| 研究課題/領域番号 |
15H02019
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 名城大学 |
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研究代表者 |
岩谷 素顕 名城大学, 理工学部, 准教授 (40367735)
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| 研究分担者 |
上山 智 名城大学, 理工学部, 教授 (10340291)
松本 貴裕 名古屋市立大学, 大学院芸術工学研究科, 教授 (10422742)
竹内 哲也 名城大学, 理工学部, 教授 (10583817)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
42,380千円 (直接経費: 32,600千円、間接経費: 9,780千円)
2017年度: 8,450千円 (直接経費: 6,500千円、間接経費: 1,950千円)
2016年度: 8,450千円 (直接経費: 6,500千円、間接経費: 1,950千円)
2015年度: 25,480千円 (直接経費: 19,600千円、間接経費: 5,880千円)
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| キーワード | 窒化物半導体 / レーザ / 電子線励起 / 電子線 / 窒化ガリウム / 窒化アルミニウム / 光共振器 / ウェットエッチング / 低閾値 / 光強度 / 結晶成長 / 半導体物性 / 高性能レーザー / 紫外 / キャリア注入 / 紫外線レーザ / AlGaN / 窒化アルミニウムガリウム / 紫外レーザ |
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| 研究成果の概要 |
本研究課題では医療・バイオ・微細加工など広く応用分野があると考えられる電子線励起によるAlGaN系紫外レーザの実現を目指して研究を行った。レーザ発信可能な電子線源を組み込んだ装置がないことから装置開発からはじめ、電子線シミュレータを活用することによって電子線励起特有の問題があることを明らかにした。さらにデバイスシミュレータを活用することによって、最適な構造を明らかにし、最終的にAlGaN系電子線励起レーザを実現した。
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