| 研究概要 |
本年度は,電子やエネルギーの移動を特異的に誘起する拡張共役系ポルフィリン-ビチオフェン誘導体を構築する目的で,前年度に行なった分子設計及び合成経路の確立に基づいて,様々な合成応用研究を行なった。その際の基本的な研究指針は,電子やエネルギー移動を効率よく制御する成分としてジヘキシルビチオフエン環(DHBTh)の3種の配向異性体を採用し,電子的性質が異なる両端ポルフィリン環(OEP)の各構成成分を共役の拡張に最適なジアセチレン結合により架橋する手法を採用することである。本拡張系(OEP-M1)-(DHBTh)-(OEP-M2)誘導体合成ではDHBTh成分がジアルキルビチオフェン環(DABTh)全般にも置き換えられること,また,種々の機能性部位となる新規なパイ成分(π-ElectronicComponent)を組み込んだ非対称型ポルフィリン拡張共役系誘導体(OEP-M1)-(DHBTh)-(π-ElectronicComponent)構築にも拡張できるなど,新しい型の拡張共役系ポルフィリン誘導体の一般合成法に高めることができた。
中でも,誘導体(OEP-Ni)-(DHBTh)-(OEP-Pd)の電子吸収スペクトルでは,溶媒効果を顕著に受け,非対称構造及びDHBThの配向様式を反映して新しい吸収帯が出現した。種々の誘導体についても検討したところ,現在のところ,分子中のTT(DHBTh)-OEP(Pd)成分が溶媒効果誘起の必須構造であることを見い出すことができたが,溶媒と電子系成分との相互作用の本質の解明に関しては今後の課題である。また,電気化学的挙動に関しても検討を行なった結果,本拡張系においては(OEP-Ni)-(DHBTh)成分が分子全体の電子放出能力を支配していることが示唆された。さらに,本拡張共役系の各配向異性体に関して,HH体及びTT体それぞれの電子構造の本質を明らかにし,本拡張共役系の特異性を明らかにすることができた。
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