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DF004法によるデバイス中ドープ元素の定量解析法の開発

研究課題

研究課題/領域番号 15651048
研究種目

萌芽研究

配分区分補助金
研究分野 ナノ材料・ナノバイオサイエンス
研究機関東北大学

研究代表者

寺内 正己  東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (30192652)

研究分担者 津田 健治  東北大学, 多元物質科学研究所, 助教授 (00241274)
研究期間 (年度) 2003 – 2004
研究課題ステータス 完了 (2004年度)
配分額 *注記
3,300千円 (直接経費: 3,300千円)
2004年度: 1,500千円 (直接経費: 1,500千円)
2003年度: 1,800千円 (直接経費: 1,800千円)
キーワード元素ドーピング / 半導体デバイス / 雷子顕微鏡 / 暗視野像 / 収束電子回折 / ロッキングカーブ / 電子顕微鏡
研究概要

1.Pドープをおこなった試料にDF004法を適用してドープ領域の電子顕微鏡観察をおこなった。その結果、Asドープ試料の像強度の分布が、SIMSで測定したドープP元素の分布と極めてよく一致することが分かった。さらに、表面から同じ深さでも場所により像強度が異なることから、2次元的なドープ濃度の不均を可視化することも可能であることが明らかになった。
2.ASドープ濃度を1桁小さくした試料(最高濃度領域で0.1at.%)からFIBで作製した電子顕微鏡用試料の測定をおこなって像強度とSIMSデータを比較したところ、像強度がドープ濃度に比例して小さくならない現象が明らかになった。この事実は、ドープ元素以外に試料結晶の不完全性を生じさせる原因があることを示している。従来の重元素を保護膜に用いたFIB加工、軽元素を保護膜に用いたFIB加工、機械研磨+イオンミリングの試料作成法を用い、ドープ試料、ノンドープ試料の実験試料を作製してDF004の実験を行った。その結果、重元素を保護膜に用いたFIB加工では、保護膜をつける過程で試料にダメージが入り、その結果としてDF004の電子顕微鏡像にコントラストを生じることが分かった。したがって、FIB加工して試料作製する場合は、保護膜として軽元素を用いる必要があることが明らかとなった。
3.結晶の乱れを考慮したX線用の統計動力学理論を電子線に適応することで、実験で観測されているロッキングカーブの変化(強度増大と非対称性)が再現できることが分かった。しかし、乱れの小さい低濃度ドープ領域には適用できるものの、ドープ濃度が1at.%になると実験を再現できないことも明らかになった。

報告書

(2件)
  • 2004 実績報告書
  • 2003 実績報告書
  • 研究成果

    (12件)

すべて 2005 2004 その他

すべて 雑誌論文 (6件) 文献書誌 (6件)

  • [雑誌論文] Electronic structure analyses of BN network materials using high energy-resolution spectroscopy methods based on transmission electron microscopy2005

    • 著者名/発表者名
      M.Terauchi
    • 雑誌名

      Microscopy Research and Technique (印刷中)

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] 収束電子回折法による結晶構造・電子密度分布解析2005

    • 著者名/発表者名
      津田健治
    • 雑誌名

      日本結晶学会誌 47・1

      ページ: 50-54

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] High energy-resolution electron energy-loss spectroscopy study of the electronic structure of Cu- and Mg-Si-doped β-rhombohedral boron crystals2004

    • 著者名/発表者名
      M.Terauchi
    • 雑誌名

      J.Solid State Chem. 177

      ページ: 2916-2919

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Detection of characteristic signals from As-doped (less than 1 at.%) regions of silicon by transmission electron microscopy and convergent-beam electron diffraction2004

    • 著者名/発表者名
      M.Terauchi
    • 雑誌名

      Microscopy & Microanalysis 10・suppl2

      ページ: 338-339

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Lattice parameter determination of a composition controlled Si_<1-x>Ge_x layer on a Si (001) substrate using convergent-beam electron diffraction2004

    • 著者名/発表者名
      T.Akaogi
    • 雑誌名

      J.Electron Microscopy 53・6

      ページ: 539-600

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] TEM用軟X線発光分光装置の開発2004

    • 著者名/発表者名
      寺内正己
    • 雑誌名

      顕微鏡 39・3

      ページ: 200-203

    • NAID

      10014163874

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [文献書誌] M.Terauchi: "Detection of characteristic signals from As doped (less than 1 at.%) regions of silicon by transmission electron microscopy and convergent-beam electron diffraction"J.Electron Microscopy. 52・5. 441-448 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] M.Terauchi: "A New High Energy-resolution Soft-X-ray Spectrometer for A Transmission Electron Microscope"Microscopy & Microanalysis. 9・suppl2. 894-895 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] 寺内正己: "透過型電子顕微鏡を用いた電子状態解析"電子顕微鏡. 38・3. 186-191 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] 寺内正己: "炭素を含まないナノチューブ"パリティ. 8・8. 41-45 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] K.Soga: "Li- and Mg-doping into Icosahedral Boron Crystals,α- and β-Rhombohedral Boron, Targeting High Temperature Superconductivity : Structure and Electronic States"J.Solid State Chem.. 177. 498-506 (2004)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] M.Mukai: ""MIRAI-21" ANALYTICAL ELECTRON MICROSCOPE - PERFORMANCE OF THE MONO CHROMATOR -"Microscopy & Microanalysis. 9・suppl2. 954-955 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書

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公開日: 2003-04-01   更新日: 2016-04-21  

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