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III族窒化物系ナノアンテナ・フォトニック結晶を用いた紫外光制御

研究課題

研究課題/領域番号 15360008
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関三重大学

研究代表者

平松 和政  三重大学, 工学部, 教授 (50165205)

研究分担者 三宅 秀人  三重大学, 工学部, 助教授 (70209881)
元垣内 敦司  三重大学, 工学部, 助手 (00303751)
研究期間 (年度) 2003 – 2005
研究課題ステータス 完了 (2005年度)
配分額 *注記
13,400千円 (直接経費: 13,400千円)
2005年度: 1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
2004年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
2003年度: 9,800千円 (直接経費: 9,800千円)
キーワード窒化物半導体 / フォトニック結晶 / ナノアンテナ / 紫外線 / 回折格子 / 電子線リソグラフィ / 反応性イオンエッチング / AlGaNエピタキシャル成長 / 窒化ガリウム / ナノ構造 / 反射防止構造 / 電子ビームリソグタフィ / 自然形成 / 電子ビームリソグラフィ
研究概要

フォトニック結晶は、その内部に波長程度または波長以下のオーダの周期的な屈折率分布を設けた結晶であり、フォトニック結晶が持つ周期性により、光学定数(透過率、反射率、吸収係数などの)や偏波方向の制御の可能性がある。本研究では、ワイドバンドギャップで可視光及び紫外光に対して透明であるため、紫外線の発光や受光デバイス用材料として盛んに研究がなされている窒化物半導体で,フォトニック構造との組み合わせにより紫外光の透過率・反射率の制御および、偏向特性を明らかにして、紫外線受光素子によりナノアンテナの紫外光制御の有効性について検証する。
このような目的の下で、研究を行った結果以下の知見を得ることができた。
(1)反応性イオンエッチングによるGaN及びSiO_2のNanotips作製と可視光の制御
(2)反応性イオンエッチングを用いたSiのピラッミッド構造の作製
(3)AlNのストライプ構造作製と高品質AlGaNエピタキシャル層の作製
(4)GaN及びAlGaNを光吸収層に用いた紫外線受光素子の作製と受光特性評価
(5)電子線リソグラフィ技術によるナノオーダーのパターン作製
(6)電子線リソグラフィを用いた高分子フィルムへの回折格子構造の作製とLED光の面発光化
これらの研究成果を踏まえ、窒化物半導体を用いた発光ダイオードや紫外線受光素子の素子表面にナノフォトニック結晶を作製すれば、紫外光の伝播を制御できる高性能な光デバイスが実現できるものと考えられる。

報告書

(4件)
  • 2005 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 2004 実績報告書
  • 2003 実績報告書
  • 研究成果

    (36件)

すべて 2006 2005 2004 2003 その他

すべて 雑誌論文 (35件) 文献書誌 (1件)

  • [雑誌論文] Enhance emission efficiency of InGaN films with Si doping2006

    • 著者名/発表者名
      Dabing Li
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (C) (印刷中)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Fabrication of thick AlN film by low pressure hydride vaporphase epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      Yu-Huai Liu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) (印刷中)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] n-type conductivity control of AlGaN with high Al mole fraction2006

    • 著者名/発表者名
      Takuya Katsuno
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) (印刷中)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Influence of Si doping on the optical and structural properties of InGaN films2006

    • 著者名/発表者名
      Dabing Li
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 290

      ページ: 374-378

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Enhancement of blue emission from Mg-doped GaN activated at low temperature in O_2/N_2 mixture2006

    • 著者名/発表者名
      Dabing Li
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) (印刷中)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] ファセット制御技術による高品質窒化物半導体の作製2006

    • 著者名/発表者名
      三宅秀人
    • 雑誌名

      応用物理 第75巻 第4号

      ページ: 467-472

    • NAID

      10017541097

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Enhanced emission efficiency of InGaN films with Si doping2006

    • 著者名/発表者名
      D.Li et al.
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) (to be published)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Fabrication of thick MN film by low pressure hydride vaporphase epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      Y.H.Liu et al.
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) (to be published)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] n-type conductivity control of AlGaN with high Al mole fraction2006

    • 著者名/発表者名
      T.Katsuno et al.
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) (to be published)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Influence of Si doping on the optical and structural properties of InGaN films2006

    • 著者名/発表者名
      D.Li et al.
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 290

      ページ: 374-378

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Enhancement of blue emission from Mg-doped GaN activated at low temperature in O_2/N_2 mixture2006

    • 著者名/発表者名
      D.Li et al.
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) (to be published)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Fabrication of high-quality nitride semiconductors by facet control technique2006

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      OYO BUTURI (in Japanese) Vol.75, No.48

      ページ: 467-472

    • NAID

      10017541097

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Freestanding GaN substrate by advanced FACELO technique with masking side-facets2005

    • 著者名/発表者名
      Shinya Bohyama
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.44

