ナノ構造をもつ層状強誘電体薄膜を用いた超高蜜度メモリの作製

• 研究課題/領域番号: 15360342
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 無機材料・物性
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 舟窪 浩 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授 (90219080)
• 研究分担者: 水谷 惟恭 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (60016558)
• 研究期間 (年度): 2003 – 2004
• 研究課題ステータス: 完了 (2004年度)
• 配分額: 11,600千円 (直接経費: 11,600千円); 2004年度: 3,700千円 (直接経費: 3,700千円); 2003年度: 7,900千円 (直接経費: 7,900千円)
• キーワード: ナノ構造 / 層状強誘電体薄膜 / 超高密度メモリ / ナノトラック / エピタキシャル成長 / 層状強誘電体 / ドメイン / プローブ

研究概要

層状構造強誘電体は、強誘電体層と絶縁体層が積層した"自然超格子構造"による"ナノ構造"を持っている、この層を分極軸が存在する垂直方向に立てることができれば、厚さ0.4mmの絶縁体に分離された、0.5-2.0nm幅の強誘電体細線(トラック)ができることになる。申請者は薄膜の配向制御について検討した結果、この構造の作製に世界で初めて成功した。細線の一つ一つに情報を書き込むことができると、細線方向を従来の走査型プローブ顕微鏡等による書き込みで行っても、100nm毎の書き込みは十分可能であるので、10Tbit/inch^2以上の超高密度記録が可能となることが示唆された。
初年度は強誘電体を用いた高密度記録媒体を実現することを目指して研究を行った結果、以下の結果を得た。
1)Bi層上強誘電体のうち、層間の8面体の数がそれぞれ2、3および4個のSrBi_2Ta_2O_9,Bi_4Ti_3O_<12>、Sr_4Bi_3Ti_4O_<15>のについて、層を垂直に立てた薄膜の作製に成功した。
2)塩酸によるエッチングを試みた結果、SrBi_2Ta_2O_9のみがBi層を選択的にエッチングできる可能性があることを見出した。
次年度は、強誘電体を用いた高密度記録媒体を実現することを目指して、以下の2点について成果を得た。
3)得られた薄膜の評価およびドメインの書き込みと読み出し評価
得られた薄膜は表面の凹凸が大きく、これは、a/b軸方向の結晶成長速度がc方向より10倍以上大きい結晶異方性に依存していることを明らかにした。また、現状ではプローブを使っての読み書きは可能なものの、書き込みの集積度を上げるためには、平坦な薄膜を得ることが不可欠との結論に至った。
4)配向制御によるドメイン構造の制御
成長させる基板の結晶構造を制御することによって、c軸を面内に配向させた上で(100)/(010),(110),(230)/(320)等の配向が作り分けられることを明らかにした。これによって、ドメインを制御した薄膜作製が可能になった。

研究成果

• [雑誌論文] Selective reaction and chemical anisotropy in epitaxial bismuth layer-structured ferroelectric thin films (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe, H.Funakubo
  • 雑誌名: Journal of Solid State Chemistry, 178 ページ: 64-71
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Structural and Electrical Properties of Polycrystalline Bi_4Nd_xTi_3O_<12> Ferroelectric Thin Films with in-Plane c-Axis Orientations (2005)
  • 著者名/発表者名: H.Matsuda, M.Kurachi, H.Uchida, T.Watanabe, T.Iijima, S.Koda, H.Funakubo
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys., 44(9)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Epitaxial Growth Map for Bi_4Ti_3O_<12> Films : a Determining Factor for Crystal Orientation (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe, H.Funakubo
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys., 44(3) ページ: 1337-1343
  • NAID: 10015594918
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Polarization comparison of Pb(Zr,Ti)O_3 and Bi_4Ti_3O_<12>-based ferroelectrics (2005)
  • 著者名/発表者名: H.Funakubo, T.Watanabe, H.Morioka, A.Nagai, T.Oikawa, M.Suzuki, H.Uchida, S.Kouda, K.Saito
  • 雑誌名: Materials Science and Engineering B, 118 ページ: 23-27
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Selective reaction and chemical anisotropy in epitaxial bismuth layer-structured ferroelectric thin films (2005)
  • 著者名/発表者名: Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo
  • 雑誌名: J.Solid State Chem. 178 ページ: 64-71
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Structural and Electrical Properties of Polycrystalline Bi_<4-x>Nd_xTi_3O_<12> Ferroelectric Thin Films with in-Plane c-Axis Orientations (2005)
  • 著者名/発表者名: Hirofumi Matsuda.Masahiro Kurachi, Hiroshi Uchida, Takayuki Watanabe, Takashi Iijima, Seiichiro Koda, Hiroshi Funakubo
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 44(9)
  • NAID: 10014505851
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Epitaxial Growth Map for Bi_4Ti_3O_<12> Films : a Determining Factor for Crystal Orientation (2005)
