高エネルギー光電子分光法開発と高誘電率膜/シリコン界面の化学結合状態分析への応用

• 研究課題/領域番号: 15206006
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 薄膜・表面界面物性
• 研究機関: 武蔵工業大学
• 研究代表者: 服部 健雄 武蔵工業大学, 名誉教授 (10061516)
• 研究分担者: 岩井 洋 東京工業大学, フロンテイア創造共同研究センター, 教授 (40313358) ; 大見 俊一郎 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授 (30282859) ; 小林 啓介 高輝度光科学研究センター, 特別研究員 (50372149) ; 高田 恭孝 理化学研究所, 先任研究員 (90261122) ; 野平 博司 武蔵工業大学, 工学部, 助教授 (30241110)
• 研究期間 (年度): 2003 – 2005
• 研究課題ステータス: 完了 (2005年度)
• 配分額: 48,750千円 (直接経費: 37,500千円、間接経費: 11,250千円); 2005年度: 6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円); 2004年度: 7,280千円 (直接経費: 5,600千円、間接経費: 1,680千円); 2003年度: 35,100千円 (直接経費: 27,000千円、間接経費: 8,100千円)
• キーワード: 放射光 / 光電子分光法 / 角度分解光電子分光法 / ゲート絶縁膜 / 高誘電率膜 / 希土類酸化膜 / 最大エントロピー法 / 誘電率 / 電子帯構造 / 希土類金属酸化膜 / 高エネルギー光電子分光法 / シリコン界面 / 硬X線

研究概要

硬X線光電子分光に必要となる電子エネルギー分析器R4000-10keVをガンマデータ社の協力のもとに開発した。半値幅60meVのエネルギー5.95keVの放射光を利用できるアンジュレータ・ビームラインBL29XUとBL47XUにおいてエネルギー分解能45meVの電子エネルギー分析器を用いて、全エネルギー分解能75meVの光電子分光を達成した。しかし、1)電子エネルギー分析器の耐圧を8keV以上にできない、2)電源ボードの近くに熱源があるために、検出した光電子の運動エネルギー値が不安定となる、3)光電子検出部を構成するMCPとCCDの最小空間分解能が非常に近いためにモアレによる雑音が現れる、などの問題点が見つかった。そこで、1)電子エネルギー分析器内部の絶縁度を高める、2)スペクトログラフ読み出し用光学系の倍率を変更する、3)CCDをピクセル数の大きいものに取り換える、などの改良を行った。その結果、エネルギー分解能がフォトン・エネルギー8keVにおいて75meV、10keVにおいて90meVとなった。この硬X線光電子分光システムを用いて、次々世代のCMOSデバイスのゲート絶縁膜として期待されているLaO_x/Si界面の熱安定性を角度分解La 3d・Si ls・O ls光電子スペクトルを測定することにより調べた。その結果、この界面を常圧窒素雰囲気中400℃以上で熱処理すると界面においてLaシリケートが形成されることが明らかとなった。LaO_x/Si界面組成遷移層における組成と化学結合形態を、これら角度分解スペクトルに最大エントロピー法を適用して決定した。その際、高分解能ラザフォード後方散乱で決めた元素組成の深さ方向変化を初期組成分布として用いた。この解析により、組成遷移層の膜厚は400℃以上での熱処理により増加することが明らかになった。

研究成果

• [雑誌論文] Electronic structure of strained(La_<0.85)Ba<0.15>)MnO_3 thin films with room-temperature ferromagnetism investigated by hard x-ray photoemission spectroscopy (2006)
  • 著者名/発表者名: H.Tanaka, Y.Takata, K.Horiba, M.Taguchi, A.Chainani, S.Shin, D.Miwa, K.Tamasaku, et al.
  • 雑誌名: Physical Review B 73
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Magnetism, microstructure, and photoelectron spectroscopy of Nd_<0.7>Ce_<0.8>MnO_3 thin films (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Yanagida, H.Tanaka, T.Kawai, E.Ikenaga, M.Kobata, J・J.Kim, K.Kobayashi
  • 雑誌名: Physical Review B 73
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] High Resolution Hard X-ray Photoemission using Synchrotron Radiation as an Essential Tool for Characterization of Thin Solid Films (2006)
  • 著者名/発表者名: J.J.Kim, E.Ikenaga, M.Kobata, A.Takeuchi, M.Awaji, H.Makino, P.P.Chen, A.Yamamoto et al.
  • 雑誌名: Applies Surface Science (to be published in)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Study of the gate insulator/silicon interface utilizing soft and hard x-ray photoelectron spectroscopy at SPring-8 (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Hattori, H.Nohira, K.Azuma, K.W.Sakai, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, et al.
