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半導体3次元微小光共振器を用いた単一光子による量子位相変調の研究

研究課題

研究課題/領域番号 15656077
研究種目

萌芽研究

配分区分補助金
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関北海道大学

研究代表者

末宗 幾夫  北海道大学, 電子科学研究所, 教授 (00112178)

研究分担者 植杉 克弘  北海道大学, 電子科学研究所, 助手 (70261352)
熊野 英和  北海道大学, 電子科学研究所, 助手 (70292042)
研究期間 (年度) 2003 – 2004
研究課題ステータス 完了 (2004年度)
配分額 *注記
3,500千円 (直接経費: 3,500千円)
2004年度: 1,600千円 (直接経費: 1,600千円)
2003年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
キーワード量子ドット / ピラミッド / 量子位相 / 微小光共振器 / 量子位相ゲート / FDTD / ソリッドイマルジョンレンズ / ZnS
研究概要

現在の計算機で数10億年もかかる因数分解が数分で解けてしまう可能性があるとの衝撃的なアナウンスメントから,量子計算が脚光を浴びている。その動作には制御ノット操作が必要であるが,制御光子1つが存在したときのみ,信号光子の位相が180度変化するような「量子位相ゲート」を構築できればこの動作が可能である。これまで研究代表者らは(001)GaAs基板上に成長したZnSピラミッドによって3次元微小光共振器の研究を進めてきた。
これまでのピラミッド共振器はGaAs基板上に成長したZnSピラミッドからなっていたが,共振波長の400nm付近ではGaAsが吸収媒質となることから,これを透明媒質からなる分布反射ミラーとすることによって特性の向上が図れないか検討を加えた。その結果,分布反射ミラーが95%くらいの高い反射率を有していても,ZnSピラミッドとの反射位相が適当な条件にならないと,位相関係によって反射率が低下する課題が生じた。この問題を理論的に検討したところ,分布反射ミラーの周期を20〜30周期に増して,反射率もさらに増大すれば,位相関係によらず高い反射率を維持し,ピラミッド共振器の特性が向上することがわかった。また別の方法として,GaAs基板を選択的にエッチングして除去し,ZnSよりも低い屈折率を持つ誘電体薄膜に置き換える方法を開発し,共振モードを確認している。
このような微小共振器に単一の光子を導入する準備として,単一量子ドットから発生する光子が一つずつ発生していることを,いわゆるHBT相関測定系を用いた2次の光子相関測定におけるアンチバンチング特性から確認した。この測定系を用い,昨年度から検討を進めているソリッドイマルジョンレンズによるピラミッドに入射する光との結合効率の向上をはかった。これらを組み合わせて,ピラミッド内部に挿入した量子ドットによる反射スペクトル測定に成功した。今後単一光子の吸収飽和を利用した量子位相変化の検討を進めていく。

報告書

(2件)
  • 2004 実績報告書
  • 2003 実績報告書
  • 研究成果

    (13件)

すべて 2005 2004 その他

すべて 雑誌論文 (6件) 図書 (1件) 文献書誌 (6件)

  • [雑誌論文] Observation of reflection high-energy electron diffraction oscillation during MOMBE growth of AlAs and related modulated semiconductor structures2004

    • 著者名/発表者名
      G.Sasikala, P.Thilakan, M.Kurimoto, H.Kumano, K.Uesugi, I.Suemune
    • 雑誌名

      Physica E Vol.21

      ページ: 756-760

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Observation of Clear Negative Differential Resistance Characteristics in GaAsNSe/GaAs and GaAsNSb/GaAs Multiple Quantum Wells at Room Temperature2004

    • 著者名/発表者名
      K.Uesugi, M.Kurimoto, I.Suemune
    • 雑誌名

      Physica E Vol.21

      ページ: 727-731

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Dynamical properties of atom-like emissions from single localized states in ZnCdS ternary mesa-shaped structures2004

    • 著者名/発表者名
      H.Kumano, Y.Hitaka, I.Suemune
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.241,No.3

      ページ: 503-506

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Study of Optimal Coupling of ZnS Pyramidal Microcavities with Distributed Bragg Reflectors2004

    • 著者名/発表者名
      D.Nakaya, Y.Hitaka, S.Kimura, H.Kumano, I.Suemune
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.1,No.4

      ページ: 1034-1037

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Formation of ohmic contacts to p-type ZnO2004

    • 著者名/発表者名
      M.Kurimoto, A.B.M.A.Ashrafi, M.Ebihara, K.Uesugi, H.Kumano, I.Suemune
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.241,No.3

      ページ: 635-639

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Epitaxial ZnO Growth and p-Type Doping with MOMBE2004

    • 著者名/発表者名
      I.Suemune, ABM.A.Ashrafi, M.Ebihara, M.Kurimoto, H.Kumano
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) Vol.241,No.3

      ページ: 640-647

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [図書] Dilute Nitride Semiconductors (edited by M.Henini(4章執筆))2005

    • 著者名/発表者名
      I.Suemune, K.Uesugi, S.Ganapathy
    • 総ページ数
      630
    • 出版者
      Elsevier Ltd.
    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [文献書誌] I.Suemune, H.Yoshida, H.Kumano, T.Tawara, A.Ueta, S.Tanaka: "II-VI Quantum Dots Grown by MOVPE"J.Cryst.Growth. Vol.248. 301-309 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] K.Uesugi, I.Suemune, H.Machida, N.Shimoyama: "Metalorganic molecular-beam epitaxy and characterization of GaAsNSe/GaAs superlattices emitting around 1.5μm-wavelength region"Appl.Phys.Lett.. Vol.82,No.6. 898-900 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] H.Kumano, Y.Hitaka, I.Suemune: "Emissions from Single Localized States Observed from ZnCdS Ternary Alloy Mesa Structures"Appl.Phys.Lett.. Vol.82,No.24. 4277-4279 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] W.Zhou, K.Uesugi, I.Suemune: "1.6-μm Emission from GaInNAs with Indium-induced Increase of N Composition"Appl.Phys.Lett.. Vol.83,No.10. 1992-1994 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] S.Ganapathy, X.Q.Zhang, I.Suemune, K.Uesugi, B.-J.Kim, T.-Y.Seong: "GaNAs as strain compensating layers for 1.55 μm light emission from InAs Quantum Dots"Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.42,No.9A. 5598-5601 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] X.Q.Zhang, S.Ganapathy, I.Suemune, H.Kumano, K.Uesugi, Y.Nabetani, T.Matsumoto: "Improvement of InAs Quantum-dots Optical Properties by Strain Compensation with GaNAs Capping Layers"Appl.Phys.Lett.. Vol.83,No.22. 4524-4526 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書

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公開日: 2003-04-01   更新日: 2016-04-21  

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