| 研究課題/領域番号 |
15360191
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
|
|---|
| 研究機関 | 奈良先端科学技術大学院大学 |
|---|
研究代表者 |
冬木 隆 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 教授 (10165459)
|
|---|
| 研究分担者 |
浦岡 行治 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助教授 (20314536)
畑山 智亮 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助手 (90304162)
矢野 裕司 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助手 (40335485)
山下 一郎 松下電器産業株式会社, 先端技術研究所, 主幹技師
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2003 – 2004
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2004年度)
|
| 配分額 *注記 |
15,100千円 (直接経費: 15,100千円)
2004年度: 6,700千円 (直接経費: 6,700千円)
2003年度: 8,400千円 (直接経費: 8,400千円)
|
|---|
| キーワード | バイオナノプロセス / 自己組織化 / ボトムアップ / バイオミネラリゼーション / 量子ドット / フローティングゲートトランジスタ / フェリチンタンパク / フローティグゲートトランジスタ |
|---|
| 研究概要 |
我々はナノドットの作製と機能素子への応用をめざした研究を展開してきた。昨年は、ナノドットをシリコン酸化膜に埋め込んで、電子の充放電を確認した。容量特性、電流特性から電子がナノドットに閉じ込められていることを確認することができた。本年度はさらに、ナノドットをトランジスタのゲート絶縁膜に埋め込んだナノドットフローティングゲートメモリを試作し、メモリ効果を評価した。ソースドレインの形成されたシリコン基板に熱酸化膜を形成し、ナノドットを堆積した。CVDシリコン酸化膜を用いて、ドットを埋め込みTiをゲートメタルとして、n型MOSトランジスタを試作した。伝達特性では、ゲート電圧のスイープ方向により大きなヒステリシスを確認することができた。正の電圧を印加することにより、ドットに電子が充電され、逆にゲートを負の方向に掃引することにより電子が放電されたためであると考えられた。比較のために作製されたドットなしのMOSFETでは、全くヒステリシスが確認されなかったことから、電子がドットに充放電されていることが推察された。
さらに球殻状タンパク質であるフェリチンをフローティングドットとして利用することを検討した。コアが絶縁性の酸化物として内包されているため、ナノドットとして利用するためにはコアを還元し、導電性化することが重要となる。そこで、この絶縁性Feコア上に非晶質Si薄膜を堆積し、熱処理による還元を試みた。熱処理後のXPSスペクトルにおいては還元を示唆する信号を検出することに成功した。
本研究によって、フェリチンナノドットの作製に成功し、機能素子への応用の可能性を確認することができた。
|
