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一次元原子鎖制御によるシリコン・ナノアーキテクチャ

研究課題

研究課題/領域番号 15651056
研究種目

萌芽研究

配分区分補助金
研究分野 ナノ材料・ナノバイオサイエンス
研究機関九州工業大学

研究代表者

内藤 正路  九州工業大学, 工学部, 助教授 (60264131)

研究期間 (年度) 2003 – 2004
研究課題ステータス 完了 (2004年度)
配分額 *注記
2,800千円 (直接経費: 2,800千円)
2004年度: 1,300千円 (直接経費: 1,300千円)
2003年度: 1,500千円 (直接経費: 1,500千円)
キーワード走査トンネル顕微鏡 / Si(100) / ビスマス / ナノワイヤ / 自己組織化 / 半導体表面 / ナノ材料 / 一次元構造 / Si(100)表面
研究概要

研究代表者は、V族原子であるBiがSi(100)表面において自己組織的にBiナノワイヤを形成するという現象を1997年に発見した。Biナノワイヤの直線性は完全で、表面にステップがない限りどこまでも伸びるという性質をもつ。このBiナノワイヤの成長を制御することができるようになれば、Si表面でのナノスケール・アーキテクチャに大いに利用でき、Si表面の区画化とナノ構造形成の方向へと応用が広がるはずである。また、Biナノワイヤの間隔が制御できるようになれば、例えばBiナノワイヤの電子状態を利用することにより特定の長さの分子のみをトラップすることなどが想像でき、ナノバイオサイエンスにも貢献できる。さらには、自己組織化による表面新物質創成の基礎研究にも繋がると考えられる。
昨年度においては、Biナノワイヤが形成されたSi(100)表面上へのAg原子吸着過程について研究を行った。Biナノワイヤ形成を行ったSi(100)表面にAg原子を蒸着したところ、Ag原子はBiナノワイヤ上には吸着せず、Siテラスに優先的に吸着することがわかった。本年度は、Biナノワイヤが形成されたSi(100)表面上に銅フタロシアニンの蒸着を行った。Ag原子を吸着した場合とは異なり、銅フタロシアニンを蒸着した場合にはBiナノワイヤ上にもSiテラス上にも銅フタロシアニンが吸着することがわかった。さらに、この表面をアニーリングすると銅フタロシアニンが表面から脱離するが、このとき、Biナノワイヤ構造の一部を壊すことがわかった。

報告書

(2件)
  • 2004 実績報告書
  • 2003 実績報告書
  • 研究成果

    (6件)

すべて 2005 2003 その他

すべて 雑誌論文 (4件) 文献書誌 (2件)

  • [雑誌論文] STM observation ob Bi line structures on the Si(100) surface With Ag deposition2005

    • 著者名/発表者名
      T.Itoh
    • 雑誌名

      Applied Surface Science (印刷中)

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Si(100)表面におけるBiナノワイヤ形成過程の走査トンネル顕微鏡観察2003

    • 著者名/発表者名
      大垣真治
    • 雑誌名

      真空 46

      ページ: 501-504

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Stability of Sb line structure on Si(100)2003

    • 著者名/発表者名
      J.-T.Wang
    • 雑誌名

      Physical Review B 67

      ページ: 193307-193307

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] A structural analysis of Bi/Si(100) 2×n surfaces by ICISS2003

    • 著者名/発表者名
      N.Oishi
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 212-213

      ページ: 373-377

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [文献書誌] 大垣真治: "Si(100)表面におけるBiナノワイヤ形成過程の走査トンネル顕微鏡観察"真空. 46巻6号. 501-504 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] J.-T.Wang: "Stability of Sb line structure on Si(100)"Physical Review B. 67. 193307 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書

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公開日: 2003-04-01   更新日: 2016-04-21  

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