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導電性アモルファス酸化物の超薄膜からなる規則多孔体の作成

研究課題

研究課題/領域番号 15750174
研究種目

若手研究(B)

配分区分補助金
研究分野 無機工業材料
研究機関独立行政法人理化学研究所

研究代表者

青木 芳尚  独立行政法人理化学研究所, トポケミカルデザイン研究チーム, 研究員 (50360475)

研究期間 (年度) 2003 – 2004
研究課題ステータス 完了 (2004年度)
配分額 *注記
3,300千円 (直接経費: 3,300千円)
2004年度: 1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
2003年度: 2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
キーワードゾル-ゲル法 / ナノチューブ / 多孔質材料 / ナノ構造体 / ITO / 導電性セラミックス / テンプレート合成 / 金属酸化物ナノ薄膜 / 電気伝導性酸化物薄膜
研究概要

本研究は表面ゾル-ゲル法とテンプレート合成法を組み合わせることにより、導電性金属酸化物のナノ構造体により骨格形成された、規則多孔体を作成することを目的としている。前年度までの研究において、我々はセルロース繊維(ろ紙).をテンプレートに用いて表面ゾル-ゲル法をおこなうことにより、壁厚:10-20nm、直径:100-300nm、長さ:2-15μmのチューブ状インジウム-スズ複合酸化物(ITO)が3次元的に絡み合った多孔質構造体を生成することに成功した。これらのITO多孔質構造体は、高い気孔率(>80vol%)であるにもかかわらず室温において高い導電率を示し、中でもインジウムとスズの元素比(In/Sn)が9/1のものは最も高い導電率、0.53Scm^<-1>を示した。In/Sn=9/1の試料に対し、空間充填率を用いて理論密度100%のときの見かけの伝導率を計算したところ、20Scm^<-1>となり、これはスパッタリング法で作成した厚さ20nmの高品質ITO薄膜の導電率とほぼ等しいことがわかった。本研究で作成したITO多孔質材料では、セルロース繊維におけるマクロスケールのネットワーク構造がそのままITOネットワークとして転写されている。従って、そのITOネットワーク構造が電子のパーコレーション経路を形成し、高い気候率にもかかわらず良い導電性を生み出すものと考えられる。これらのITO多孔質構造体は、その構造的・電気的特徴から、センサー、光電変換システムなど、様々な次世代デバイスへの応用が期待される。

報告書

(2件)
  • 2004 実績報告書
  • 2003 実績報告書
  • 研究成果

    (3件)

すべて 2005 その他

すべて 雑誌論文 (1件) 文献書誌 (2件)

  • [雑誌論文] Sol-gel Fabrication of Dielectric HfO_2 Nano-films. Formation of Uniform, Void-Free Layers and Their Superior Electrical Properties2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Aoki, T.Kunitake, A.Nakao
    • 雑誌名

      Chemistry of Materials 17・2

      ページ: 450-458

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [文献書誌] Y.Aoki, T.Kunitake: "Solution-based fabrication of high-κgate dielectrics for next generation metal-oxide semiconductor transistors"Advanced Materials. 16・2. 118-122 (2004)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] Y.Aoki, T.Kunitake: "Solution-based fabrication of high-κgate dielectrics"Extended abstracts of international workshop on gate insulator 2003. 40-41 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書

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公開日: 2003-04-01   更新日: 2016-04-21  

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