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半導体超格子における高位サブバンド間キャリア輸送ダイナミクスの研究

研究課題

研究課題/領域番号 14350013
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関大阪市立大学

研究代表者

細田 誠  大阪市立大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80326248)

研究期間 (年度) 2002 – 2004
研究課題ステータス 完了 (2004年度)
配分額 *注記
14,700千円 (直接経費: 14,700千円)
2004年度: 200千円 (直接経費: 200千円)
2003年度: 600千円 (直接経費: 600千円)
2002年度: 13,900千円 (直接経費: 13,900千円)
キーワード半導体超格子 / 量子井戸 / 高位サブバンド準位 / キャリア輸送 / X-L電子散乱 / 光電流インパルス応答 / 電界ドメイン / 量子井戸マイクロチューブ / サブバンド共鳴 / 高位サブバンド / ガンマ-X輸送 / Lサブバンド / 短波長発光素子 / Type-I Type-II遷移 / Gamma-X キャリア輸送 / 波長変換 / マイクロチューブ / Gamma-Xキャリア輸送
研究概要

1.非対称二重量子井戸超格子における高位サブバンド準位間キャリア輸送について研究し、バリアー中の高位Xサブバンドを経由した電子輸送と、ホールどうしの高位サブバンド準位を経由した輸送を実験的に測定し、その解析を行った結果、種々の高位サブバンドを経由したキャリア輸送の存在を確認した。さらに、それら現象を使った新規な光素子について提案を行った。すなわち、元々のバンド間ギャップエネルギーよりも非常に短い波長で発光を行う短波長発光素子、および長波長の光を短波長に変換する波長変換素子(アップ・コンバーター)が実現可能であることを示した。
2.新規な量子ナノ構造である量子井戸マイクロチューブについて、高位サブバンド準位の点から研究を行った。チューブは数十nmの半導体薄膜を巻き込むことによって得られており、チューブの壁に量子井戸層を内包している。研究の結果、チューブ形成時に発生する1軸性歪みによって巻く前はtype-II状態であった量子井戸がチューブ形成後はtype-I状態になることが分かった。
3.半導体超格子において、X-L間電子輸送を明瞭に実験的に観測することに世界で初めて成功した。ある構造の半導体超格子の光電流インパルス応答を詳細に検討することにより、Γ1-X2-X1-Γ1という高位準位間輸送経路が、Γ1-X2-X1-L1-Γ1経路に交代することを発見した。
4.高位準位間を経由した電子輸送に影響された電界ドメインの発生を観測し、高電界ドメイン界が超格子1周期ごとに移動する様子を世界で初めてPLによって観測することに成功した。

報告書

(4件)
  • 2004 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 2003 実績報告書
  • 2002 実績報告書
  • 研究成果

    (29件)

すべて 2005 2004 2003 2002 その他

すべて 雑誌論文 (20件) 文献書誌 (9件)

  • [雑誌論文] Electron scattering between X and L indirect valleys in type-I GaAs/AlAs semiconductor superlattices2005

    • 著者名/発表者名
      M.Hosoda, et al.
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B To be published

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Formation of electric-field domains in an asymmetric double-quantum-well GaAs/AlAs superlattice2004

    • 著者名/発表者名
      N.Ohtani, et al.
    • 雑誌名

      Semiconductor Sci. Technol. 19

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Uniaxial-strain-induced transition from type-II to type-I band configuration of quantum well microtubes2004

    • 著者名/発表者名
      N.Ohtani, et al.
    • 雑誌名

      Physica E 21

      ページ: 732-736

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Formation of electric-field domains in an symmetric Double-quantum-well GaAs/AlAs superiattice2004

    • 著者名/発表者名
      N.Ohtani et al.
    • 雑誌名

      Semiconductor Sci.Technol. vol.19

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Uniaxial-strained-induced transition from type-II to type-I Band configuration of quantum well microtubes2004

    • 著者名/発表者名
      N.Ohtani et al.
    • 雑誌名

      Physica E vol.21

      ページ: 732-736

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Uniaxial-strain-induced transition from type-II to type-I band configuration of quantum well microtubes2004

    • 著者名/発表者名
      N.Ohtani, M.Hosoda, et al.
    • 雑誌名

      Physica E 21

      ページ: 732-732

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Formation of electric-field domains in an asymmetric double-quantum-well GaAs/AlAs superlattice2004

