• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

銅めっきスーパーフィリングの機構解明とその高度化

研究課題

研究課題/領域番号 15760537
研究種目

若手研究(B)

配分区分補助金
研究分野 材料加工・処理
研究機関東京工業大学

研究代表者

早瀬 仁則  東京工業大学, 精密工学研究所, 助手 (70293058)

研究期間 (年度) 2003 – 2004
研究課題ステータス 完了 (2004年度)
配分額 *注記
3,400千円 (直接経費: 3,400千円)
2004年度: 2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
2003年度: 1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
キーワード銅めっき / スーパーフィリング / 塩化物イオン / SPS / PEG / バンプ / ポリエチレングリコール / SIMS
研究概要

本年度は,仮説「塩化物イオンと促進剤の競争的吸着」に基づき,各種実験をおこない,めっき面に蓄積した促進剤(SPS)を効果的に脱離させる新たな手法を開発した.
昨年度の研究により,スーパーフィリング浴では塩化物イオン消費が予想していたよりも少ないく,塩化物イオン消費モデルに困難があることがわかった.一方,塩化物イオン濃度がボトムアップ堆積に大きく影響することを明らかにした.こうした結果から,めっき面において,塩化物イオンと促進剤が競争的吸着を繰り広げ,徐々に促進剤が表面に蓄積されるとし,Moffat等が提案するCEACメカニズムを採り入れた新たなモデルを仮定した.本モデルを検証するために,各種実験を行い,めっき中に塩化物イオン濃度を増加させることにより,促進剤の脱離を促せることを新たに発見し,本競争吸着モデルを支持する結果を得た。さらに,高塩化物イオン濃度浴における逆電解が,促進剤脱離に効果的であることを発見した.現在,促進剤のめっき面への蓄積が溝集中部におけるバンプ形成(オーバープレーティング)を起こし,産業上大きな問題となっている.そこで,この高濃度塩化物イオン溶液による促進剤の脱離により,平坦化剤(レベラー)を使用せず,高いボトムアップ性を維持したままオーバープレティングを回避できることを実証した.一価の状態であるCuClの形成が促進剤脱離に大きな影響を及ぼしていると考え,検討を進めたがが,明確な結論を得るには至っていない.

報告書

(2件)
  • 2004 実績報告書
  • 2003 実績報告書
  • 研究成果

    (10件)

すべて 2005 2004 その他

すべて 雑誌論文 (3件) 産業財産権 (1件) 文献書誌 (6件)

  • [雑誌論文] Bump Reduction in Copper Superfilling by Cl-Rich Bath2005

    • 著者名/発表者名
      M.Hayase, T.Hatsuzawa
    • 雑誌名

      The Electrochemical Society 207th Meeting Abstract

      ページ: 456-456

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Effect of Cl-Concentration on Superfilling Behavior2004

    • 著者名/発表者名
      M.Hayase, M.Taketani, T.Hatsuzawa
    • 雑誌名

      The Electrochemical Society 205th Meeting Abstract

      ページ: 150-150

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Incorporation of Cl-into Copper deposit at Initial Plating Period2004

    • 著者名/発表者名
      M.Hayase, M.Taketani, T.Hatsuzawa
    • 雑誌名

      The Electrochemical Society 206th Meeting Abstract

      ページ: 1113-1113

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [産業財産権] 基板のめっき方法および装置2004

    • 発明者名
      早瀬, 西條, 早房, 佐保田
    • 権利者名
      荏原製作所
    • 出願年月日
      2004-11-05
    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [文献書誌] M.Hayase, M.Taketani, T.Hatsuzawa, K.Hayabusa: "Preferential Copper Electrodeposition at Sub-micrometer Trenches by Consumption of Halide Ion"Electrochemical and Solid State Letters. 6・6. C92-C95 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] M.Hayase, M.Taketani, T.Hatsuzawa, K.Hayabusa: "Analysis of CV hysteresis by PEG and chloride ion in copper electroplating"The Electrochemical Society 204th Meeting Abstract. No.696 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] M.Hayase, M.Taketani, T.Hatsuzawa, K.Hayabusa: "Cl- Consumption in Copper Electrodeposition"The Electrochemical Society 203th Metting Abstract. No.677 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] 竹谷, 早瀬, 曾澤, 初澤, 早房: "電解めっき銅薄膜への塩化物イオン混入"2004年度精密工学会春季大会学術講演会講演論文集. L32 (2004)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] 竹谷, 早瀬, 初澤, 早房: "PEGとBr-による銅めっきスーパーフィリング"2003年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集. H07 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書
  • [文献書誌] 早瀬, 竹谷, 初澤, 早房: "PEGと塩化物イオンによる銅めっき抑制効果の解析"2003年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集. H08 (2003)

    • 関連する報告書
      2003 実績報告書

URL: 

公開日: 2003-04-01   更新日: 2016-04-21  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi