| 配分額 *注記 |
12,800千円 (直接経費: 12,800千円)
2004年度: 1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
2003年度: 2,700千円 (直接経費: 2,700千円)
2002年度: 8,700千円 (直接経費: 8,700千円)
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| 研究概要 |
気相輸送法を応用した独自の方法を用いて配向性酸化亜鉛結晶を合成し,これを基板とした酸化物半導体デバイスを作成した。これを用いて以下の3つの研究を展開した。
(1)酸化亜鉛はワイドギャップを持つn型半導体である。これに同じくワイドギャプを持つp型半導体であるSrCu_2O_2をスパッタリング法およびYAGレーザを用いたPLD法により積層した。この組み合わせはすでに薄膜の組み合わせにおいて発光ダイオード特性が観測されており,本研究でもそれが確認された。酸化亜鉛結晶を基板とすることは特性が異なる酸化亜鉛の各種面を使用できるというメリットがあり,本研究ではO面を利用することが特に優れた特性を持つことを確認した。これを化学センサーとしてその特性を観測したところ,水素,メタンなどの比較的検知が容易なものに加えてトルエンなどの難酸化性有機物も検知できた。
(2)リチウムを添加して絶縁化いた酸化亜鉛結晶を基板とするELデバイスの試作を行った。発光体にはCeを添加したY_2O_3をスパッタリング法により積層した。この時,酸化亜鉛は圧電体であり,交流電界印加により発生する機械的振動と発光特性の関係を検討することがここでの目的である。デバイスの各要素の作成法に関しての検討を完了した。
(3)酸化亜鉛配向性制御を薄膜においても実現するために,MOD法を用いた。基板には予め櫛形電極を作成しておき,MOD剤塗布後に電圧を印加しながら加熱した。基本的は無配向な酸化亜鉛ができるが,電圧印加によりわずかな配向性の違いを見いだすことができた。
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