    • 著者名/発表者名
      N.Ohtani, Y.Hirose, T.Nishimura, T.Aida, M.Hosoda
    • 雑誌名

      Semiconductor Science and Technology 19

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Quantum-well microtube constructed from a freestanding thin quantum-well layer2003

    • 著者名/発表者名
      M.Hosoda, et al.
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 83

      ページ: 1017-1019

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Up-conversion by using Γ-X-Γ carrier transport in asymmetric double quantum well systems2003

    • 著者名/発表者名
      M.Sato, et al.
    • 雑誌名

      Proc. Conf. Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices

      ページ: 285-288

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Observation of electronic band-structure modification in microtubed quantum well2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Kishimoto, et al.
    • 雑誌名

      Proc. Conf. Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices

      ページ: 315-318

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Photoluminescence property of uniaxial strained GaAs/AlGaAs quantum wells contained in a micro-tube2003

    • 著者名/発表者名
      N.Ohtani, et al.
    • 雑誌名

      Physica E 17

      ページ: 391-392

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Quantum-well microtube constructed from a freestanding thin quantum-well layer2003

    • 著者名/発表者名
      M.Hosoda et al.
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. vol.83

      ページ: 1017-1019

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Up-conversion by using Γ-X-Γ carrier transport in asymmetric Double quantum well systems2003

    • 著者名/発表者名
      M.Sato et al.
    • 雑誌名

      Proc.Conf.Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices

      ページ: 285-288

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Observation of electronic band-structure modification in Microtubed quantum well2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Kishimoto et al.
    • 雑誌名

      Proc.Conf.Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices

      ページ: 285-288

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Photoluminescence property of uniaxial strained GaAs/AlGaAs quantum wells contained in a micro-tube2003

    • 著者名/発表者名
      N.Ohtani et al.
    • 雑誌名

      Physica E vol.17

      ページ: 391-392

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Efficient short-wavelength light emission from asymmetric double quantum wells by using electron and hole collection into the same narrow quantum well2002

    • 著者名/発表者名
      Y.Hirose, et al.
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 81

      ページ: 3870-3872

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Photoluminescence of GaAs/AlGaAs micro-tubes containing uniaxially strained quantum wells2002

    • 著者名/発表者名
      K.Kubota, et al.
    • 雑誌名

      Physica E 13

      ページ: 313-316

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Efficient short-wavelength light emission from asymmetric Double quantum wells by using electron and hole collection into the same Quantum well2002

    • 著者名/発表者名
      Y.Hirose et al.
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. vol.81

      ページ: 3870-3872

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Photoluminescence of GaAs/AlGaAs micro-tubes containing Uniaxially strained quantum wells2002

    • 著者名/発表者名
      K.Kubota et al.
    • 雑誌名

      Physica E vol.13

      ページ: 313-316

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Electron scattering between X and L indirect valleys in Type-I GaAs/AlAs semiconductor superlattices

    • 著者名/発表者名
      M.Hosoda et al.
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B (to be published.)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Hosoda: "Quantum-well microtube constructed from a freestanding thin quantum-well layer"Appl.Phys.Left.. 83・5. 1017-1019 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] Y.Kishimoto: "Observation of electronic band-structure modification in microtubed quantum well"Proc.IEEE 2002 Conf. On Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices. 315-318 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] M.Sato: "Up-conversion by using Γ-x-Γ carrier transport in asymmetric double quantum well systems"Proc.IEEE 2002 Conf. On Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices. i. 285-288 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] N.Ohtani: "Photoluminescence property of uniaxially strained GaAs/AIGaAs quantum wells contained in a micro-tube"Physica-E. 17. 391-392 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] N.Ohtani: "Formation of electric-field domains in an asymmetric double-quantum-well GaAs/AIAs superlattice"Semicond.Sci.Technol.. 19. S89-S90 (2004)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] Y.Hirose: "Efficient short-wavelength light emission from asymmetric double quantum wells by using electron and hole collection into the same narrow quantum well"Appl.Phys.Lett.. 81・20. 3870-3872 (2002)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] Y.Kishimoto: "Observation of electronic band-structure modification in microtubed quantum well"Proc. IEEE 2002 Conf. On Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices. (in press).

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] M.Sato: "Up-conversion by using Γ-X-Γ carrier transport in asymmetric double quantum well systems"Proc. IEEE 2002 Conf. On Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices. (in press).

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] N.Ohtani: "Photoluminescence property of uniaxially strained GaAs/AlGaAs quantum wells contained in a micro-tube"Physica-E. (in press).

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書

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公開日: 2002-04-01   更新日: 2016-04-21  

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