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真空紫外光CVDによる次世代積層型システムLSI作製用要素プロセス技術の開発

研究課題

研究課題/領域番号 15360194
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子デバイス・電子機器
研究機関宮崎大学

研究代表者

亀山 晃弘 (2005)  宮崎大学, 工学部, 助手 (00264367)

黒澤 宏 (2003-2004)  宮崎大学, 工学部, 教授 (80109892)

研究分担者 横谷 篤至  宮崎大学, 工学部, 助教授 (00183989)
亀山 晃弘  宮崎大学, 工学部, 助手 (00264367)
研究期間 (年度) 2003 – 2005
研究課題ステータス 完了 (2005年度)
配分額 *注記
14,400千円 (直接経費: 14,400千円)
2005年度: 2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
2004年度: 5,000千円 (直接経費: 5,000千円)
2003年度: 7,200千円 (直接経費: 7,200千円)
キーワード真空紫外光CVD / 積層型システムLSI / フェムト秒レーザー / 真空紫外光 / エキシマランプ / 光CVD / 半導体絶縁膜 / System in Package / 真空紫外 / Sip / システムLSI
研究概要

現在の高度情報化社会において、システムLSIの更なる高性能化が求められている。従来よりLSIの高密度、小型化の技術研究開発が進められている。更なる高密度化のためには、2次元の集積回路ではなく、3次元方向すなわち積層型の集積回路を作製する必要がある。特に複数の機能を1つのチップに纏めた積層型システムLSIの作製技術を確立することは極めて重要である。
次世代積層型システムLSIを作製するためには、積層間つまり垂直方向の配線作製技術が最も重要である(平面方向の配線作製技術は既に確立されている)。平面LSI基板に貫通孔を開けて配線をおこなうが、その際配線の周りを絶縁する必要がある。システムLSIの垂直方向貫通孔の深さは数10〜100μm程度であり、均一で絶縁特性に優れた絶縁膜を作製することは、従来技術では困難であった。我々は、有機シリコン化合物を真空紫外光によって光分解することにより、酸化シリコン薄膜を作製する技術(真空紫外光CVD法)を開発した。この方法では、光が入っていく場所であれば、薄膜を作製することが出来るので、システムLSIの深い垂直方向貫通孔に絶縁膜を堆積させることが可能である。そこで本研究では真空紫外光CVD法を用いて次世代積層型システムLSI製作用要素プロセス技術の開発を行った。
H15年度には、プラズマエッチング装置を製作した。H16〜H17年度には、プラズマエッチング法によってSi基板又は石英ガラス基板に作製した深さ5-50μm、直径5-50μmの垂直孔の側面に、真空紫外光CVDによって絶縁薄膜を堆積させた。ガス種、ガス流量、照射する真空紫外光の波長に対して、どのような薄膜が堆積するかを調べた。結果、原料ガスはTMCTSで、波長126nmの真空紫外光で光分解することにより、密着性の高い均一な膜を作製できた。更にフェムト秒レーザーを用いた貫通孔作製技術の開発も行った。

報告書

(4件)
  • 2005 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 2004 実績報告書
  • 2003 実績報告書
  • 研究成果

    (58件)

すべて 2005 2004 2003 その他

すべて 雑誌論文 (48件) 産業財産権 (4件) 文献書誌 (6件)

  • [雑誌論文] Analysis of the photochemical reaction on the surface for room temperature deposition of SiO2 thin films by photo-CVD using vacuum ultraviolet light2005

    • 著者名/発表者名
      A.Yokotani, K.Amari, Y.Maezono, K.Toshikawa, K.Kurosawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 44,2

      ページ: 1019-1021

    • NAID

      130004533297

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 実績報告書 2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Time-resolving image analysis of drilling of thin silicon substrates with femtosecond laser ablation2005

    • 著者名/発表者名
      A.Yokotani, T.Mukumoto, Y.Kanamitsu, H.Fukumoto, K.Kurosawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 44,11

