| 研究課題/領域番号 |
15206071
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
MAARIT Karppinen (KARPPINEN Maarit) 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 助教授 (50334529)
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| 研究分担者 |
松井 良夫 独立行政法人 物質・材料研究機構, 物質研究所, 主席研究員 (80354398)
本橋 輝樹 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 助手 (00323840)
山内 尚雄 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 教授 (50271581)
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| 研究期間 (年度) |
2003 – 2005
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| 研究課題ステータス |
完了 (2005年度)
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| 配分額 *注記 |
41,600千円 (直接経費: 32,000千円、間接経費: 9,600千円)
2005年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2004年度: 13,390千円 (直接経費: 10,300千円、間接経費: 3,090千円)
2003年度: 25,740千円 (直接経費: 19,800千円、間接経費: 5,940千円)
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| キーワード | ハーフメタル / スピンエレクトロニクス / ダブルペロブスカイト酸化物 / トンネル型磁気抵抗 / 混合原子価状態 / メスバウアー分光 / ゾルゲル法 / 複合材料化 |
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| 研究概要 |
本プロジェクトでは、強磁性金属の一種であり100%スピン偏極した電荷キャリアを持つ「ハーフメタル(HM)酸化物」に注目し研究を行った。HM化合物は、磁気記録デバイスに用いられるトンネル型磁気抵抗(TMR)材料への応用が期待されており、現在開発が進んでいる「スピントロニクス」の一分野を形成している。これまでに発見された僅か数種のHM酸化物材料のうち、Bサイトオーダーダブルペロブスカイト(DP)酸化物A_2B'B''O_6(プロトタイプ化合物であるSr_2FeMoO_6を含む)は室温・低磁場(RT-LT)実用化への最有力候補であり、本研究ではこのBサイトオーダーDP酸化物が中心的な役割を演じている。我々は、これらの物質について結晶粒内(intrinsic)及び粒間(extrinsic)の特性制御を行い、RT-LF-TMR材料としての極限性能を引き出すことを研究目的とした。
本研究は次に挙げるような内容を含む。
(i)Sr_2FeMoO_6及びその関連物質における原子レベル(intrinsic)特性の制御
(ii)様々な合成条件を駆使した結晶粒・磁気ドメインサイズの制御
(iii)RT-LF-TMR特性向上のための複合材料化
(iV)新規HMペロブスカイト酸化物の探索
我々の開発した新しい物質テーラリングスキーム-原子レベル〜マクロサイズに渡るintrinsic/extrinsic物質パラメータ操作を含む-はTMR特性向上に極めて有効なことが明らかになり、将来他の材料群への応用も大いに期待できる。
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