| 研究課題/領域番号 |
14F04777
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| 研究種目 |
特別研究員奨励費
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 外国 |
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| 研究分野 |
デバイス関連化学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
竹谷 純一 東京大学, 新領域創成科学研究科, 教授 (20371289)
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| 研究分担者 |
HAEUSERMANN ROGER 東京大学, 新領域創成科学研究科, 外国人特別研究員
HAEUSERMANN Roger 東京大学, 新領域創成科学研究科, 外国人特別研究員
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-25 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
2015年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
2014年度: 300千円 (直接経費: 300千円)
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| キーワード | 有機エレクトロニクス / 半導体 / フレキシブルエレクトロニクス / 集積回路 / 電界効果トランジスタ / 接触抵抗 / 電荷注入 / 電気特性変動シミュレーション |
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| 研究実績の概要 |
Charge injection from the metal into the semiconductor is a crucial step in every device using organic semiconductors. Understanding this process is necessary to further improve device performance. In the last year, we analyzed a about 20 transistors with a very distinct charge injection problem. By combining these results with a self developed drift diffusion solver we have been able to explain some of these results. Further implementation of physical processes, allowed us to explain the observed injection behavior.
Starting from these models, we have developed a simplified version, which can be solved analytically. This model has been implemented into a SPICE simulation package. The first Investigations have been very promising.
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| 現在までの達成度 (段落) |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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