| 研究課題/領域番号 |
14655036
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| 研究種目 |
萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物理学一般
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| 研究機関 | 独立行政法人理化学研究所 |
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研究代表者 |
石橋 幸治 独立行政法人理化学研究所, 極微デバイス光学研究室, 主任研究員 (30211048)
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| 研究分担者 |
瓜生 誠司 理化学研究所, 半導体工学研究室, 基礎科学特別研究員 (80342757)
井田 徹哉 理化学研究所, 半導体工学研究室, 協力研究員 (80344026)
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| 研究期間 (年度) |
2002 – 2003
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| 研究課題ステータス |
完了 (2003年度)
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| 配分額 *注記 |
3,400千円 (直接経費: 3,400千円)
2003年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
2002年度: 2,900千円 (直接経費: 2,900千円)
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| キーワード | 量子ドット / アンチドット / 2次元電子ガス / エッジ状態 / 量子ホール効果 / 共鳴トンネル / スピン |
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| 研究概要 |
本研究では強磁場中の量子補ホール状態を利用した単一スピン操作の可能性を検索する。その際対象とする材料および構造はGaAs/AlGaAs2次元電子ガスを用いた量子ドットやアンチドット構造である。本年度は量子ドット構造の電子波に与える磁場の影響に加え、1個のアンチドットの強磁場量子ホール領域での電気伝導特性を測定し、エッジ状態の関係した束縛準位について調べた。
アンチドットは表面ゲート法とエッチング法を組み合わせることにより形成した。2方向から1ミクロン程度の間隔をおいて対向する2つの表面ゲートの間に、電子ビーム露光の位置合わせ技術を用いてアンチドットパターンを形成する。そのパターンをアルゴンイオンビームで転写することによりダメージを用いたアンチドット構造を形成する技術を確立した。このようにして形成して1個のアンチドットを含む試料を希釈冷凍機に設とアンチドットの間は量子ポイントコンタクトと見なすことができ、各ゲートを印可することにより空乏化させることができる。強磁場下ではゲート電圧を変えることにより選択的にエッジ状態を反射させたり透過させたりすることが可能である。測定ではエッジ状態間の散乱が可能な領域で(量子ホール効果のプラトー間)、磁場に対する周期的な振動を観測した。この振動はアンチドットに束縛されたエッジ状態が、磁場下ではエッジ状態が囲む面積に入る磁束が磁束量子の整数倍である必要性(AB効果)のために生じている振動である。このことは、アンチドットに束縛された離散的な量子準位が形成されていることを意味している。電気伝導ではこの準位を介した共鳴トンネル電流を測定していることに対応しており、スピン偏極した離散準位を利用した単一スピンのコヒーレント制御の実行可能性を示すことができた。
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