      ページ: 7998-8003

    • NAID

      10016871257

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 実績報告書 2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Amorphous silicon film deposition from SiH4 by chemical vapor deposition with argon excimer lamp2005

    • 著者名/発表者名
      K.Toshikawa, A.Yokotani, K.Kurosawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 44,11

      ページ: 7785-7788

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 実績報告書 2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] 高エネルギー及び高輝度光源を用いたマテリアルプロセッシングの研究2005

    • 著者名/発表者名
      亀山 晃弘, 甲藤 正人, 横谷 篤至, 黒澤 宏
    • 雑誌名

      レーザー研究第241回研究会(レーザー応用) RTM-05-3 2

      ページ: 5-10

    • NAID

      10016859040

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Poly-crystallized hydroxyapatite coating deposited by pulsed laser deposition method at room temperature2005

    • 著者名/発表者名
      M..Katto, K.Kurosawa, A.Yokotani, S.Kubodera, A.Kameyama, T.Higashiguchi, T.Nakayama, M.Tsukamoto
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 248,1

      ページ: 365-368

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Applications of OLEDs that use VUV-CVD films2005

    • 著者名/発表者名
      K.Toshikawa, J.Miyano, A.Yokotani, K.Kurosawa, Y Matsumoto
    • 雑誌名

      Journal of the Society for Information Display 13,5

      ページ: 453-457

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Analysis of the photochemical reaction on the surface for room temperature deposition of SiO2 thin films by photo-CVD using vacuum ultraviolet light2005

    • 著者名/発表者名
      A.Yokotani
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 44(2)

      ページ: 1019-1021

    • NAID

      130004533297

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Time-resolving image analysis of drilling of thin silicon substrates with femtosecond laser ablation2005

    • 著者名/発表者名
      A.Yokotani
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 44(11)

      ページ: 7998-8003

    • NAID

      10016871257

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Amorphous silicon film deposition from SiH4 by chemical vapor deposition with argon excimer lamp2005

    • 著者名/発表者名
      K.Toshikawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 44(11)

      ページ: 7785-7788

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Poly-crystallized hydroxyapatite coating deposited by pursed laser deposition method at room temperature2005

    • 著者名/発表者名
      M.Katto
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 248(1)

      ページ: 365-368

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] 高エネルギー及び高輝度光源を用いたマテリアルプロセッシングの研究2005

    • 著者名/発表者名
      亀山 晃弘, 甲藤 正人, 横谷 篤至, 黒澤 宏
    • 雑誌名

      レーザー研究第241回研究会(レーザー応用) RTM-05-32

      ページ: 5-10

    • NAID

      10016859040

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] Poly-crystallized hydroxyapatite coating deposited by pulsed laser deposition method at room temperature2005

    • 著者名/発表者名
      M.Katto, K.Kurosawa, A.Yokotani, S.Kubodera, A.Kameyama, T.Higashiguchi, T.Nakayama, M.Tsukamoto
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 248,1

      ページ: 365-368

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] Applications of OLEDs that use VUV-CVD films2005

    • 著者名/発表者名
      K.Toshikawa, J.Miyano, A.Yokotani, K.Kurosawa Y Matsumoto
    • 雑誌名

      Journal of the Society for Information Display 13,5

      ページ: 453-457

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] Analysis of the Photochemical Reaction on the Surface for Room Temperature Deposition of SiO_2 Thin Films by Photo-CVD using Vacuum Ultraviolet Light2005

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Yokotani
    • 雑誌名

      Jpn.Journal of Applied Physics 44・2

      ページ: 1019-1021

    • NAID

      10014419047

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] 真空紫外光CVDを用いた半導体プロセス低温化技術2005

    • 著者名/発表者名
      横谷 篤至
    • 雑誌名

      電気学会 光・量子デバイス研究会 OQD-04-34

      ページ: 13-18

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Characterization of SiO_2 Films Deposited by VUV-CVD Using OMCTS Precursor2004

    • 著者名/発表者名
      K.Toshikawa, J.Miyano, Y.Yagi, A.Yokotani, K.Kurosawa
    • 雑誌名

      4^<th>-International Symposium on Dry Process 2004 6(5)

