| 研究課題/領域番号 |
15300181
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
医用システム
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| 研究機関 | 名古屋工業大学 |
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研究代表者 |
安田 和人 名古屋工業大学, 大学院・工学研究科, 教授 (60182333)
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| 研究分担者 |
ニラウラ マダン (NIRAULA Madan) 名古屋工業大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (20345945)
富田 康弘 浜松ホトニクス株式会社, 電子管技術部, 専任部員
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| 研究期間 (年度) |
2003 – 2005
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| 研究課題ステータス |
完了 (2005年度)
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| 配分額 *注記 |
16,000千円 (直接経費: 16,000千円)
2005年度: 2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
2004年度: 2,800千円 (直接経費: 2,800千円)
2003年度: 11,100千円 (直接経費: 11,100千円)
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| キーワード | 放射線検出器 / テルル化カドミウム / 有機金属気相成長 / 画像検出器 / CdTe / X線検出器 / γ線検出器 / MOVPE / CdZnTe |
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| 研究概要 |
医療用高性能大面積半導体放射線画像検出器の開発を目的として研究を実施し、下記3項目の成果を得た。
1)CdTe/n^+-GaAsヘテロ接合ダイオード検出器の開発
有機金属気相成長法により、n型低抵抗GaAs基板上に成長したp型厚膜CdTe成長層を用いてヘテロ接合型ダイオード放射線検出を製作し、その特性評価を通じて素子構造の最適化と検出特性の改善を行った。製作した検出器によりAm(59keV)のγ線検出に世界に先駆け成功し、エピタキシャル成長層を用いて入射γ線のエネルギー分析能力をもつ検出器が実現できることを実証した。
2)Si基板上へのCdTe層直接成長技術の開発
有機金属気相成長法によるSi基板上へのCdTe層直接成長では、成長の前処理としてSi基板を減圧水素雰囲気でGaAs片と共に熱処理を行い、その後CdTe層を成長することにより、Si基板上に直接単結晶CdTe層が成長できることを見出した。またSi基板上のCdTe成長層を用いた放射線検出器の実現には、高品質厚膜CdTe層が必要であるが、Si基板上に薄膜CdTe層を成長後、薄膜成長層中の歪みを除去し、その後再成長を行うことにより、高品質の厚膜成長層が得られることを確認した。
3)CdTe/n^+-Siヘテロ接合型ダイオード検出器の開発
上記1)及び2)の検討結果を基礎として、n型低抵抗Si基板上に直接成長したCdTe厚膜成長層を用いたダイオード型検出器を製作し、その特性評価を通じて高性能化を検討した。その結果、Si基板上でも良好な電気特性をもつ素子を製作できることを確認した。
以上の検討により、最終目的とする高性能大面積放射線画像検出器実現に不可欠な基礎技術を確立した。
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