  • 著者名/発表者名: Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 44(3) ページ: 1337-1343
  • NAID: 10015594918
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Polarization comparison of Pb(Zr,Ti)O_3 and Bi_4Ti_3 O_<12>-based ferroelectrics (2005)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Funakubo, Takayuki Watanabe, Hitoshi Morioka, Atsushi Nagai, Takahiro Oikawa, Muneyasu Suzuki, Hiroshi Uchida, Seiichiro Kouda, Keisuke Saito
  • 雑誌名: Mater.Sci.Eng.B 118 ページ: 23-27
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Effect of Thermal Strain on Domain Fraction in a-/b-axis-oriented Epitaxial Bi_4Ti_3O_<12> Films (2004)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe, H.Morioka, S.Okamoto, M.Takahashi, Y.Noguchi, M.Miyayama, H.Funakubo
  • 雑誌名: Mater.Res.Soc.Proc. 784
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Spontaneous Polarization of Neodymium-Substituted Bi_4Ti_3O_<12> Estimated from Epitaxially Grown Thin Films with in-Plane c-Axis Orientations (2004)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe, T.Kojima, H.Uchida, I.Okada, H.Funakubo
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 43(2B)
  • NAID: 10012039556
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Charge-Compensative Ion Substitution of La^<3+>-Substituted Bismuth Titanate Thin Films for Enhancement of Remanent Polarization (2004)
  • 著者名/発表者名: H.Uchida, I.Okada, H.Matsuda, T.Iijima, T.Watanabe, H.Funakubo
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 43(5A) ページ: 2636-2639
  • NAID: 10012947616
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Synthesis and Properties of Nd-substituted Bismuth Titanate Polycrystalline Thin Films with Polar-axis Orientation (2004)
  • 著者名/発表者名: M.Kurachi, H.Matsuda, T.Iijima, H.Uchida, S.Koda, T.Watanabe, H.Funakubo
  • 雑誌名: Key.Eng.Mater., 269 ページ: 53-56
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Effect of Thermal Strain on Domain Fraction in a-/b-axis-oriented Epitaxial Bi_4Ti_3O_<12> Films (2004)
  • 著者名/発表者名: Takayuki Watanabe, Hitoshi Morioka, Syoji Okamoto, Masatake Takahashi, Yuji Noguchi, Masaru Miyayama, Hiroshi Funakubo
  • 雑誌名: Mater.Res.Soc.Proc. 784
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Spontaneous Polarization of Neodymiuffl-Substiruted Bi_4Ti_3O_<12> Estimated from Epitaxially Grown Thin Films with in-Plane c-Axis Orientations (2004)
  • 著者名/発表者名: Takayuki Watanabe, Takashi Kojima, Hiroshi Uchida, Isao Okada, Hiroshi Fimakubo
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 43(2B)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Charge-Compensative Ion Substitution of La^<3+>-Substituted Bismuth Titanate Thin Films for Enhancement of Remanent Polarization (2004)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Uchida, Isao Okada, Hirohumi Matsuda, Takashi Iijima, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 43(5A) ページ: 2636-2639
  • NAID: 10012947616
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Synthesis and Properties of Nd-substituted Bismuth Titanate Polycrystalline Thin Films with Polar-axis Orientation (2004)
  • 著者名/発表者名: Masahiro Kurachi, Hirofumi Matsuda, Takashi Iijima, Hiroshi Uchida, Seiichiro Koda, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo
  • 雑誌名: Key.Eng.Mater. 269 ページ: 53-56
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Synthesis and Properties of Nd-substituted Bismuth Titanate Polycrystalline Thin Films with Polar-axis Orientation (2004)