      ページ: 341-346

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] シリコン清浄表面上におけるTEOS分子の光分解過程の観測2004

    • 著者名/発表者名
      柳田英明, 上村一秀, 黒澤宏, 横谷篤至
    • 雑誌名

      電気学会論文誌C 124(7)

      ページ: 1410-1415

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] フェムト秒レーザーを用いた半導体関連材料の加工と特性の評価2004

    • 著者名/発表者名
      横谷篤至, 水野俊男, 向本徹, 川原公介, 二宮孝文, 沢田博司, 黒澤宏
    • 雑誌名

      電気学会論文誌C 124(11)

      ページ: 2267-2273

    • NAID

      10013713752

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] 真空紫外光CVDを用いた半導体プロセス低温化技術2004

    • 著者名/発表者名
      横谷篤至, 甘利紘一, 石村想, 黒澤宏, 歳川清彦, 宮野淳一
    • 雑誌名

      電気学会 光・量子デバイス研究会 OQD-04-34

      ページ: 13-18

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Second-order optical nonlinearity and change in refractive index in silica glasses by a combination of thermal poling and x-ray irradiation2004

    • 著者名/発表者名
      A.Kameyama, A.Yokotani, K.Kurosawa
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 248,1

      ページ: 4000-4006

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] 真空紫外エキシマランプ光CVDによるシリカ薄膜常圧形成技術の開発2004

    • 著者名/発表者名
      前園好成, 横谷篤至, 黒澤宏, 菱沼宣是, 松野博光
    • 雑誌名

      レーザー研究 32(1)

      ページ: 54-57

    • NAID

      10011982586

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Applications of OLEDs that use VUV-CVD films2004

    • 著者名/発表者名
      K.Toshikawa
    • 雑誌名

      Journal of the Society for Information Display 13(5)

      ページ: 453-457

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Characterization of SiO_2 Films Deposited by VUV-CVD Using OMCTS Precursor2004

    • 著者名/発表者名
      K.Toshikawa
    • 雑誌名

      4^<th>-International Symposium on Dry Process 2004 6(5)

      ページ: 341-346

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Second-order optical nonlinearity and change in refractive index in silica glasses by a combination of thermal poling and x-ray irradiation2004

    • 著者名/発表者名
      A.Kameyama
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 248(1)

      ページ: 4000-4006

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] フェムト秒レーザーを用いた半導体関連材料の加工と特性の評価2004

    • 著者名/発表者名
      横谷 篤至
    • 雑誌名

      電気学会論文誌C C-124(11)

      ページ: 2267-2273

    • NAID

      10013713752

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] シリコン清浄表面上におけるTEOS分子の光分解過程の観察2004

    • 著者名/発表者名
      横谷 篤至
    • 雑誌名

      電気学会論文誌C C-124(7)

      ページ: 1410-1415

    • NAID

      10013268147

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Second-order Optical nonlinearity and change in refractive index in silica glasses by a combination of thermal poling and x-ray irradiation2004

    • 著者名/発表者名
      亀山 晃弘
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 95(8)

      ページ: 4000-4006

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] 真空紫外エキシマランプ光CVDによるシリカ薄膜常圧形成技術の開発2004

    • 著者名/発表者名
      横谷 篤至
    • 雑誌名

      レーザー研究 32(1)

      ページ: 54-57

    • NAID

      10011982586

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] PLD法によるハイドロキシアパタイト被膜の形成2004

    • 著者名/発表者名
      横谷 篤至
    • 雑誌名

      電気学会 光・量子デバイス研究会 OQD-04-33

      ページ: 7-11

    • NAID

      10025660151

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] 紫外レーザーを用いたファイバーグレーティングセンサの作製と評価特性2004

    • 著者名/発表者名
      亀山 晃弘
    • 雑誌名

      宮崎大学工学部紀要 33

      ページ: 81-86

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] フェムト病レーザーを用いた半導体関連材料の加工と特性の評価2004