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Growth of thick AlN layer by hydride vapor phase epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      Yu-Huai Liu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.44

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] High quality AlGaN/AlN superlattices grown on AlN/sapphire template by MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      Yu-Huai Liu
    • 雑誌名

      Institute of Physics Conference Series No.184

      ページ: 247-250

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Reduction of dislocation density in AlGaN with high AlN molar fraction by using a rugged AlN epilayer2005

    • 著者名/発表者名
      Akira Ishiga
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings Vol.831

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization of UV Schottky detectors by using a freestanding GaN substrates2005

    • 著者名/発表者名
      Yasuhiro Shibata
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings Vol.831

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Freestanding GaN substrate by advanced FACELO technique with masking side-facets2005

    • 著者名/発表者名
      S.Bohyama et al.
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physic Vol.44

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Growth of thick AlN layer by hydride vapor phase epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      Y.H.Liu et al.
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.44

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] High quality AlGaN/AlN superlattices grown on AlN/sapphire template by MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      Y.H.Liu et al.
    • 雑誌名

      Institute of Physics Conference Series No.184

      ページ: 247-250

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Reduction of dislocation density in AlGaN with high AlN molar fraction by using a rugged AlN epilayer2005

    • 著者名/発表者名
      A.Ishiga et al.
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings Vol.831

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization of UV Schottky detectors by using a freestanding GaN substrates2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Shibata et al.
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings Vol.831

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Growth of Thick AlN Layer by Hydride Vapor Phase Epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      Y.H.Liu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.44, No.17

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] High Quality AlGaN/AlN Superlattices grown on AlN/Sapphire Template by MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      Y.H.Liu
    • 雑誌名

      Institute of Physics Conference Series No.184

      ページ: 247-250

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] Reduction of dislocation density in AlGaN with high AlN molar fraction by using a rugged AlN epilayer2005

    • 著者名/発表者名
      A.Ishiga
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings Vol.831

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization of UV Schottky detectors by using a free standing GaN substrate2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Shibata
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings Vol.831

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] Reduction of dislocation density in AlGaN with high AlN molar fraction by using a rugged AlN epilayer2005

    • 著者名/発表者名
      A.Ishiga, T.Onishi, Y.LIU, M.Haraguchi, N.Kuwano, T.Shibata, M.Tanaka, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 831

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization of UV Schottky detectors by using a freestanding GaN substrate2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Shibata, A.Motogaito, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Ohuchi, H.Okagawa, K.Tadatomo, T.Nomura, Y.Hamamura, K.Fukui
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 831

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Freestanding GaN substrate by Advanced FACELO Technique with Masking Side-facets2005

    • 著者名/発表者名
      Shinya Bohyama, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Yoshihiko Tsuchida, Takayoshi Maeda
    • 雑誌名

      Japan Journal of Applied Physics 44

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Characterization of III-nitride base Schottky detectors with wide detectable wavelength range (360-10 nm) using Synchrotron Radiation2004

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Motogaito
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings Vol.798

      ページ: 53-58

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Characterization of III-nitride based Schottky detectors with wide detectable wavelength range (360-10 nm) using Synchrotron Radiation2004

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Motogaito et al.
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings Vol.798

      ページ: 53-58

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Characterization of III-nitride Based Schottky UV Detectors with Wide Detectable Wavelength Range (360-10nm) using Synchrotron Radiation2004

    • 著者名/発表者名
      A.Motogaito, K.Hiramatsu, Y.Shibata, H.Watanabe, H.Miyake, K.Fukui, Y.Ohuchi, K.Tadatomo, Y.Hamamura
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 798

      ページ: 53-58

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] High performance of Schottky detectors (265-100 nm) using n-Al_<0.5>Ga_<0.5>N on AlN epitaxial layer2003

    • 著者名/発表者名
      Hideto Miyake
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (a) Vol.200, No.1

      ページ: 151-154

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] High performance of Schottky detectors (265-100 nm) using n-Al_<0.5>Ga_<0.5>N on AlN epitaxial layer2003

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake et al.
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (a) Vol.200, No1

      ページ: 151-154

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] High Quality AlGaN/AlN Superlattices grown on AlN/Sapphire Template by MOVPE

    • 著者名/発表者名
      Y.H.Liu, A.Ishiga, T.Ohnishi, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Shibata, M.Tanaka
    • 雑誌名

      Compound Semiconductors (In press)

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [文献書誌] H.Miyake, H.Yasukawa, Y.Kida, K.Ohta, Y.Shibata, A.Motogaito, K.Hiramatsu, Y.Ohuchi, K.Tadatomo, Y.Hamamura, K.Fukui: "High performance of Schottky detectors(265-100nm) using n-Al_<0.5>Ga_<0.5>N on AlN epitaxial layer"Physica Status Solidi(a). 200,No1. 151-154 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書

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公開日: 2003-04-01   更新日: 2016-04-21  

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