  • 著者名/発表者名: M.Kurachi, H.Matsuda, T.Iijima, H.Uchida, S.Koda, T.Watanabe, H.Funakubo
  • 雑誌名: Key.Eng.Mater. 269 ページ: 53-56
• [雑誌論文] Property Design of Bi_4Ti_3O_<12>-Based Thin Films Using a Site-Engineered Concept (2003)
  • 著者名/発表者名: H.Funakubo, T.Watanabe, T.Kojima, T.Sakai, Y.Noguchi, M.Miyayama, M.Osada, M.Kakihana, K.Saito
  • 雑誌名: J.Crystal Growth 248 ページ: 180-185
  • NAID: 110003311420
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Effect of La Substitution on Electrical Properties of Highly Oriented Bi_4Ti_3O_<12> Films Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition (2003)
  • 著者名/発表者名: T.Sakai, T.Watanabe, H.Funakubo, K.Saito, M.Osada
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 42(1) ページ: 166-169
  • NAID: 80015859063
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Quantitative Effects of Preferred Orientation and Impurity Phases on Ferroelectric Properties of SrBi_2(Ta_<1-x>Nb_x)2O_9 Thin Films by X-Ray Diffraction Reciprocal Space Mapping (2003)
  • 著者名/発表者名: K.Saito, I.Yamaji, T.Akai, M.Mitsuya, H.Funakubo
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 42(2A) ページ: 539-543
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Ferroelectric Properties of Lanthanide-Substituted Bi_4Ti_3O_<12> Epitaxial Thin Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition (2003)
  • 著者名/発表者名: T.Kojima, T.Watanabe, H.Funakubo, K.Saito, M.Osada, M.Kakihana
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 93(3) ページ: 1707-1712
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Long-Range Lattice Matching between (100)/(010) Bismuth-Layered Perovskite Structure and (101) Rutile Structure (2003)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe, K.Saito, M.Osada, T.Suzuki, M.Fujimoto, M.Yoshimoto, A.Sasaki, J.Liu, M.Kakihana, H.Funakubo
  • 雑誌名: Proc.Mater.Res.Soc. 748
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Growth Of Epitaxial Site-Engineered Bi_4Ti_3O_<12>-Based Thin Films by MOCVD and Their Characterization (2003)
  • 著者名/発表者名: H.Funakubo, T.Sakai, T.Watanabe, M.Osada, M.Kakihana, K.Saito, Y.Noguchi, M.Miyayama
  • 雑誌名: Proc.Mater.Res.Soc. 748
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Novel Candidate of c-axis-Oriented BLSF Thin Films for High-Capacitance Condenser (2003)
  • 著者名/発表者名: T.Kojima, Y.Sakashita, T.Watanabe, K.Kato, H.Funakubo
  • 雑誌名: Proc.Mater.Res.Soc. 748
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Enhancement of Remanent Polarization of BIT-Based Thin Films by Ti-Site Substitution Using Ions with Higher Charge Valences (2003)
  • 著者名/発表者名: H.Uchida, I.Okada, H.Matsuda, T.Iijima, T.Watanabe, H.Funakubo
  • 雑誌名: Proc.Mater.Res.Soc. 748
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Crystal Structure and Ferroelectric Property of Tungsten-substituted Bi_4Ti_3O_<12> Thin Films Prepared by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (2003)
  • 著者名/発表者名: T.Sakai, T.Watanabe, M.Osada, M.Kakihana, Y.Noguchi, M.Miyayama, H.Funakubo
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 42(5A) ページ: 2850-2852
  • NAID: 10010716536
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Low Temperature Deposition of Bi_4Ti_3O_<12>-Based Ferroelectric Thin Films Using Site Engineering Concept (2003)
  • 著者名/発表者名: H.Funakubo, T.Sakai, T.Watanabe, T.Kojima, Y.Noguchi, M.Miyayama, M.Osada
