| 研究課題/領域番号 |
14390012
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
広領域
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| 研究機関 | 千葉大学 |
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研究代表者 |
工藤 一浩 千葉大学, 工学部, 教授 (10195456)
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| 研究分担者 |
岸川 圭希 千葉大学, 工学部, 助教授 (40241939)
中村 雅一 千葉大学, 工学部, 助教授 (80332568)
国吉 繁一 千葉大学, 工学部, 助手 (30092050)
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| 研究期間 (年度) |
2002 – 2004
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| 研究課題ステータス |
完了 (2004年度)
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| 配分額 *注記 |
10,200千円 (直接経費: 10,200千円)
2004年度: 1,600千円 (直接経費: 1,600千円)
2003年度: 3,600千円 (直接経費: 3,600千円)
2002年度: 5,000千円 (直接経費: 5,000千円)
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| キーワード | 有機発光トランジスタ / 静電誘導トランジスタ / フレキシブルディスプレイ / 有機半導体 / 縦型トランジスタ / 有機EL / ショットキーゲート / 光サイリスタ / 真空蒸着膜 |
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| 研究概要 |
本研究では、フレキシブルディスプレイ駆動用素子として有機半導体材料と埋め込み型ゲート電極を用いた有機静電誘導型トランジスタ(Organic Static Induction Transistor : OSIT)と有機発光素子(Organic Light Emitting Diode : OLED)を組み合わせた有機発光トランジスタ(Organic Light Emitting Transistor : OLET)を作製し、その基礎的動作特性について調べた。有機半導体層として銅フタロシニン、α-NPDを有機薄膜層とした素子を作製した結果、良好なSIT特性を有する素子を得ることが可能となった。また、ガラス基板上に作製したSIT素子の静特性を測定した結果、Alゲート電極形状がトランジスタ特性に大きな影響を与えていることが判明した。OLET素子の応答速度と発光特性の関係について調べた結果、スリット状ゲート電極間隔がOLETの輝度特性の大きく関与していることが判明した。一方、有機半導体層として高い移動度を有するペンタセンを用いたOSIT素子を作製した結果、ソース電極界面のホール注入に対する適切なポテンシャルバリアを形成することによって、良好なゲート変調特性を有する素子を得ることが可能となった。また、プラスチック基板上に作製したSIT素子の静特性を測定した結果、ガラス基板上に作製したSIT素子とほぼ同等な特性が得られ、フレキシブル性を有するトランジスタを実現できることが判明した。さらに、ゲート電極のスリット間隔とAlq3、α-NPDの膜厚を最適化したOLET素子が大きな変調度(on/off比100程度)と高い動作特性(300Hz)を示すことが示された。一方、サイリスタ構造を有するスイッチング機能について調べた結果、OSIT部分の有機半導体が吸収する光によって、その動作特性が制御できることを示した。
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