| 研究課題/領域番号 |
15H02015
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 国立研究開発法人理化学研究所 |
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研究代表者 |
石橋 幸治 国立研究開発法人理化学研究所, 石橋極微デバイス工学研究室, 主任研究員 (30211048)
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| 連携研究者 |
ディーコン ラッセル 国立研究開発法人理化学研究所, 石橋極微デバイス工学研究室, 専任研究員 (40552443)
ワン ルイ 国立研究開発法人理化学研究所, 石橋極微デバイス工学研究室, 客員研究員 (20700967)
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| 研究協力者 |
Lieber Charles M. Harvard University
Bakkers Erik P. A. M. TU Eindhoven
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
41,600千円 (直接経費: 32,000千円、間接経費: 9,600千円)
2017年度: 10,400千円 (直接経費: 8,000千円、間接経費: 2,400千円)
2016年度: 10,010千円 (直接経費: 7,700千円、間接経費: 2,310千円)
2015年度: 21,190千円 (直接経費: 16,300千円、間接経費: 4,890千円)
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| キーワード | スピン共振器相互作用 / スピン軌道相互作用 / 半導体ナノワイア / スピン / 共振器 / フォトン / ２重結合量子ドット / 量子ドット |
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| 研究成果の概要 |
一般に、スピンと電磁波の相互作用は電荷と電磁波の相互作用の大きさに比べて小さいので、スピン軌道相互作用(SOI)を利用して電荷を介したスピンと光子の相互作用を利用することを考えた。そのため、SOIの強いGe/Siナノワイヤにおいて、弱反局在効果による磁気抵抗を用いて、コヒーレンス長、スピン緩和長、特に後者の電界依存性を評価した。
また、InSbやGe/Siナノワイヤ量子ドットを超伝導マイクロ波回路共振器中に設置し、極低温に置いてその共振特性の測定を行い、共振器と電荷の相互作用を調べた。その結果、量子ドットのコヒーレンスが十分に大きくないため、コヒーレントな相互作用が実現できなかった。
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