| 研究概要 |
トリチウム(^3H)はトレーサーとして医学,薬学,生物学,原子力分野で比較的高頻度に用いられているが,汚染の検出が困難な放射性核種の1つである。^3H汚染源にイメージングプレート(IP)を直接密着させて照射を行えば汚染の二次元的な放射能強度分布を知ることが可能であるが、IPがトリチウムで汚染されるのでIPの再利用が困難になるばかりか,IP自身が放射性廃棄物になってしまう。本研究の目的は、IPと汚染防止薄膜を用いて放射性廃棄物の極力発生しない3H測定技術を開発することでめる。
厚さ1.2μmのポリフェニレンサルファイドフィルムをIPと同じ大きさに切り取り、プラスチック枠にフィルムを均一に固定し、これを汚染防止薄膜とした。10Bq〜2KBqの^3H線源をカセッテ内に配置し、線源上に汚染防止薄膜を被せ、更にその上にIPの露光面を重ねて8時間照射した。対照として汚染防止薄膜無しのIPに同一の線源を直接密着させて8時間の照射を行った。照射終了後にIPを暗条件下で取り出し、イメージングアナライザー(富士写真フィルム社製)を用いて測定した。IP自身の汚染の有無を確認するために、測定終了後のIPを暗条件下で8時間放置し,再測定を行った。
^3H用IPと汚染防止薄膜を用いることにより、IPを汚染すること無く^3Hの放射能分布が測定可能であった。各線源像の計数は,直接線源を密着させた場合の計数と比較して約1/8であった。40Bqから2KBqの範囲内でのPSL値-放射能変換係数は0.96であった。検出限界は3.4Bqであった。汚染防止薄膜を使用した場合にはIPに汚染は検出されなかったが、直接密着露光したIPには除去困難な汚染が確認された。汚染放射能は最大で50Bqであり、線源放射能の約3%であった。汚染防止薄膜へ付着したトリチウムは3〜6Bqであり,線源放射能の0.4%以下であった。
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