  • 雑誌名: International Journal of High Speed Electronics and Systems (to be published in)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Electronic structure of strained (La_<0.35>Ba_<0.15>)MnO_3 thin films with room-temperature ferromagnetism investigated by hard x-ray photoemission spectroscopy (2006)
  • 著者名/発表者名: H.Tanaka, Y.Takata, K.Horiba, M.Taguchi, A.Chainani, S.Shin, D.Miwa, K.Tamasaku, Y.Nishino, T.Ishikawa, E.Ikenaga, M.Awaji, A.Takeuchi, T.Kawai, K.Kobayashi
  • 雑誌名: Physical Review B 73
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Magnetism, microstructure, and photoelectron spectroscopy of Nd_<0.7>Ce_<0.3>MnO_3 thin films (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Yanagida, H.Tanaka, T.Kawai, E.Ikenaga, M.Kobata, J-J.Kim, K.Kobayashi
  • 雑誌名: Physical Review B 73
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Electronic structure of strained (La_<0.85>Ba_<0.15>)MnO_3 thin films with room-temperature ferromagnetism investigated by hard x-ray photoemission spectroscopy (2006)
  • 著者名/発表者名: H.Tanaka, Y.Takata, K.Horiba, M.Taguchi, A.Chainani, S.Shin, D.Miwa, K.Tamasaku, Y.Nishino, T.Ishikawa, E.Ikenaga, M.Awaji, A.Takeuchi, T.Kawai, K.Kobayashi
  • 雑誌名: Physical Review B 73
• [雑誌論文] Valence charges for ultrathin SiO_2 film formed on Si(100) (2006)
  • 著者名/発表者名: K.Hirose, M.Kihara, H.Okamoto, H.Nohira, E.Ikenaga, Y.Takata, K.Kobayashi, T.Hattori
  • 雑誌名: Journal de Physique IV 132 ページ: 83-86
• [雑誌論文] Bulk screening in core-level photoemission from Mott-Hubbard and charge-transfer systems (2005)
  • 著者名/発表者名: M.Taguchi, A.Chainani, N.Kamakura, K.Horiba, Y.Takata, M.Yabashi, K.Tamasaku, et al.
  • 雑誌名: Physical Review B 71
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Interface reaction of poly-Si/high-k insulator systems studied by hard X-ray photoemission spectroscopy (2005)
  • 著者名/発表者名: E.Ikenaga, I.Hirosawa, A.Kitano, Y.Takata, A.Muto, T.Maeda, K.Torii, et al.
  • 雑誌名: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 144・147 ページ: 491-494
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Temperature-induced valence transition in transition in EuNi_2(Si_<0.20>Ge_<0.80>)_2 studied by hard X-ray photoemission spectroscopy (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Yamamoto, N.Kamakura, M.Taguchi, A.Chainani, Y.Takata, K.Horiba, S.Shin, et al.
  • 雑誌名: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 144・147 ページ: 553-555
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Hard X-ray photoemission study of Mn 2p core-levels of La_<1-x>Sr_xMnO_3 thin films (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Horiba, M.Taguchi, N.Kamakura, K.Yamamoto, A.Chainani, Y.Takata, et al.
  • 雑誌名: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 144・147 ページ: 557-559
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Electronic structure of the Ga<1-x>Cr_xN studied high-energy photoemission spectroscopy (2005)
  • 著者名/発表者名: J.J.Kim, H.Makino, T.Yano, Y.Takata, K.Kobayashi, T.Yamamoto, T.Hanada, et al.
  • 雑誌名: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 144・147 ページ: 561-564
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Hard X-ray core level photoemission of vanadium oxides (2005)
  • 著者名/発表者名: N.Kamakura, M.Taguchi, K.Yamamoto, K.Horiba, A.Chainani, Y.Takata, et al.
  • 雑誌名: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 144・147 ページ: 841-843
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] A novel probe of intrinsic electronic structure : hard X-ray photoemission spectroscopy (2005)
  • 著者名/発表者名: Y.Takata, K.Tamasaku, Y.Nishino, D.Miwa, M.Yabashi, E.Ikenaga, K.Horiba, et al.
  • 雑誌名: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 144・147 ページ: 1063-1065
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Development of hard X-ray photoelectron spectroscopy at BL29XU in SPring-8 (2005)
  • 著者名/発表者名: Y.Takata, M.Yabashi, K.Tmasaku, Y.Nishino, D.Miwa, T.Ishikawa, E.Ikenaga, et al.
  • 雑誌名: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 547 ページ: 50-55
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] High-resolution hard X-ray photoelectron spectroscopy : Application of valence band and core-level spectroscopy to materials science (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Kobayashi
  • 雑誌名: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 547 ページ: 98-112
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Evidence for Suppressed Screening on the Surface of High Temperature La_<2-x>Sr_xCuO_4 and Nd_<2-x)Ce_xCuO_4 Superconductors (2005)
  • 著者名/発表者名: M.Taguchi, A.Chainani, K.Horiba, Y.Takata, M.Yabashi, K.Tamasaku, Y.Nishino, et al.
