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薄膜太陽電池用微結晶シリコンの光キャリア輸送特性および局在準位分布の評価

研究課題

研究課題/領域番号 15560276
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関大阪大学

研究代表者

服部 公則  大阪大学, 基礎工学研究科, 助教授 (80228486)

研究期間 (年度) 2003 – 2004
研究課題ステータス 完了 (2004年度)
配分額 *注記
3,700千円 (直接経費: 3,700千円)
2004年度: 1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
2003年度: 2,500千円 (直接経費: 2,500千円)
キーワード微結晶シリコン / キャリア輸送 / 移動度 / 局在準位 / パーコレーション / 光電流 / パーコレーシ / 光吸収 / アモルファスシリコン
研究概要

本研究では微結晶シリコンの光キャリア輸送と局在準位特性を変調光電流法を用いて詳細に調査した。測定の結果、光キャリアのドリフト移動度が、結晶化率や結晶粒サイズおよび輸送方向に対して系統的に変化することが確認された。コプレーナ電極配置で観測された平行方向移動度は、結晶化率とともに単調に増加し、また結晶粒サイズが小さい場合には顕著な減少を示した。また、サンドイッチ構造で測定された垂直方向移動度は、平行方向のそれに比べ約1桁大きい値をもつことが明らかにされた。これらの観測結果は、キャリア輸送が結晶粒間の伝搬を介して起こり、結晶粒の空間的配置と幾何学的形状に非常に敏感であることを意味している。この物理的洞察をさらに深めるべく、輸送過程を定量表現する2つの基礎的モデルを新規に提案した。有効媒質モデルは、輸送機構に内包されているパーコレーション過程を積極的に考慮するものとして考案され、移動度がパーコレーションしきい値を境とし結晶化率とともに増加する現象を理論的に定式化した。この際、結晶粒界に存在するポテンシャル障壁と局在準位のサイズ効果を組み込むことで、実験結果に見られた移動度の結晶粒サイズ依存性を合理的に説明した。輸送特性の異方性は、異方的格子ランダムウォークモデルにより論理的に解釈され、結晶粒の形状異方性との物理的関連の基礎を確立した。一方、局在準位特性の評価に関しては、アモルファスシリコン材料での実験結果との詳細な比較を行い、数値計算と解析的手法に基づいて、両材料に含まれるダングリングボンド欠陥の物理的特性は極めて類似しており、荷電状態が中性状態よりも高いキャリア捕獲効率を有していることを証明した。

報告書

(3件)
  • 2004 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 2003 実績報告書
  • 研究成果

    (6件)

すべて 2004 2003 その他

すべて 雑誌論文 (4件) 文献書誌 (2件)

  • [雑誌論文] Nonequilibrium Occupancy of Dangling Bond Defects in Undoped Amorphous Silicon Studied by Subgap-Light-Induced Electron Spin Resonance2004

    • 著者名/発表者名
      K.Hattori
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 43・6A

      ページ: 3297-3306

    • NAID

      10013154254

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2004 実績報告書 2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Nonequilibrium Occupancy of Dangling Bond Defects in Undoped Amorphous Silicon Studied by Subgap-Light-Induced Electron Spin Resonance2004

    • 著者名/発表者名
      K.Hattori, S.Abe, H.Okamoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.43, No.6A

      ページ: 3297-3306

    • NAID

      10013154254

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Photocarrier Transport in Undoped Microcrystalline Silicon Studied by the Modulated Photocurrent Technique2003

    • 著者名/発表者名
      K.Hattori
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 94・8

      ページ: 5071-5082

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Photocarrier transport in undoped microcrystalline silicon studied by the modulated photocurrent technique2003

    • 著者名/発表者名
      K.Hattori, Y.Musa, N.Murakami, N.Deguchi, H.Okamoto
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics Vol.94, No.8

      ページ: 5071-5082

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2004 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Hattori: "Photocarrier Transport in Undoped Microcrystalline Silicon Studied by the Modulated Photocurrent Technique"Journal of Applied Physics. 94・8. 5071-5082 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] K.Hattori: "Nonequilibrium Occupancy of Dangling Bond Defects in Undoped Amorphous Silicon Studied by Subgap-Light-Induced Electron Spin Resonance"Japanese Journal of Applied Physics. 印刷中. (2004)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書

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公開日: 2003-04-01   更新日: 2016-04-21  

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