| 研究課題/領域番号 |
14J05405
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| 研究種目 |
特別研究員奨励費
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 国内 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 慶應義塾大学 |
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研究代表者 |
田中 貴久 慶應義塾大学, 理工学部, 特別研究員(PD)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-25 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
1,680千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 180千円)
2015年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2014年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
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| キーワード | トランジスタ / 移動度 / キャリア輸送 / キャリア散乱 / ナノワイヤ |
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| 研究実績の概要 |
本研究は，酸化膜近傍におけるキャリア散乱機構のモデリングを行うことを目的としている．最終年度となる本年度は，酸化膜近傍におけるフォノン散乱の変形ポテンシャルのモデリングと，クーロン散乱に影響する酸化膜近傍でのイオン化エネルギーの上昇のモデリングを行った．
まず，フォノン散乱の変形ポテンシャルのモデリングでは，薄膜Silicon-On-Insulator(SOI)トランジスタ中の移動度の温度依存性を測定した．実験的な移動度の温度依存性に対して計算値を比較することにより，酸化膜近傍の変形ポテンシャル上昇を考慮することが，正確な移動度の温度依存性の再現に必要であることを明らかにした．さらに，変形ポテンシャル上昇を考慮したモデルで，薄膜SOIトランジスタに加えてバルクSiトランジスタとジャンクションレス厚膜SOIトランジスタの移動度も統一的に説明できることを明らかにした．
また，クーロン散乱に影響する酸化膜近傍のイオン化エネルギー上昇のモデリングでは，薄膜SOIトランジスタ中のイオン化エネルギーをキャリア濃度の温度依存性から実験的に求めた．得られたイオン化エネルギーを計算値と比較することで，任意の不純物濃度における，酸化膜近傍でのイオン化エネルギーを記述するモデルの構築に成功した．このモデルにより，高不純物濃度における酸化膜近傍のイオン化率を評価できるようになったため，クーロン散乱に寄与するイオン化不純物の量をより正確に見積もれると期待される．
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| 現在までの達成度 (段落) |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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