  • 雑誌名: "Morphotropic Phase Boundary Perovskites, High Strain Piezoelectrics, and Dielectric Ceramics", Ceramic Transactions, The American Ceramic Society 136 ページ: 407-415
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Bi_<3-x>M_xTiTaO_9(M=La or Nd) Ceramics With High Mechanical Quality Factor Q_m (2003)
  • 著者名/発表者名: M.Suzuki, H.Nagata, J.Ohara, H.Funakubo, T.Takenaka
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 42,1(9B) ページ: 6090-6093
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Capacitor Applications of c-Axis-Oriented Bismuth Layer Structured Ferroelectric Thin Films (2003)
  • 著者名/発表者名: T.Kojima, T.Watanabe, H.Funakubo, Y.Sakashita, T.Oikawa
  • 雑誌名: 27^<th> International Cocoa Beach Conference on Advanced Ceramics and Composites : B, Ceramic Engineering and Science Proceedings, Vol.24, Issue 4, The American Ceramic Society, 24(4) ページ: 57-64
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Fabrication of Ion-Cosubstituted Bismuth Titanate Thin Films by Chemical Solution Deposition Method (2003)
  • 著者名/発表者名: H.Uchida, I.Okada, H.Matsuda, T.Iijima, T.Watanabe, H.Funakubo
  • 雑誌名: Integ.Ferro. 52 ページ: 41-54
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Property Design of Bi_4Ti_3O_<12>-Based Thin Films Using a Site-Engineered Concept (2003)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Funakubo, Takayuki Watanabe, Takashi Kojima, Tomohiro Sakai, Yuji Noguchi, Masaru Miyayama, Minoru Osada, Masato Kakihana, Keisuke Saito
  • 雑誌名: J.Crystal Growth 248 ページ: 180-185
  • NAID: 110003311420
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Effect of La Substitution on Electrical Properties of Highly Oriented Bi_4Ti_3O_<12> Films Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition (2003)
  • 著者名/発表者名: Tomohiro Sakai, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo5 Keisuke Saito, Minoru Osada
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 42(1) ページ: 166-169
  • NAID: 80015859063
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Quantitative Effects of Preferred Orientation and Impurity Phases on Ferroelectric Properties of SrBi_2(Ta_<1-x>Nb_x)_2O_9 Thin Films by X-Ray Diffraction Reciprocal Space Mapping (2003)
  • 著者名/発表者名: Keisuke Saito, Isao Yamaji, Takao Akai, Masatoshi Mitsuya, Hiroshi Funakubo
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 42(2A) ページ: 539-543
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Structural Characterization and 90° Domain Contribution to Ferroelectricity of Epitaxial Pb(Zr_<0.35>,Ti_<0.65>)O_3 Thin Films (2003)
  • 著者名/発表者名: Keisuke Saito, Toshiyuki Kurosawa, Takao Akai, Takahiro Oikawa, Hiroshi Funakubo
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 93(1) ページ: 545-550
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Ferroelectric Properties of Lanthanide-Substituted Bi_4Ti_3O_<12> Epitaxial Thin Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition (2003)
  • 著者名/発表者名: Takashi Kojima, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo, Keisuke Saito, Minoru Osada, Masato Kakihana
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 93(3) ページ: 1707-1712
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Long-Range Lattice Matching between (100)/(010) Bismuth-Layered Perovskite Structure and (101) Rutile Structure (2003)
  • 著者名/発表者名: Takayuki Watanabe, Keisuke Saito, Minoru Osada, Toshimasa Suzuki, Masayuki Fujimoto, Mamoru Yoshimoto, Atsushi Sasaki, Jin Liu, Masato Kakihana, Hiroshi Funakubo
