| 研究課題/領域番号 |
15206031
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
室田 淳一 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (70182144)
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| 研究分担者 |
櫻庭 政夫 東北大学, 電気通信研究所, 助教授 (30271993)
竹廣 忍 東北大学, 電気通信研究所, 助手 (70344736)
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| 研究期間 (年度) |
2003 – 2005
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| 研究課題ステータス |
完了 (2005年度)
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| 配分額 *注記 |
49,790千円 (直接経費: 38,300千円、間接経費: 11,490千円)
2005年度: 13,000千円 (直接経費: 10,000千円、間接経費: 3,000千円)
2004年度: 12,610千円 (直接経費: 9,700千円、間接経費: 2,910千円)
2003年度: 24,180千円 (直接経費: 18,600千円、間接経費: 5,580千円)
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| キーワード | IV族半導体 / ヘテロ構造 / 原子層積層 / 人工結晶 / CVD / エピタキシャル成長 / SiGeC / 立体加工 / MBE |
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| 研究概要 |
申請者らが培ってきたCVDにおけるラングミュア型吸着・反応制御技術を駆使して、Si, Ge, C等の異種(ヘテロ)元素を一層ずつ任意に積層するヘテロ積層技術を開発し、これを駆使した新しいIV族半導体原子層積層ヘテロ人工結晶を創成し、その新規物性を明らかにすることを目的として研究を行った。SiGe系IV族半導体(100)表面でのCやNの原子層オーダ反応制御条件と、その上への低温Siエピタキシャル成長条件を見いだし、原子層ドープIV族半導体ヘテロ構造の形成を可能にした。さらに、C原子導入により、Ge表面Si原子層の熱的安定性の向上とSi(100)基板上歪Si_<1-x>Ge_xエピタキシャル薄膜の臨界膜厚増大が可能であることを明らかにした。また、ナノオーダ歪Si_<1-x>Ge_x/Si(100)上のP原子層表面上へのSiエピタキシャル成長時において、Si_2H_6ガスを用いることにより効果的にP原子の表面偏析現象を抑制し、Si/ナノオーダ歪Si_<1-x>Ge_xヘテロ界面近傍に10^<21>cm^<-3>をはるかに超える超高濃度Pドーピングを可能にした。また、低エネルギーECRArプラズマ照射によるSiH_4やGeH_4の表面反応促進による、基板加熱なしでの高平坦なSiや歪Geの高品質エピタキシャル成長、並びにSi(100)面原子層窒化制御とその表面でのSiエピタキシャル成長を実現し、約2nm以内の極薄領域へのN原子層ドーピング(最大窒素濃度2x10^<21>cm^<-3>)に成功した。さらに、Si(100)基板に格子整合した約1nm厚さの歪Ge薄膜のエピタキシャル成長も実現した。以上のように、新規物性発現に必要となる高品質IV族半導体原子層ヘテロ積層膜の実現に関して重要な成果を得た。
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