  • 雑誌名: Physical Review Letters 95
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Bulk screening in core-level photoemission from Mott-Hubbard and charge-transfer systems (2005)
  • 著者名/発表者名: M.Taguchi, A.Chainani, N.Kamakura, K.Horiba, Y.Takata, M.Yabashi, K.Tamasaku, Y.Nishino, D.Miwa, T.Ishikawa, S.Shin, E.Ikenaga, T.Yokoya, K.Kobayashi, T.Mochiku, K.Hirata, K.Motoya
  • 雑誌名: Physical Review B 71
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Interface reaction of poly-Si/high-k insulator systems studied by hard X-ray photoemission spectroscopy (2005)
  • 著者名/発表者名: E.Ikenaga, I.Hirosawa, A.Kitano, Y.Takata, A.Muto, T.Maeda, K.Torii, H.Kitajima, T.Arikado, A.Takeuchi, M.Awaji, K.Tamasaku, T.Ishikawa, S.Komiya, K.Kobayashi
  • 雑誌名: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 144-147 ページ: 491-494
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Temperature-induced valence transition in EuNi_2(Si_<0.20>Ge_<0.30>)_2 studied by hard X-ray photoemission spectroscopy (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Yamamoto, N.Kamakura, M.Taguchi, A.Chainani, Y.Takata, K.Horiba, S.Shin, E.Ikenaga, K.Mimura, M.Shiga, H.Wada, H.Namatame, M.Taniguchi, M.Awaji, A.Takeuchi, Y.Nishino, D.Miwa, K.Tamasaku, T.Ishikawa, K.Kobayashi
  • 雑誌名: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 144-147 ページ: 553-555
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Hard X-ray photoemission study of Mn 2p core-levels of La_<1-x>Sr_xMnO_3 thin films (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Horiba, M.Taguchi, N.Kamakura, K.Yamamoto, A.Chainani, Y.Takata, E.Ikenaga, H.Namatame, M.Taniguchi, M.Awaji, A.Takeuchi, D.Miwa, Y.Nishino, K.Tamasaku, T.Ishikawa, H.Kumigashira, M.Oshima, M.Lippmaa, M.Kawasaki, H.Koinuma, K.Kobayashi, S.Shin
  • 雑誌名: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 144-147 ページ: 557-559
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Electronic structure of the Gal-xCrxN studied by high-energy photoemission spectroscopy (2005)
  • 著者名/発表者名: J.J.Kim, H.Makino, T.Yao, Y.Takata, K.Kobayashi, T.Yamamoto, T.Hanada, M.W.Cho, E.Ikenaga, M.Yabashi, D.Miwa, Y.Nishino, K.Tamasaku, T.Ishikawa, S.Shin
  • 雑誌名: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 144-147 ページ: 561-564
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Hard X-ray core level photoemission of vanadium oxides (2005)
  • 著者名/発表者名: N.Kamakura, M.Taguchi, K.Yamamoto, K.Horiba, A.Chainani, Y.Takata, E.Ikenaga, H.Namatame, M.Taniguchi, M.Awaji, A.Takeuchi, K.Tamasaku, Y.Nishino, D.Miwa, T.Ishikawa, Y.Ueda, K.Kobayashi, S.Shin
  • 雑誌名: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 144-147 ページ: 841-843
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] A novel probe of intrinsic electronic structure : hard X-ray photoemission spectroscopy (2005)
  • 著者名/発表者名: Y.Takata, K.Tamasaku, Y.Nishino, D.Miwa, M.Yabashi, E.Ikenaga, K.Horiba, M.Arita, K.Shimada, H.Namatame, H.Nohira, T.Hattori, S.Sodergren, B.Wannberg, M.Taniguchi, S.Shin, T.Ishikawa, K.Kobayashi
  • 雑誌名: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 144-147 ページ: 1063-1065
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Development of hard X-ray photoelectron spectroscopy at BL29XU in SPring-8 (2005)
  • 著者名/発表者名: Y.Takata, M.Yabashi, K.Tamasaku, Y.Nishino, D.Miwa, T.Ishikawa, E.Ikenaga, K.Horiba, S.Shin, M.Arita, K.Shimada, H.Namatame, M.Taniguchi, H.Nohira, T.Hattori, S.Sodergren, B.Wannberg, K.Kobayashi
  • 雑誌名: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 547 ページ: 50-55
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Evidence for Suppressed Screening on the Surface of High Temperature La_<2-x>Sr_xCuO_4 and Nd_<2-x>Ce_xCuO_4 Superconductors (2005)
  • 著者名/発表者名: M.Taguchi, A.Chainani, K.Horiba, Y.Takata, M.Yabashi, K.Tamasaku, Y.Nishino, D.Miwa, T.Ishikawa, T.Takeuchi, K.Yamamoto, M.Matsunami, S.Shin, T.Yokoya, E.Ikenaga, K.Kobayashi, T.Mochiku, K.Hirata, J.Hori, K.Ishii, F.Nakamura, T.Suzuki
  • 雑誌名: Physical Review Letters 95
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] A novel probe of intrinsic electronic structure : hard X-ray photoemission spectroscopy (2005)
  • 著者名/発表者名: Y.Takata, K.Tamasaku, Y.Nishino, D.Miwa, M.Yabashi, E.Ikenaga, K.Horiba, M.Arita, K.Shimada, H.Namatame, H.Nohira, T.Hattori, S.Sodergren, B.Wannberg et al.
