| 研究課題/領域番号 |
15550157
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
機能材料・デバイス
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| 研究機関 | 名古屋工業大学 |
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研究代表者 |
青木 純 名古屋工業大学, 工学研究科, 助教授 (50250709)
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| 研究期間 (年度) |
2003 – 2005
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| 研究課題ステータス |
完了 (2005年度)
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| 配分額 *注記 |
3,800千円 (直接経費: 3,800千円)
2005年度: 700千円 (直接経費: 700千円)
2004年度: 700千円 (直接経費: 700千円)
2003年度: 2,400千円 (直接経費: 2,400千円)
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| キーワード | ポリヘキシルチオフェン / 正孔注入層 / 有機EL素子 / ラングミュア-ブロジェット膜 / 共役系高分子 / π共役系高子 / ラングミュア-プロジェット法 / 両親媒性高分子 / 有機ナノデバイス / π共役系高分子 / ラングミュア-ブロジェット法 |
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| 研究概要 |
共役系高分子のひとつであるポリ(3-ヘキシルチオフェン)(PHT)を使い、両親媒性高分子との混合ラングミュア-ブロジェット(LB)法を用いて・共役系高分子超薄膜を構築し、構造解析、分光学的・電気的特性評価を試みた。良好な単分子膜形成能を有することが我々の研究で明らかな両親媒性高分子ポリ(N-ドデシルアクリルアミド)(pDDA)と共役系高分子を混合し、LB法により単分子膜化を行った。両親媒性高分子と共役系高分子の混合比に対する水面上単分子膜挙動の関係を明らかにし、共役系高分子超薄膜を構築できる混合比を求めた。
正孔注入効率を改善することで有機EL素子の低駆動電圧や高発光効率化が期待できることから、正孔注入層としてPHT LB膜を使った有機EL素子特性の評価を行い、導電性超薄膜を用いた正孔注入層を開発した。有機EL素子の正孔注入層としてITO電極上にPHT超薄膜を混合LB法により作製し、その他の正孔輸送層、発光層、電子輸送層および陰極としてトリフェニルアミン、アルミニウムキノリン錯体およびAlを順次真空蒸着して有機EL素子を作製し、正孔注入層の効果について下記の検討を行った。
1.PHT単層LB膜の有無による有機EL素子の発光開始電圧および発光効率の影響について検討した。PHT単層LB膜の有無により有機EL素子の低駆動電圧(11V->7V)および発光効率(1.2->1.5cd/A)の向上が計れた。
2.有機EL素子の発光開始電圧および発光効率のPHT LB膜の累積層数依存性についてまた、LB膜とスピンコート膜との比較検討を行った。正孔注入層として必要な膜厚の最適化およびスピンコート法に比べ混合LB法の優位性を明らかにした。
3.PHT LB膜の電気化学ドーピング効果について検討した。電気化学ドーピングでは、電極電位の制御によりPHT LB膜のフェルミレベルを制御でき、さらなる有機EL素子の低駆動電圧および発光効率の向上を期待したが、ドープしたPHT LB膜は真空中では脱ドープを起こし、電気化学ドープ効果が得られないといった問題点が明らかとなった。
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