| 研究課題/領域番号 |
15360166
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 神戸大学 |
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研究代表者 |
喜多 隆 神戸大学, 工学部, 助教授 (10221186)
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| 研究分担者 |
和田 修 神戸大学, 工学部, 教授 (90335422)
中田 義昭 富士通研究所, フォトノベルテクノロジ研究部, 主任研究員
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| 研究期間 (年度) |
2003 – 2004
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| 研究課題ステータス |
完了 (2004年度)
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| 配分額 *注記 |
12,000千円 (直接経費: 12,000千円)
2004年度: 5,100千円 (直接経費: 5,100千円)
2003年度: 6,900千円 (直接経費: 6,900千円)
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| キーワード | 量子ドット / 偏光制御 / 光増幅器 / 分子線エピキタシー / フォトルミネセンス / 顕微分光 / 分子線エピタキシー |
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| 研究概要 |
光増幅デバイスは光通信における光源レーザ、光ファイバ、受光デバイスを機能的に融合させるキーデバイスである。特に半導体光増幅(Semiconductor Optical Amplifier : SOA)デバイスは半導体の自在なバンド構造設計技術を生かして多波長光通信に適している。しかし、SOAには増幅特性に偏光異方性がありデバイス構成上大きな制約を受け、利用の用途が限定されている。これを克服するためには偏光に無依存な吸収端の実現が不可欠であるが未だ実現されていない。本研究では偏光無依存基礎吸収端の実現を目指して量子ドットの形状と光学遷移の偏光異方性の関係に着目した研究を行った結果、量子ドットの基礎吸収端偏光特性を決めている重要な制御因子が明らかになり、偏光特性を自在に制御して偏光無依存SOAに必要な理想的な基礎吸収端を実現するに至った。詳細は以下の通りである。
(1)量子ドット形状の精密な制御を実現
形状制御量子ドット作製のためにコラムナ量子ドット成長技術と研究代表者らが行ってきた2次元ぬれ層の原子レベルの制御による新しい量子ドット成長技術を融合させ、スタックによってドット形状のアスペクト比を自在に制御することに成功した。
(2)量子ドットの内部歪み制御
量子ドットを窒化する技術を初めて開発し、ドット内に加わるの歪み制御を行った。
これら一連の研究よって下記の成果を達成した:
●新しいコラムナ量子ドットによるドット形状と内部ひずみ制御による電子状態の制御
●光通信帯域のバンドギャップと偏光制御の同時実現
●量子ドットの不均一広がりを利用したワイドバンドな偏光無依存特性の実現
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