  • 雑誌名: Proe.Mater.Res.Soc. 748
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Growth Of Epitaxial Site-Engineered Bi_4Ti_3O_<12>-Based Thin Films by MOCVD and Their Characterization (2003)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Funakubo, Tomohiro Sakai, Takayuki Watanabe, Minoru Osada, Masato Kakihana, Keisuke Saito, Yuji Noguchi, Masaru Miyayama
  • 雑誌名: Proe.Mater.Res.Soc. 478
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Novel Candidate of c-axis-Oriented BLSF Thin Films for High-Capacitance Condenser (2003)
  • 著者名/発表者名: Takashi Kojima, Yukio Sakashita, Takayuki Watanabe. Kazumi Kato, Hiroshi Funakubo
  • 雑誌名: Proe.Mater.Res.Soc. 748
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Enhancement of Remanent Polarization of BIT-Based Thin Films by Ti-Site Substitution Using Ions with Higher Charge Valences (2003)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Uchida, Isao Okada, Hirofumi Matsuda, Takashi Iijima, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo
  • 雑誌名: Proe.Mater.Res.Soc. 748
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Crystal Structure and Ferroelectric Property of Tungsten-substituted Bi_4Ti_3O_<12> Thin Films Prepared by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (2003)
  • 著者名/発表者名: Tomohiro Sakai, Takayuki Watanabe, Minoru Qsada, Masato Kakihana, Yuji Noguchi, Masaru Miyayama, Hiroshi Funakubo
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 42(5A) ページ: 2850-2852
  • NAID: 10010716536
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Low Temperature Deposition of Bi_4Ti_3O_<12>-Based Ferroelectric Thin Films Using Site Engineering Concept (2003)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Funakubo, Tomohiro Sakai, Takayuki Watanabe, Takashi Kojima, Yuji Noguchi, Masaru Miyayama, Minoru Osada
  • 雑誌名: Ceramic Transactions (136) ページ: 407-415
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Bi_<3-x>M_xTiTaO_9(M=La or Nd) Ceramics With High Mechanical Quality Factor Q_m (2003)
  • 著者名/発表者名: Muneyasu Suzuki, Hajime Nagata, Jin Ohara, Hiroshi Funakubo, Tadashi Takenaka
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 42, 1(9B) ページ: 6090-6093
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Capacitor Applications of c-Axis-Oriented Bismuth Layer Structured Ferroelectric Thin Films (2003)
  • 著者名/発表者名: Takashi Kojima, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo, Yuikio Sakashita, Takahiro Oikawa
  • 雑誌名: Ceramic Engineering and Science 24(4)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Fabrication of Ion-Cosubstituted Bismuth Titanate Thin Films by Chemical Solution Deposition Method (2003)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Uchida, Isao Okada, Hirofumi Matsuda, Takashi Iijima, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo
  • 雑誌名: Integ.Ferro. 52 ページ: 41-54
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Piezoelectric Properties of Lanthanum Modified Bi_3TiTaO_9 Ceramics (2003)
  • 著者名/発表者名: M.Suzuki, H.Nagata, H.Funakubo, T.Takenaka
  • 雑誌名: Key Eng.Mater. 248 ページ: 11-14
• [雑誌論文] Synthesis and Electrical Properties of Sr- and Nb-Cosubstituted Bi_<4-x>Sr_xTi_<3-x>O_<12> Polycrystalline Thin Films (2003)
  • 著者名/発表者名: H.Matsuda, T.Iijima, H.Uchida, I.Okada, T.Watanabe, H.Funakubo, M.Osada, M.Kakihana
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 42, 2(8A)
• [雑誌論文] Low Temperature Deposition of Bi_4Ti_3O_<12>-Based Ferroelectric Thin Films Using Site Engineering Concept (2003)
