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シリコンクラスレートの超伝導とカゴ構造安定性の低温高圧ラマン散乱研究

研究課題

研究課題/領域番号 15340095
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 物性Ⅰ
研究機関岐阜大学

研究代表者

清水 宏晏  岐阜大学, 工学部, 教授 (80023258)

研究分担者 佐々木 重雄  岐阜大学, 工学部, 助教授 (30196159)
久米 徹二  岐阜大学, 工学部, 助手 (30293541)
研究期間 (年度) 2003 – 2004
研究課題ステータス 完了 (2004年度)
配分額 *注記
10,400千円 (直接経費: 10,400千円)
2004年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
2003年度: 8,400千円 (直接経費: 8,400千円)
キーワードシリコンクラスレート / 高圧ラマン散乱 / ゲスト-ホスト相互作用 / 超伝導 / ケージ構造 / ゲスト振動 / ゲストーホスト相互作用
研究概要

この研究の目的は,ダイヤモンド・アンビル・セル(DAC)を用いて,ゲスト-ホストの相互作用を制御する高圧力下のラマン散乱測定により,(1)Ba_8Si_<46>における超伝導出現の起因とみられるSi(20)とSi(24)のカゴ中のBaゲスト原子の局在振動の観測とホストであるSiネットワークの相互作用を評価すること,(2)これらシリコンクラスレート化合物群の各温度及び高圧力域における構造安定性と高圧相転移,またゲスト-ホストの相互作用を明らかにし,未解決の半導体クラスレート化合物群を統一的に理解する基礎物性物理の確立を目指すことである。
-研究成果-
1.シリコンクラスレートのラマン散乱分光では,低波数域40-200cm^<-1>に出現するゲストによるフォノンモードが重要であり,現有のアルゴン気体レーザではこの領域にエミッションが多く存在するため,本補助の主要設備である半導体励起高出力グリーンレーザを用いて,これらの振動モードの観測を行い,典型的シリコンクラスレートBa_8Si_<46>において,世界に先駆けてBa原子の振動を検出した。観測したこの振動数から,超伝導へのBa原子の寄与が評価された。
2.さらに,K_8Si_<46>,I_8Si_<44>I_2,Ba_<24>Si_<100>についても同様の測定を行い,K,I,Ba原子の振動を世界で初めて観測した。
3.また,高圧力下のラマン散乱測定により,ゲスト-ホスト相互作用の評価,圧力誘起の相転移やアモルファス化に伴うケージ構造の安定性を調べた。これらの成果は,裏面の研究発表欄に見られる様に,アメリカのPhys.Rev.Lett.やPhys.Rev.B誌に公刊した。そして,これらの結果は,世界の半導体クラスレートの基礎物性物理研究に多大の寄与が期待される。

報告書

(3件)
  • 2004 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 2003 実績報告書
  • 研究成果

    (18件)

すべて 2005 2004 2003 その他

すべて 雑誌論文 (13件) 文献書誌 (5件)

  • [雑誌論文] High-pressure Raman study of Ba deped type III silicon clathrate Ba_<24>Si_<100> up to 27 GPa2005

    • 著者名/発表者名
      H.Shimizu et al.
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B 71

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] ラマン分光によるシリコンクラスレートのゲストおよびホストの振動と高圧相転移の研究2005

    • 著者名/発表者名
      清水宏晏ら
    • 雑誌名

      日本物理学会誌 60(7月号)

    • NAID

      110002078814

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] High-pressure Raman study of Ba doped type III silicon clathrate Ba_<24>Si_<100> up to 27 GPa2005

    • 著者名/発表者名
      H.Shimizu et al.
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B 71 (No.9)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] High-pressure Raman study of Ba deped type III silicon clathrate Ba24Si100 up to 27 GPa2005

    • 著者名/発表者名
      H.Shimizu et al.
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B 71(in press)

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] ラマン分光によるシリコンクラスレートのゲストおよびホストの振動と高圧相転移の研究2005

    • 著者名/発表者名
      清水 宏晏 ら
    • 雑誌名

      日本物理学会誌 60(印刷中)

    • NAID

      110002078814

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] High-pressure Raman study of potassium doped silicon clathrate K_8Si_<46>2004

    • 著者名/発表者名
      T.Kume et al.
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B 70

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2004 実績報告書 2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] シリコンクラスレート化合物の超高圧ラマン散乱2004

    • 著者名/発表者名
      久米徹二
    • 雑誌名

      高圧力の科学と技術 14

      ページ: 167-172

    • NAID

      10013361965

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] High-pressure Raman study of potassium doped silicon clathrate K_8Si_<46>2004

    • 著者名/発表者名
      T.Kume et al.
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B 70 (No.5)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] シリコンクラスレート化合物の超高圧ラマン散乱2004

    • 著者名/発表者名
      久米 徹二
    • 雑誌名

      高圧力の科学と技術 14

      ページ: 167-172

    • NAID

      10013361965

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] High-pressure Raman Study of Ba Doped Silicon Clathrate2003

    • 著者名/発表者名
      T.Kume et al.
    • 雑誌名

      Phys.Rev.Lett. 90

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2004 実績報告書 2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] High-pressure Raman study of the iodine-doped silicon clathrate I_8Si_<44>I_22003

    • 著者名/発表者名
      H.Shimizu et al.
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B 68

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2004 実績報告書 2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] High-Pressure Raman Study of Ba Doped Silicon Clathrate2003

    • 著者名/発表者名
      T.Kume et al.
    • 雑誌名

      Phys.Rev.Lett. 90 (No.15)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] High-pressure Raman study of the iodine-doped silicon clathratre I_8Si_<44>I_22003

    • 著者名/発表者名
      H.Shimizu et al.
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B 68 (No.21)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Kume et al.: "High-Pressure Raman Study of Ba Doped Silicon Clathrate"Phys.Rev.Lett.. 90・15. 155503/1-155503/4 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] H.Shimizu et al.: "High-pressure Raman study of the iodine-doped silicon clathrate I_8Si_<44>I_2"Phys.Rev.B. 68・21. 212102/1-212102/4 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] T.Kume et al.: "High-Pressure Raman Study of Silicon Clathrates"Second French-Japanese Seminar on Clathrates of Silicon and Related Elements. 8 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] H.Shimizu et al.: "Vibrational and Optical Properties of I_8Si_<44>I_2 clathrate at High-pressures"Second French-Japanese Seminar on Clathrates of Silicon and Related Elements. 10 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] 久米徹二: "シリコンクラスレート化合物の超高圧ラマン散乱"高圧力の科学と技術. (印刷中). (2004)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書

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公開日: 2003-04-01   更新日: 2020-05-15  

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