  • 雑誌名: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 144-147 ページ: 1063-1065
• [雑誌論文] Development of hard X-ray photoelectron spectroscopy at BL29XU in SPring-8 (2005)
  • 著者名/発表者名: Y.Takata, M.Yabashi, K.Tamasaku, Y.Nishino, D.Miwa, T.Ishikawa, E.Ikenaga, K.Horiba, S.Shin, M.Arita, K.Shimada, H.Namatame, M.Taniguchi, H.Nohira et al.
  • 雑誌名: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 547 ページ: 50-55
• [雑誌論文] Evidence for Suppressed Screening on the Surface of High Temperature La_<2-x>Sr_xCuO_4 and Nd_<2-x>Ce_xCuO_4 Superconductors (2005)
  • 著者名/発表者名: M.Taguchi, A.Chainani, K.Horiba, Y.Takata, M.Yabashi, K.Tamasaku, Y.Nishino, D.Miwa, T.Ishikawa, T.Ishikawa, T.Takeuchi, K.Yamamoto, M.Matsunami, S.Shin et al.
  • 雑誌名: Physical Review Letters 95
• [雑誌論文] Thermal Stability of LaO_x/Si Interfacial Transition Layer (2005)
  • 著者名/発表者名: H.Nohira, T.Yoshida, H.Okamoto, Ng Jin Aun, Y.Kobayashi, S.Ohmi, H.Iwai, E.Ikenaga, K.Kobayashi, Y.Takata, T.Hattori
  • 雑誌名: ECS Transactions 1 ページ: 87-95
• [雑誌論文] Characterization of Oxide Films on SiC Epitaxial (000-1) Faces by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy Measurements using Synchrotron Radiation (2005)
  • 著者名/発表者名: Y.Hijikata, H.Yaguchi, S.Yoshida, Y.Takata, K.Kobayashi, S.Shin, H.Nohira, T.Hattori
  • 雑誌名: Materials Science Forum 483-485 ページ: 585-588
• [雑誌論文] Determination of electron escape depth in ultrathin silicon oxide (2005)
  • 著者名/発表者名: H.Nohira, H.Okamoto, K.Azuma, Y.Nakata, E.Ikenaga, K.Kobayashi, Y.Takata, S.Shin, T.Hattori
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 86・8
• [雑誌論文] Atomic-scale depth profiling of composition, chemical structure and electronic band structure of La_2O_3/Si(100) interfacial transition layer (2004)
  • 著者名/発表者名: H.Nohira, T.Shiraishi, K.Takahashi, I.Kashiwagi, C.Ohshima, S.Ohmi, et al.
  • 雑誌名: Applied Surface Science 234 ページ: 493-496
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Composition, chemical structure, and electronic band structure of rare earth oxide/Si(100) interfacial transition layer (2004)
  • 著者名/発表者名: T.Hattori, T.Yoshida, T.Shiraishi, K.Takahashi, H.Nohira, S.Joumori, et al.
  • 雑誌名: Microelectronic Engineering 72 ページ: 283-287
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Bulk electronic structure of Na_<0.35>CoO_2・1.3H_2O (2004)
  • 著者名/発表者名: A.Chainani, T.Yokoya, Y.Takata, K.Tamasaku, M.Taguchi, T.Shimojima, N.Kamakura, K.Horiba, et al.
  • 雑誌名: Physical Review B 69
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Temperature dependence of the electronic states of Kondo semiconductor YbB_<12> (2004)
  • 著者名/発表者名: Y.Takeda, M.Arita, M.Higashiguchi, K.Shimada, M.Sawda, H.Sato, et al.
  • 雑誌名: Physica B 351 ページ: 286-288
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Temperature dependence of the electronic states of Kondo semiconductor YbB_<12> (2004)
  • 著者名/発表者名: H.Sato, K.Shimada, M.Arita, Y.Takeda, M.Sawada, M.Nakatake, K.Yoshikawa, et al.
  • 雑誌名: Physica B 351 ページ: 298-300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] A probe of intrinsic valence band electronic structure : Hard x-ray photoemission (2004)
  • 著者名/発表者名: Y.Takata, K.Tamasaku, T.Tokushima, D.Miwa, S.Shin, T.Ishikawa, M.Yabashi, et al.
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 84 ページ: 4310-4312
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Nature of the Well Screened State in Hard X-Ray Mn 2p Core-Level Photoemission Measurements of La_<1-x>Sr_xMnO_3 Films (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Horiba, M.Taguchi, A.Chainani, Y.Takata, E.Ikenaga, D.Miwa, Y.Nishino, et al.
  • 雑誌名: Physical Review Letters 93
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Hybridization of Cr 3d-N 2p-Ga 4s in the wide band・gap diluted magnetic semiconductor Ga_<1-x>Cr_xN (2004)
  • 著者名/発表者名: J.J.Kim, H.Makino, K.Kobayashi, Y.Takata, T.Yamamoto, T.Hanada, et al.