    • 著者名/発表者名
      横谷 篤至
    • 雑誌名

      宮崎大学工学部紀要 33

      ページ: 93-99

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] ファイバーグレーティングセンサ反射特性のシミュレーションによる解析2004

    • 著者名/発表者名
      亀山 晃弘
    • 雑誌名

      宮崎大学工学部紀要 33

      ページ: 111-116

    • NAID

      110001150775

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Characteristics of double pulsed femtosecond laser ablation on silicon2003

    • 著者名/発表者名
      T.Ninomiya, H.Sawada, A.Yokotani, K.Kurosawa
    • 雑誌名

      Proc. of The Third Asian Pacific Laser Symposium 2002(APLS2002)

      ページ: 7-10

    • NAID

      10010447130

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Development of Dicing Technique for Thin Semiconductor Substrate With Femtosecond Laser2003

    • 著者名/発表者名
      A.Yokotani, Y.Kurogi, N.Matsuo, K.Kurosawa, K.Kawahara, T.Ninomiya, H.Sawada
    • 雑誌名

      Proc. of The Third Asian Pacific Laser Symposium 2002(APLS2002)

      ページ: 27-30

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Room Temperature Deposition of SiO_2 thin film by Photo-CVD using Vacuum Ultraviolet Light2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Maezono, J.Miyano, A.Yokotani, K.Kurosawa
    • 雑誌名

      Proc. of The Third Asian Pacific Laser Symposium 2002(APLS2002)

      ページ: 127-130

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] フェムト秒レーザを用いた薄板半導体基板の切断加工技術の開発2003

    • 著者名/発表者名
      横谷篤至, 黒木泰宣, 松尾直之, 川原公介, 二宮孝文, 黒澤宏
    • 雑誌名

      電気学会論文誌C 123(2)

      ページ: 216-221

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] フェムト秒レーザアブレーションにおけるレーザ発振条件の加工特性に及ぽす影響2003

    • 著者名/発表者名
      沢田博司, 川原公介, 二宮孝文, 横谷篤至, 黒澤宏
    • 雑誌名

      精密工学会誌 69(1)

      ページ: 83-88

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Atomospheric pressure deposition of silica thin films by photo-CVD using vacuum ultraviolet excimer lamp2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Maezono, K.Nishi, A.Yokotani, K.Kurosawa
    • 雑誌名

      Proc. of Chemical Vapor Deposition XVI and EUROCVD 14 1

      ページ: 596-602

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Growth of orienied LaF_3 thin films on Si (100) substrates by the pulsed laser deposition method2003

    • 著者名/発表者名
      A.Yokotani, T.Ito, A.Sato, K.Kurosawa
    • 雑誌名

      J. Korean Cryst. Growth and Cryst. Technol 13(4)

      ページ: 157-161

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] VUV-CVD法で生成したシリカ膜の電気特性2003

    • 著者名/発表者名
      本山理一, 黒澤宏, 横谷篤至
    • 雑誌名

      電子情報通信学会(エレクトロニクスソサイエティ C) 86(8)

      ページ: 913-919

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] 真空紫外光CVD法による有機シロキサンを用いた酸化膜形成評価2003

    • 著者名/発表者名
      宮野淳一, 黒澤宏, 横谷篤至
    • 雑誌名

      電気学会論文誌C 123(5)

      ページ: 858-863

    • NAID

      130000089275

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Second harmonic generation in high-purity silica glasses by a combination of thermal poling and UV laser pulse irradiation2003

    • 著者名/発表者名
      A.Kameyama, A.Yokotani, K.Kurosawa
    • 雑誌名

      Proc. of The Third Asian Pacific Laser Symposium 2002(APLS2002)

      ページ: 86-89

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Characteristics of double pulsed femtosecond laser ablation on silicon2003

    • 著者名/発表者名
      T.Ninomiya
    • 雑誌名

      Proc.of The Third Asian Pacific Laser Symposium 2002(APLS2002)

