先端半導体デバイスの高温照射による導入格子欠陥の研究

• 研究課題/領域番号: 15760040
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 応用物理学一般
• 研究機関: 熊本電波工業高等専門学校
• 研究代表者: 葉山 清輝 熊本電波工業高専, 助教授 (00238148)
• 研究期間 (年度): 2003
• 研究課題ステータス: 完了 (2003年度)
• 配分額: 1,800千円 (直接経費: 1,800千円); 2003年度: 1,800千円 (直接経費: 1,800千円)