  • 雑誌名: Physical Review B 70
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Hard X-ray core-level photoemission of V_2O_3 (2004)
  • 著者名/発表者名: N.Kamakura, M.Taguchi, A.Chainani, Y.Takata, K.Horiba, K.Yamamoto, K.Tamasaku, et al.
  • 雑誌名: Europhysics Letters 68 ページ: 557-563
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Hard X-ray photoemission Spectroscopy of Temperature-Induced Valence Transition in EuNi_2(Si_<0.20)Ge_<0.80>)_2 (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Yamamoto, M.Taguchi, N.Kamakura, K.Horiba, Y.Takata, A.Chainani, S.Shin, et al.
  • 雑誌名: Journal of Physical Society of Japan 73 ページ: 2616-2619
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Intrinsic Valence Band Study of Molecular-Beam-Epitaxy-Grown GaAs and GaN by High-Resolution Hard X-ray Photoemission Spectroscopy (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Kobayash, Y.Takata, T.Yamamoto, J.J.Kim., H.Makino, K.Tamasaku, M.Yabashi, et al.
  • 雑誌名: Japahese Journal of Applied Physics 43
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Valence Transition of YbInCu_4 Observed in Hard X-Ray Photoemission Spectra (2004)
  • 著者名/発表者名: H.Sato, K.Shimada, M.Arita, F.Hiraoka, K.Kojima, Y.Takeda, K.Yoshikawa, M.Sawada, et al.
  • 雑誌名: Physical Review Letters 93
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Electrical Characteristics for Lu_2O_3 Thin Films Fabricated by E-beam Deposition Method (2004)
  • 著者名/発表者名: S.Ohmi, M.Takeda, H.Ishiwara, H.Iwai
  • 雑誌名: Journal of The Electrochemical Society 151
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Atomic-scale depth profiling of composition, chemical structure and electronic band structure of La_2O_3/Si(100) interfacial transition layer (2004)
  • 著者名/発表者名: H.Nohira, T.Shiraishi, K.Takahashi, I.Kashiwagi, C.Ohshima, S.Ohmi, H.Iwai, S.Joumori, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, T.Hattori
  • 雑誌名: Applied Surface Science 234 ページ: 493-496
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Composition, chemical structure, and electronic band structure of rare earth oxide/Si(100) interfacial transition layer (2004)
  • 著者名/発表者名: T.Hattori, T.Yoshida, T.Shiraishi, K.Takahashi, H.Nohira, S.Joumori, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, I.Kashiwagi, C.Ohshima, S.Ohmi, H.Iwai
  • 雑誌名: Microelectronic Engineering 72 ページ: 283-287
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Bulk electronic structure of Na_<0.35>CoO_2-1.3H_2O (2004)
  • 著者名/発表者名: A.Chainani, T.Yokoya, Y.Takata, K.Tamasaku, M.Taguchi, T.Shimojima, N.Kamakura, K.Horiba, S.Tsuda, S.Shin, D.Miwa, Y.Nishino, T.Ishikawa, M.Yabashi, K.Kobayashi, H.Namatame, M.Taniguchi, K.Takada, T.Sasaki, H.Sakurai, E.Takayama-Muromachi
  • 雑誌名: Physical Review B 69
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Temperature dependence of the electronic states of Kondo semiconductor YbB_<12> (2004)
  • 著者名/発表者名: Y.Takeda, M.Arita, M.Higashiguchi, K.Shimada, M.Sawada, H.Sato, M.Nakatake, H.Namatame, M.Taniguchi, F.Iga, T.Takabatake, Y.Takata, E.Ikenaga, M.Yabashi, D.Miwa, Y.Nishino, K.Tamasaku, T.Ishikawa, S.Shin, K.Kobayashi
  • 雑誌名: Physica B 351 ページ: 286-288
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Hard X-ray photoemission spectroscopy of YbInCu_4 (2004)
  • 著者名/発表者名: H.Sato, K.Shimada, M.Arita, Y.Takeda, M.Sawada, M.Nakatake, K.Yoshikawa, H.Namatame, Y.Takata, K.Kobayashi, E.Ikenaga, S.Shin, M.Yabashi, D.Miwa, Y.Nishino, K.Tamasaku, T.Ishikawa, K.Hiraoka, K.Kojima, M.Taniguchi
  • 雑誌名: Physica B 351 ページ: 298-300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] A probe of intrinsic valence band electronic structure : Hard x-ray photoemission (2004)
  • 著者名/発表者名: Y.Takata, K.Tamasaku, T.Tokushima, D.Miwa, S.Shin, T.Ishikawa, M.Yabashi, K.Kobayashi, J.J.Kim, T.Yao, T.Yamamoto, M.Arita, H.Namatame, M.Taniguchi
