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希土類元素添加半導体における電流励起光学利得とその最適化

研究課題

研究課題/領域番号 15656004
研究種目

萌芽研究

配分区分補助金
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関大阪大学

研究代表者

藤原 康文  大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (10181421)

研究分担者 吉田 博  大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (30133929)
竹田 美和  名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (20111932)
宮本 智之  東京工業大学, 精密工学研究所, 助教授 (70282861)
研究期間 (年度) 2003 – 2004
研究課題ステータス 完了 (2004年度)
配分額 *注記
3,500千円 (直接経費: 3,500千円)
2004年度: 1,300千円 (直接経費: 1,300千円)
2003年度: 2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
キーワード希土類元素添加族半導体 / エルビウム / 原子レベル制御成長 / 固体光増幅器 / ダブルヘテロ構造
研究概要

本研究では「希土類元素添加半導体」を次世代半導体光デバイスの基幹材料の一つとして位置づけ、希土類元素に起因する光学利得を電流注入下で観測し、電流励起による高効率新規固体光増幅器の実現可能性を探ることに最終ターゲットを設定する。高品質な希土類元素添加III-V族半導体の作製には、既に我々のグループで構築している原子レベル制御不純物添加技術(有機金属気相エピタキシャル(OMVPE)法を基盤としており、高い発光効率を示すように設計された希土類原子周辺局所構造を選択的に作り込むことが可能である。)を用いる。
我々は既に室温・電流注入下で動作するEr発光ダイオードの試作に成功している。本年度は、固体光増幅器への展開を目的に、その活性層に使われているEr, O共添加GaAsにおける非平衡キャリアダイナミクスとEr光励起断面積を調べた。得られた知見を以下にまとめる。
(1)非平衡キャリアダイナミクス:
フェムト秒レーザーを用いた光反射率測定により特徴的な光励起キャリア緩和過程を観測した。その寿命はピコ秒のオーダーであり、Er添加量に比例して減少した。
(2)Er光励起断面積:
発光強度のフォトンフラックス密度依存性および時間展開を解析することにより得られたEr光励起断面積はフォトンフラックスに依存し、低フラックス領域では10^<-16>cm^2程度であり、実用化されているEr添加光ファイバ増幅器のものと比較して、4〜5桁高かった。一方、高フラックス領域では低フラックス領域に比べて、1桁程度、励起断面積が減少した。このことはオージェ過程の存在を示唆している。

報告書

(2件)
  • 2004 実績報告書
  • 2003 実績報告書
  • 研究成果

    (12件)

すべて 2005 2004 その他

すべて 雑誌論文 (6件) 文献書誌 (6件)

  • [雑誌論文] Pump and probe reflection study on photoexcited carrier dynamics in Er, O-codoped GaAs2005

    • 著者名/発表者名
      Y.FUJIWARA
    • 雑誌名

      Proceedings of the 27th International Conference on Physics of Semiconductors (印刷中)

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Terahertz rediation from Er, O-codoped GaAs surface2005

    • 著者名/発表者名
      M.SUZUKI
    • 雑誌名

      Proceedings of the 27th International Conference on Physics of Semiconductors (印刷中)

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] ESR study of Zn codoping effect on the luminescence efficiency of the Er-20 center in GaAs : Er, O2005

    • 著者名/発表者名
      M.YOSHIDA
    • 雑誌名

      Proceedings of the 27th International Conference on Physics of Semiconductors (印刷中)

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Electron spin resonance study of Zn-codoping effect on local structure of the Er-related centers in GaAs : Er, O2005

    • 著者名/発表者名
      M.YOSHIDA
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 97(2)

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Electron spin resonance study of GaAs : Er, O grown by organometallic vapor phase epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      M.YOSHIDA
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 96(8)

      ページ: 4189-4419

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Effects of growth sequence on atomic level interfacial structures characteristics of GaInP/GaAs/GaInP double heterostructures grown by low-pressure OMVPE2004

    • 著者名/発表者名
      T.YOSHIKANE
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 237

      ページ: 246-250

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [文献書誌] 藤原 康文: "希土類添加III-V族半導体による電流注入型発光デバイス"応用物理. 73(2). 224-228 (2004)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] Y.FUJIWARA: "Room-temperature 1.5μm electroluminescence from GaInP/Er,O-codoped GaAs/GaInP double heterostructure injection-type light emitting diodes grown by OMVPE"Materials Science and Engineering B. 105(1-3). 57-60 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] Y.FUJIWARA: "Reactor structure dependence of interface abruptness in GaInAs/InP and GaInP/GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy"Applied Surface Science. 216. 564-568 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] Y.FUJIWARA: "Extremely large Er excitation cross section in Er,O-codoped GaAs light emitting diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy"Materials Research Society Symposium Proceedings, Progress in Semiconductors II, Electronic and Optoelectronic Applications. 744. 149-154 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] A.KOIZUMI: "Room-temperature electroluminescence properties of Er,O-codoped GaAs injection-type light emitting diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy"Applied Physics Letters. 83(22). 4521-4523 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] A.KOIZUMI: "Room-temperature 1.54μm light emission from Er,O-codoped GaAs/GaInP LEDs grown by low-pressure organometallic vapor phase epitaxy"Japanese Journal of Applied Physics. 42(4B). 2223-2225 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書

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公開日: 2003-04-01   更新日: 2016-04-21  

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