自発的高次構造形成法による高性能有機トランジスタの作製

• 研究課題/領域番号: 15686014
• 研究種目: 若手研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 千葉大学
• 研究代表者: 中村 雅一 千葉大学, 工学部, 助教授 (80332568)
• 研究期間 (年度): 2003 – 2005
• 研究課題ステータス: 完了 (2005年度)
• 配分額: 23,530千円 (直接経費: 18,100千円、間接経費: 5,430千円); 2005年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円); 2004年度: 5,850千円 (直接経費: 4,500千円、間接経費: 1,350千円); 2003年度: 13,910千円 (直接経費: 10,700千円、間接経費: 3,210千円)
• キーワード: 有機半導体材料 / 電子デバイス / ナノ構造 / 自発的プロセス / 微粒子 / 静電誘導トランジスタ / 電界効果トランジスタ / 大面積

研究概要

本研究は、大面積基板上で広範囲一斉自発的に微細構造を形成する「自発的高次構造成形法」を確立し、大面積縦型素子内に微小なトランジスタ構造単位を多数並列に作り込むことで、従来得られているものより高性能な有機トランジスタを作製することを目的としている。今年度は、主に以下の研究を行った。
(1)高効率有機太陽電池の開発
Al/In/C60/CuPc/ITO構造の固体接合型有機太陽電池において、各層膜厚などの最適化によって、光電変換効率1%程度の太陽電池を作製することに成功した。さらに、アノードとしてITOの代わりに表面を酸化させたAg電極が使用可能であることを見いだした。これを利用して、表面酸化Ag/In積層電極を中間電極としたタンデム型太陽電池を作製し、4スタックセルによって解放端電圧1.34Vが得られた。
(2)低駆動電圧・高出力電流縦型トランジスタの試作
これまでに開発したプロセスを発展させ、200nm径のポリスチレン微粒子を蒸着マスクとして用いることによって、多孔質のゲート電極/絶縁層/ドレイン電極構造を形成する方法を確立し、その上からCuPcあるいはペンタセンなどの有機半導体層と上部電極を蒸着することで、SITタイプの縦型トランジスタを試作した。その結果、2mm×2mmの素子面積内に2800万個のナノSITセルを作り込んだ素子が再現性良く形成され、数Vの動作電圧で数mAの出力電流という、有機トランジスタとしては極めて高い相互コンダクタンスを得ることに成功した。電流on/off比は約500で、まだ改善の余地はあるものの、従来のSITタイプの素子よりも高い値が得られた。また、(1)で得られたタンデム型有機太陽電池と配線接続し、有機フォトトランジスタが動作することを確認した。

研究成果

• [雑誌論文] Fabrication of Organic Static Induction Transistors with Higher Order Structures (2005)
  • 著者名/発表者名: C.M.Joseph et al.
  • 雑誌名: Appl.Surf.Sci. 244 ページ: 603-606
• [雑誌論文] Fabrication of organic vertical-type field-effect transistors using polystyrene spheres as evaporation mask (2005)
  • 著者名/発表者名: N.Hirashima et al.
  • 雑誌名: IPAP Conference Series (Proceeding of the International Symposium on Super-Functionality Organic Devices) 6 ページ: 158-160
• [雑誌論文] Organic Static Induction Transistors with Nano-Hole Arrays Fabricated by Colloidal Lithography (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Fujimoto et al.
  • 雑誌名: e-J.Surf.Sci.Nanotech. 3 ページ: 327-331
• [雑誌論文] 有機半導体デバイスシミュレーションのためのキャリア移動度モデルの検討 (2005)
  • 著者名/発表者名: 大橋昇他
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術報告 OME2005-18 ページ: 13-17
• [雑誌論文] Evaluation of Carrier Mobility Models for Organic Semiconductor Device Simulations (2005)
  • 著者名/発表者名: N.Ohashi et al.
  • 雑誌名: Ext.Abs. 2005 Conference on Solid State Device and Materials ページ: 820-821
• [雑誌論文] Fabrication of Organic Static Induction Transistors with Higher Order Structures (2005)
  • 著者名/発表者名: C.M.Joseph et al.
  • 雑誌名: Appl.Surf.Sci. (掲載予定)
• [雑誌論文] Fabrication of organic vertical-type field-effect transistors using polystyrene spheres as evaporation mask (2005)
  • 著者名/発表者名: N.Hirashima et al.
  • 雑誌名: Proceeding of the International Symposium on Super-Functionality Organic Devices, IPAP Conference Series (掲載予定)
• [雑誌論文] Structural and Electrical Characterization of Pentacene Films on SiO_2 Grown by Molecular Beam Deposition (2004)
  • 著者名/発表者名: H.Yanagisawa et al.
  • 雑誌名: Thin Solid Films 464-465 ページ: 398-402
• [雑誌論文] Vertical- and Lateral-Type Organic FET Using Pentacene Evaporated Films (2004)
  • 著者名/発表者名: S.Tanaka et al.
  • 雑誌名: Electrical Engineering in Japan 149(2) ページ: 43-48
• [産業財産権] 多孔薄膜堆積基板、その製造方法及びスイッチング素子 (2005)
  • 発明者名: 中村他
  • 権利者名: 富士写真フィルム
  • 産業財産権番号: 2005-271184
  • 出願年月日: 2005-09-16
• [産業財産権] 多孔薄膜堆積基板、その製造方法及びスイッチング素子 (2005)
  • 発明者名: 中村他
  • 権利者名: 富士写真フィルム
  • 産業財産権番号: 2005-271190
  • 出願年月日: 2005-09-16
• [文献書誌] 田中諭他: "ペンタセン薄膜を用いた縦型・横型有機トランジスタ"電気学会論文誌C. 123・5. 853-857 (2003)
• [文献書誌] M.Nakamura et al.: "Characterization of Organic Nano-Transistors Using a Conductive AFM Probe"Thin Solid Films. 438-439. 360-364 (2003)
• [文献書誌] H.Yanagisawa et al.: "Structural and Electrical Characterization of Pentacene Films on SiO2 Grown by Molecular Beam Deposition"Thin Solid Films. 発表予定.
• [文献書誌] N.Muraishi et al.: "Fabrication and Characterization of Organic Nano-SIT for Large-Scale Vertical-Type Switching Devices"4th International Conference on Electroluminescence of Molecular Materials and Related Phenomena. O-53
• [文献書誌] J.M.Chennemkeril et al.: "Fabrication of Organic Static Induction Transistors with Higher Order Nanostructures by Spontaneous Formation"2003 MRS Fall Meeting. K10.57