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 84 ページ: 4310-4312
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Nature of the Well Screened State in Hard X-Ray Mn 2p Core-Level Photoemission Measurements of La_<1-x>Sr_xMnO_3 Films (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Horiba, M.Taguchi, A.Chainani, Y.Takata, E.Ikenaga, D.Miwa, Y.Nishino, K.Tamasaku, M.Awaji, A.Takeuchi, M.Yabashi, H.Namatame, M.Taniguchi, H.Kumigashira, M.Oshima, M.Lippmaa, M.Kawasaki, H.Koinuma, K.Kobayashi, T.Ishikawa, S.Shin
  • 雑誌名: Physical Review Letters 93
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Hybridization of Cr 3d-N 2p-Ga 4s in the wide band-gap diluted magnetic semiconductor Ga_<1-x>Cr_xN (2004)
  • 著者名/発表者名: J.J.Kim, H.Makino, K.Kobayashi, Y.Takata, T.Yamamoto, T.Hanada, M.W.Cho, E.Ikenaga, M.Yabashi, D.Miwa, Y.Nishino, K.Tamasaku, T.Ishikawa, S.Shin, T.Yao
  • 雑誌名: Physical Review B 70
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Hard X-ray core-level photoemission of V_2O_3 (2004)
  • 著者名/発表者名: N.Kamakura, M.Taguchi, A.Chainani, Y.Takata, K.Horiba, K.Yamamoto, K.Tamasaku, Y.Nishino, D.Miwa, E.Ikenaga, M.Awaji, A.Takeuchi, H.Ohashi, Y.Senba, H.Namatame, M.Taniguchi, T.Ishikawa, K.Kobayashi, S.Shin
  • 雑誌名: Europhysics Letters 68 ページ: 557-563
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Hard X-ray Photoemission Spectroscopy of Temperature-Induced Valence Transition in EuNi_2(Si_<0.20>Ge_<0.30>)_2 (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Yamamoto, M.Taguchi, N.Kamakura, K.Horiba, Y.Takata, A.Chainani, S.Shin, E.Ikanaga, K.Mimura, M.Shiga, H.Wada, H.Namatame, M.Taniguchi, M.Awaji, A.Takeuchi, Y.Nishino, D.Miwa, T.Ishikawa, K.Kobayashi
  • 雑誌名: Journal of Physical Society of Japan 73 ページ: 2616-2619
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Intrinsic Valence Band Study of Molecular-Beam-Epitaxy-Grown GaAs and GaN by High-Resolution Hard X-ray Photoemission Spectroscopy (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Kobayashi, Y.Takata, T.Yamamoto, J.J.Kim., H.Makino, K.Tamasaku, M.Yabashi, D.Miwa, T.Ishikawa, S.Shin, T.Yao
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 43
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Valence Transition of YbInCu_4 Observed in Hard X-Ray Photoemission Spectra (2004)
  • 著者名/発表者名: H.Sato, K.Shimada, M.Arita, K.Hiraoka, K.Kojima, Y.Takeda, K.Yoshikawa, M.Sawada, M.Nakatake, H.Namatame, M.Taniguchi, Y.Takata, E.Ikenaga, S.Shin, K.Kobayashi, K.Tamasaku, Y.Nishino, D.Miwa, M.Yabashi, T.Ishikawa
  • 雑誌名: Physical Review Letters 93
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] X-ray photoelectron spectroscopy study on SiO_2/Si interface structures formed by three kinds of atomic oxygen at 300℃ (2004)
  • 著者名/発表者名: M.Shioji, T.Shiraishi, K.Takahashi, H.Nohira, K.Azuma, Y.Nakata, Y.Takata, S.Shin, K.Kobayashi, T.Hattori
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 84・19 ページ: 3756-3758
• [雑誌論文] Dependence of SiO_2/Si interface structure on low-temperature oxidation process (2004)
  • 著者名/発表者名: T.Hattori, K.Azuma, Y.Nakata, M.Shioji, T.Shiraishi, T.Yoshida, K.Takahashi, H.Nohira, Y.Takata, S.Shin, K.Kobayashi
  • 雑誌名: Applied Surface Science 234・1〜4 ページ: 197-201
  • NAID: 10011880703
• [雑誌論文] Hybridization of Cr3d-N2p-Ga4s in the wide band gap diluted magnetic semiconductor Ga_<1-x>Cr_xN (2004)
  • 著者名/発表者名: J.J.Kim, H.Makino, K.Kobayashi, Y.Takata, T.Yamamoto, T.Hanada, M.W.Cho, E.Ikenaga, M.Yabashi, D.Miwa, Y.Nishino, K.Tamasaku, T.Ishikawa, S.Shin, T.Yao
  • 雑誌名: Physical Review B 70・16
• [雑誌論文] Bulk Electronic Structure of Na_<0.35>Co_<0.13>H_2O (2004)
  • 著者名/発表者名: A.Chainani, T.Yokoya, Y.Takata, K.Tamasaku M.Taguchi T.Shimonima, N.Kmamakura, K.Horiba, S.tsuda, S.Shin D.Miwa, Y.Nishino, T.Ishikawa, M.Yabashi, K.Kobayashi, H.Namatame …… et al.