      ページ: 7-10

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Development of Dicing Technique for Thin Semiconductor Substrate With Femtosecond Laser2003

    • 著者名/発表者名
      A.Yokotani
    • 雑誌名

      Proc.of The Third Asian Pacific Laser Symposium 2002(APLS2002)

      ページ: 27-30

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Room Temperature Deposition of SiO_2 thin film by Photo-CVD using Vacuum Ultraviolet Light2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Maezono
    • 雑誌名

      Proc.of The Third Asian Pacific Laser Symposium 2002(APLS2002)

      ページ: 127-130

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Atomospheric pressure deposition of silica thin films by photo-CVD using vacuum ultraviolet excimer lamp2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Maezono
    • 雑誌名

      Proc.of Chemical Vapor Deposition XVI and EUROCVD 14 1

      ページ: 596-602

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Growth of oriented LaF_3 thin films on Si(100) substrates by the pursed laser deposition method2003

    • 著者名/発表者名
      A.Yokotani
    • 雑誌名

      J.Korean Cryst.Growth and Cryst.Technol. 13(4)

      ページ: 157-161

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Second harmonic generation in high-purity silica glasses by a combination of thermal poling and UV laser pulse irradiation2003

    • 著者名/発表者名
      A.Kameyama
    • 雑誌名

      Proc.of The Third Asian Pacific Laser Symposium 2002(APLS2002)

      ページ: 86-89

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [産業財産権] プラスチックの表面の改質方法、プラスチック表面のメッキ方法、プラスチック・プラスチック表面改質装置2005

    • 発明者名
      横谷篤至
    • 権利者名
      宮崎大学
    • 産業財産権番号
      2005-098776
    • 出願年月日
      2005-03-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [産業財産権] 被覆の窒化方法2005

    • 発明者名
      黒澤宏, 横谷篤至
    • 権利者名
      宮崎大学
    • 産業財産権番号
      2005-254698
    • 出願年月日
      2005-09-02
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [産業財産権] FBGを用いた歪み計測システム2005

    • 発明者名
      黒澤宏, 横谷篤至, 亀山晃弘
    • 権利者名
      宮崎大学
    • 産業財産権番号
      2005-306487
    • 出願年月日
      2005-10-25
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [産業財産権] FBG製造装置2005

    • 発明者名
      黒澤宏, 横谷篤至, 亀山晃弘
    • 権利者名
      宮崎大学
    • 産業財産権番号
      2005-306488
    • 出願年月日
      2005-10-25
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] 前薗好成, 横谷篤至, 黒澤 宏, 菱沼宣是, 松野博光: "真空紫外エキシマ光CVDによるシリカ薄膜常圧形成技術の開発"レーザー研究. 32・1. 54-57 (2004)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] 本山理一, 黒澤 宏, 横谷篤至: "VUV-CVDで生成したシリカ膜の電気特性"電子情報通信学会論文誌. 86・8. 913-919 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] 横谷篤至, 黒木泰宣, 松尾直之, 沢田博司, 二宮孝文, 川原公介, 他: "時間波形制御したフェムト秒レーザーによる極薄半導体基板のダイシング技術の開発"電気学会誌論文誌C. 123・11. 1977-1981 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] 宮野純一, 横谷篤至, 黒澤 宏: "真空紫外光CVD法による有機シロキサンを用いた酸化膜形成評価"電気学会論文誌C. 123・5. 858-863 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] A.Yokotani, T.Ito, A.Sato, K.Kurosawa: "Growth of Oriented LaF3 Thin films on Si(100) substrats by the Pulsed Laser Deposition Method"Journal of Korean Crystal Growth and Crystal Technology. 13・4. 157-161 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] Y.Maezono, K.Nishi, A.Yokotani, K.Kurosawa: "Atmospheric Pressure Deposition of Siloca Thin Films by Photo CVD using Vacuum Ultraviolet Excimer Lamp"Proc.Chemical Vapor Deposition XVI and Euro-CVD 14. 1. 4830-4833 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書

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公開日: 2003-04-01   更新日: 2016-04-21  

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