造の形成が容易に可能である。共鳴トンネルダーオードを試作した結果、理論特性とよく符号する結果が得られた。良好なヘテロ界面の形成を実現した。縦型の単一電子トランジスタを作製した。0次元離散化準位を介在した単一電子輸送特性が得られた。赤外線で励起可能なエネルギースケールまで、デバイス設計が実現した。シングルウォールカーボンナノチューブ(SWNT)においてスピン縮退した量子準位における,電子の偶奇性効果,単一電子スピン状態の生成と2電子殻構造の観測をおこなった。量子準位のゼーマン分裂の観測した結果、磁場による量子準位の影響はゼーマン効果しかなく,その結果は,SWNT人工原子が自然の原子と同様な振る舞いをすることを示している。量子準位のゼーマン分裂と単一電子スピン状態の形成による,スピン2準位系の形成をおこなった。スピン縮退に加えて,SWNTのバンド構造に起因する2つの量子準位の効果を示す,4電子殻構造の観測と、磁場依存性による電子充填構造の解明を行った。相互作用する2電子スピン系における,シングレット・トリプレット状態を観測した。観測。そして,それに伴う電子スピンのエンタングルメント状態の生成を行った。SWNT入工原子のおける量子準位のゲート霜圧の依存性,および,電子間相互作用の電子殻構造への影響を解明し、SWNT人工原子の,多体系の相互作用を含むエネルギーパラメータを導出した。
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