  • 雑誌名: Physical Review B 69・18
• [雑誌論文] Hard X-ray core-level photoemission of V_2O_3 (2004)
  • 著者名/発表者名: N.Kamakura, M.Taguchi, A.Chainani, Y.Takata, K.Horiba, K.Yamamoto, K.Tamasaku, Y.Nishino, O.Miwa, E.Ikenaga, M.Awaji, A.Takeuchi, H.Ohashi, Y.Senba, H.Namatame, M.Taniguchi ……… et al.
  • 雑誌名: Europhysics Letters 68・4 ページ: 557-563
• [雑誌論文] Intrinsic Valence Band Study of Molecular-Beam-Epitaxy-Grown GaAs and GaN by High-Resolution Hard X-ray Photoemission Spectroscopy (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Kobayashi, Y.Takata, T.Yamamoto, J.J.Kim, H.Makino, K.Tamasaku.M.Yabashi, D.Miwa, T.Ishikawa, S.Shin, T.Yao
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 43・8A
• [雑誌論文] A probe of intrinsic valence band electronic structure : Hard x-ray photoemission (2004)
  • 著者名/発表者名: Y.Takata, K.Tamasaku, T.Tokushima, D.Miwa, T.Ishikawa, M.Yabashi, K.Kobayashi, J.J.Kim, T.Yao, T.Yamamoto, M.Arita, H.Namatame, M.Taniguchi
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 84・21 ページ: 4310-4312
• [雑誌論文] Hard X-ray Photoemission Spectroscopy of Temperature-Induced Valence Transition in EuNi_2(Si_<0.2>Ge_<0.8>)_2 (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Yamamoto, M.Taguchi, N.KamakuraA, K.Horiba, Y.Takata, A.Chainani, S.Shin, E.Ikenaga, K.Mimura, M.Shiga, H.Wada, H.Namatame, M.Taniguchi, M.Awaji.A.Takeuchi ……… et al.
  • 雑誌名: Journal of Phyical Society of Japan 73・10 ページ: 2616-2619
• [雑誌論文] Nature of theWell Screened State in Hard X-Ray Mn 2p Core-Level Photoemission Measurements of La_<1-x>Sr_xMnO_3 Films (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Horiba, M.Taguchi, A.Chainani, Y.Takata, E.Ikenaga, D.Miwa, Y.Nishino.K.Tamasaku, M.Awaji, A.Takeuchi, M.Yabashi, H.Namatame, M.Taniguchi, H.Kumigashira, M.Oshima … et al.
  • 雑誌名: Physical Review Letters 93・23
• [雑誌論文] Valence Transition of YbInCu_4 Observed in Hard X-Ray Photoemission Spectra (2004)
  • 著者名/発表者名: H.Sato, K.Shimada, M.Arita, K.Hiraoka, K.Kojima, Y.Takesa, K.Yoshikawa, M.Sawada, M.Nakatake, H.Namatame, M.Taniguchi, Y.Takata, E.Ikenaga, S.Shin, K.Kobaysahi, K.Tamasaku ……… et al.
  • 雑誌名: Physical Review Letters 93・24 ページ: 246404-246407
• [雑誌論文] Chemical and electronic structures of Lu_2O_3/Si interfacial transition layer (2003)
  • 著者名/発表者名: H.Nohira, T.Shiraishi, T.Nakamura, K.Takahashi, M.Takeda, S.Ohmi, H.Iwai, et al.
  • 雑誌名: Applied Surface Science 216 ページ: 234-238
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Effect of surface treatment of Si substrates and annealing condition on high・k rare earth oxide gate dielectrics (2003)
  • 著者名/発表者名: C.Ohshima, J.Taguchi, I.Kashiwagi, H.Yamamoto, S.Ohmi, H.Iwai
  • 雑誌名: Applied Surface Science 216 ページ: 302-306
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] High resolution-high energy x-ray photoelectron spectroscopy using third-generation synchrotron radiation source, and its application to Si-high k insulator systems (2003)
  • 著者名/発表者名: K.Kobayashi, M.Yabashi, Y.Takata, T.Tokushima, S.Shin, K.Tamasaku, D.Miwa, et al.
  • 雑誌名: Applies Physics Letters 83 ページ: 1005-1007
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] High-energy photoemission spectroscopy of ferromagnetic Ga_1-_xMn_xN (2003)
  • 著者名/発表者名: J.J.Kim, H.Makino, P.P.Chen, T.Hanada, T.Yao, K.Kobayashi, M.Yabashi, Y.Takata, et al.
  • 雑誌名: Materials Science in Semiconductor Processing 6 ページ: 503-506
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Characterization of La_2O_3 and Yb_2O_3 Thin Films for High-k Gate Insulator Application (2003)
  • 著者名/発表者名: S.Ohmi, C.Kobayashi, I.Kashiwagi, C.Ohshima, H.Ishiwara, H.Iwai
  • 雑誌名: Journal of The Electrochemical Society 150
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Pulsed Source MOCVD of high-k dielectric thin films with in-situ monitoring by spectroscopic ellipsometry (2003)
  • 著者名/発表者名: Y.Tsuchiya, M.Endo, M.Kurosawa, R.T.Tung, T.Hattori, et al.
