| 研究課題/領域番号 |
15H02013
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
川上 養一 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (30214604)
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| 研究分担者 |
船戸 充 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (70240827)
石井 良太 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (60737047)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
中途終了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
14,300千円 (直接経費: 11,000千円、間接経費: 3,300千円)
2015年度: 14,300千円 (直接経費: 11,000千円、間接経費: 3,300千円)
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| キーワード | 近接場光学 / 深紫外分光 / 超ワイドギャップ半導体 |
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| 研究実績の概要 |
本研究は，深紫外（波長：210～300nm）領域で分光計測が可能な近接場光学顕微鏡（SNOM）技術を開発し，AlGaNナノ構造，BN系半導体，ダイヤモンドなどの超ワイドギャップ半導体における励起子や励起子分子などのキャリア素励起（準粒子）の空間・時間ダイナミクスを明らかにすることを目的に，平成27年度より研究をスタートした。しかしながら，開始から数か月で基盤研究（S）に採択されたため，規定によって交付決定の一部取り消しを行うこととなった。このような事情のため，研究実施はごく短期間ではあったが，深紫外SNOMファイバープローブについて，ファイバー材質と形状の最適化によって波長200nmまでの高透過率特性を実験的に検証することに成功しており，所期の目的の一部を達成することができた。
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| 現在までの達成度 (段落) |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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