| 研究課題/領域番号 |
14540291
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
|
|---|
| 研究機関 | 筑波大学 |
|---|
研究代表者 |
鈴木 修吾 筑波大学, 物質工学系, 助教授 (90241794)
|
|---|
| 研究分担者 |
中尾 憲司 筑波大学, 物質工学系, 教授 (30011597)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2002 – 2003
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2003年度)
|
| 配分額 *注記 |
1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
2003年度: 600千円 (直接経費: 600千円)
2002年度: 1,300千円 (直接経費: 1,300千円)
|
|---|
| キーワード | 電場効果ドーピング / 分子性固体 / 超伝導 / 第一原理計算 / 密度汎関数法 / バンド構造 / 状態密度 / 電子分布 / C_<60>単層膜 / 2次元エバルト和 / ホールドープ |
|---|
| 研究概要 |
電場効果をもちいて結晶にキャリアを導入する、いわゆる、電場効果ドーピングがいくつかの点で優れたキャリアドーピング法となることが期待されている。本研究では、このような長所をもつ電場効果ドーピングを分子性固体に対して行った場合に、結晶の構造や電子状態にどのような特徴が現れるかを理論的に調べた。計算は、密度汎関数理論に基づく第一原理計算によって行った。ただし、扱う系として現実の状況に近い薄膜を2次元系として扱ったため、2次元エバルト法をもちいて長距離クーロンポテンシャルの和の収束を早めた。まず、C60単分子薄膜について計算を行った結果、C60分子あたり電子がひとつドープされるような場合には、ドープされた電子はC60の電場が印加された片側に偏って分布することがわかった。ホールドープの場合についても同様の計算を行って調べた結果、やはり、ホールは電場がかかった片側にのみ分布することがわかった。C60分子あたりの電子数が1〜3においてそのバンド構造を調べた結果、価電子バンドに顕著な分裂が生じることが見出された。これに関連して、状態密度にも特徴的な構造が現れることがわかった。同様な計算をホールドープの場合にも行った結果、バンドの分裂や状態密度における特徴的な構造などがやはり見出されることがわかった。さらに、C60分子3層からなる薄膜について同じ条件で計算を行った結果、キャリアの分布がC60分子の電場のかかった側だけであるという結果はキャリア数がC60分子あたり1〜3個の場合については膜厚によらないものであることがわかった。
|