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 42 ページ: 1957-1961
  • NAID: 80015977591
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Chemical and electronic structures of Lu2O3/Si interfacial transition layer (2003)
  • 著者名/発表者名: H.Nohira, T.Shiraishi, T.Nakamura, K.Takahashi, M.Takeda, S.Ohmi, H.Iwai, T.Hattori
  • 雑誌名: Applied Surface Science 216 ページ: 234-238
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Effect of surface treatment of Si substrates and annealing condition on high-k rare earth oxide gate dielectrics (2003)
  • 著者名/発表者名: C.Ohshima, J.Taguchi, I.Kashiwagi, H.Yamamoto, S.Ohmi, H.Iwai
  • 雑誌名: Applied Surface Science 216 ページ: 302-306
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] High resolution-high energy x-ray photoelectron spectroscopy using third-generation synchrotron radiation source, and its application to Si-high k insulator systems (2003)
  • 著者名/発表者名: K.Kobayashi, M.Yabashi, Y.Takata, T.Tokushima, S.Shin, K.Tamasaku, D.Miwa, T.Ishikawa, H.Nohira, T.Hattori, Y.Sugita, O.Nakatsuka, A.Sakai, S.Zaima
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 83 ページ: 1005-1007
  • NAID: 120002338858
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] High-energy photoemission spectroscopy of ferromagnetic Ga_<1-x>Mn_xN (2003)
  • 著者名/発表者名: J.J.Kim, H.Makino, P.P.Chen, T.Hanada, T.Yao, K.Kobayashi, M.Yabashi, Y.Takata, T.Tokushima, D.Miwa, K.Tamasaku, T.Ishikawa, S.Shin, T.Yamamoto
  • 雑誌名: Materials Science in Semiconductor Processing 6 ページ: 503-506
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Pulsed Source MOCVD of high-k dielectric thin films with in-situ monitoring by spectroscopic ellipsometry (2003)
  • 著者名/発表者名: Y.Tsuchiya, M.Endo, M.Kurosawa, R.T.Tung, T.Hattori, S.Oda
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 42 ページ: 1957-1961
  • NAID: 80015977591
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] High Resolution Hard X-ray Photoemission using Synchrotron Radiation as an Essential Tool for Characterization of Thin Solid Films
  • 著者名/発表者名: J.J.Kim, E.Ikenaga, M.Kobata, A.Takeuchi, M.Awaji, H.Makino, P.P.Chen, A.Yamamoto, T.Matsuoka, D.Miwa, Y.Nishino, T.Yamamoto, T.Yao, K.Kobayashi
  • 雑誌名: Applied Surface Science (to be published)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Study of the gate insulator/silicon interface utilizing soft and hard x-ray photoelectron spectroscopy at SPring-8
  • 著者名/発表者名: T.Hattori, H.Nohira, K.Azuma, K.W.Sakai, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, Y.Sugita, E.Ikenaga, K.Kobayashi, Y.Takata, H.Kondo, S.Zaima
  • 雑誌名: Int.J.High Speed Electronics and Systems (to be publised)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [文献書誌] K.Takahashi, H.Nohira, K.Hirose, T.Hattori: "Accurate determination of SiO_2 film thickness by x-ray photoelectron spectroscopy"Applied Physics Letters. 83. 3422-3424 (2003)
• [文献書誌] K.Kobayashi, M.Yabashi, Y.Takata, T.Tokushima, S.Shin, K.Tamasaku, D.Miwa, T.Ishikawa, H.Nohira, T.Hattori, Y.Sugita, O.Nakatsuka, A.Sakai, S.Zaima: "High resolution-high energy x-ray photoelectron spectroscopy using third-generation synchrotron radiation source, and its application to Si-high k insulator systems"Applied Physics Letters. 83. 1005-1007 (2003)
• [文献書誌] T.Hattori, K.Takahashi, M.B.Seman, H.Nohira, K.Hirose, N.Kamakura, Y.Takata, S.Shin, K.Kobayashi: "Chemical and electronic structure of SiO_2/Si interfacial transition layer"Applied Surface Scienece. 212-213. 547-555 (2003)
• [文献書誌] K.Hirose, H.Kitahara, T.Hattori: "Dielectric constant of ultrathin SiO_2 film estimated from the Auger parameter"Physical Review B. 67. 195313-1-195313-5 (2003)
• [文献書誌] M.Shioji, T.Shiraishi, K.Takahashi, H.Nohira, K.Azuma, Y.Nakata, Y.Takata, S.Shin, K.Kobayashi, T.Hattori: "X-ray photoelectron spectroscopy study on SiO_2/Si interface structures formed by three kinds of atomic oxygen at 300℃"Applied Physics Letters. (to be published). (2004)
• [文献書誌] Y.Takata, K.Tamasaku, T.Tokushima, D.Miwa, S.Shin, T.Ishikawa, M.Yabashi, K.Kobayashi, J.J.Kim, T.Yao, T.Yamamoto, M.Arita, H.Namatame, M.Taniguchi: "A probe of intrinsic valence band electronic structure : Hard x-ray photoemission"Applied Physics Letters. (to be published). (2004)