| 研究課題/領域番号 |
15H01997
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ構造物理
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
小林 光 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (90195800)
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| 研究分担者 |
松本 健俊 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (20390643)
今村 健太郎 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (60591302)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
42,380千円 (直接経費: 32,600千円、間接経費: 9,780千円)
2017年度: 8,060千円 (直接経費: 6,200千円、間接経費: 1,860千円)
2016年度: 9,230千円 (直接経費: 7,100千円、間接経費: 2,130千円)
2015年度: 25,090千円 (直接経費: 19,300千円、間接経費: 5,790千円)
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| キーワード | シリコンナノクリスタル層 / 屈折率勾配 / 太陽電池 / graded band-gap構造 / ナノ材料 / 表面・界面物性 / 表面パッシベーション / 反射率 / 結晶シリコン / シリコンナノクリスタル / ネットワーク構造 / 屈折率 / 化学的転写法 / 傾斜構造 / マイクロ、ナノデバイス / 傾斜材料 |
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| 研究成果の概要 |
シリコンナノクリスタル層の最表面の価電子帯上端のエネルギーは、化学的転写処理時間と共に下方に移動し、最大約0.4eV低くなることがわかった。一方、シリコンナノクリスタル層の最表面の伝導帯下端のエネルギーは、最大約0.2eV上方にシフトすることがわかった。また、pn接合を形成した後のシリコンナノクリスタル層の伝導帯エネルギーは、ほぼ平坦であることがわかった。これらの結果から、＜シリコンナノクリスタル層/pn接合シリコン＞構造は、graded band-gap構造を持ち、シリコンナノクリスタル層中で光生成したホールと電子の電荷分離が促進され表面再結合が防止されていることがわかった。
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