  • 著者名/発表者名: H.Funakubo, T.Sakai, T.Watanabe, T.Kojima, Y.Noguchi, M.Miyayama, M.Osada
  • 雑誌名: Ceramic Transactions (The American Ceramic Society) 136 ページ: 407-415
• [雑誌論文] Electrical Properties of (Ca,Sr)Bi_4Ti_4O_<15> Thin Films Fabricated Using a Chemical Solution Deposition Method (2003)
  • 著者名/発表者名: H.Uchida, K.Sakurai, I.Okada, H.Matsuda, T.Iijima, T.Kojima, T.Watanabe, H.Funakubo
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 42, 1(9B) ページ: 5990-5993
• [雑誌論文] Bi_<3-x>M_xTiTaO_9(M=La or Nd) Ceramics With High Mechanical Quality Factor Q_m (2003)
  • 著者名/発表者名: M.Suzuki, H.Nagata, J.Ohara, H.Funakubo, T.Takenaka
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 42, 1(9B) ページ: 6090-6093
• [文献書誌] Hiroshi Funakubo, Takayuki Watanabe, Takashi Kojima, Tomohiro Sakai, Yuji Noguchi, masaru Miyayama, Minoru Osada, Masato Kakihana, Keisuke Saito: "Property Design of Bi_4Ti_3O_<12>-Based Thin Films Using a Site-Engineered Concept"J.Crystal Growth. 248. 180-185 (2003)
• [文献書誌] Tomohiro Sakai, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo, Keisuke Saito, Minoru Osada: "Effect of La Substitution on Electrical Properties of Highly Oriented Bi_4Ti_3O_<12> Films Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition"Jpn.J.Appl.Phys.. 42(1). 166-169 (2003)
• [文献書誌] Keisuke Saito, Isao Yamaji, Takao Akai, Masatoshi Mitsuya, Hiroshi Funakubo: "Quantitative Effects of Preferred Orientation and Impurity Phases on Ferroelectric Properties of SrBi_2(Ta_<1-x>Nb_x)_2O_9 Thin Films by X-Ray Diffraction Reciprocal Space Mapping"Jpn.J.Appl.Phys.. 42(2A). 539-543 (2003)
• [文献書誌] Takashi Kojima, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo, Keisuke Saito, Minoru Osada, Masato Kakihana: "Ferroelectric Properties of Lanthanide-Substituted Bi_4Ti_3O_<12> Epitaxial Thin Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition"J.Appl.Phys.. 93(3). 1707-1712 (2003)
• [文献書誌] Takayuki Watanabe, Keisuke Saito, Minoru Osada, Toshimasa Suzuki, Masayuki Fujimoto, Mamoru Yoshimoto, Atsushi Sasaki, Jin Liu, Masato Kakihana, Hiroshi Funakubo: "Long-Range Lattice Matching between (100)/(010) Bismuth-Layered Perovskite Structure and (101) Rutile Structure"Proc.Mater.Res.Soc.. 748. U2.4.1-U2.4.6 (2003)
• [文献書誌] Hiroshi Funakubo, Tomohiro Sasaki, Takayuki Watanabe, Minoru Osada, Masato kakihana, Keisuke Saito, Yuji Noguchi, Masaru Miyayama: "Growth Of Epitaxial Site-Engineered Bi_4Ti_3O_<12>-Based Thin Films by MOCVD and Their Characterization"Proc.Mater.Res.Soc.. 748. U2.2.1-U2.2.6 (2003)
• [文献書誌] Takashi Kojima, Yukio Sakashita, Takayuki Watanabe, Kazumi Kato, Hiroshi Funakubo: "Novel Candidate of c-axis-Oriented BLSF Thin Films for High-Capacitance Condenser"Proc.Mater.Res.Soc.. 748. U15.2,451-U15.2,456 (2003)
• [文献書誌] Hiroshi Uchida, Isao Okada, Hirofumi Matsuda, Takashi Iijima, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo: "Enhancement of Remanent Polarization of BIT-Based Thin Films by Ti-Site Substitution Using Ions with Higher Charge Valences"Proc.Mater.Res.Soc.. 748. U12.1.1-U12.1.11 (2003)
• [文献書誌] Tomohiro Sakai, Takayuki Watanabe, Minoru Osada, Masato Kakihana, Yuji Noguchi, Masaru Miyayama, Hiroshi Funakubo: "Crystal Structure and Ferroelectric Property of Tungsten-substituted Bi_4Ti_3O_<12> Thin Films Prepared by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition"Jpn.J.Appl.Phys.. 42(5A). 2850-2852 (2003)