| 研究課題/領域番号 |
15H02201
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機工業材料
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
大谷 文章 北海道大学, 触媒科学研究所, 教授 (80176924)
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| 研究協力者 |
クンチェビッツ ヨアンナ ヤギェウォ大学, 化学科, Assistant Professor
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
40,560千円 (直接経費: 31,200千円、間接経費: 9,360千円)
2017年度: 9,100千円 (直接経費: 7,000千円、間接経費: 2,100千円)
2016年度: 11,960千円 (直接経費: 9,200千円、間接経費: 2,760千円)
2015年度: 19,500千円 (直接経費: 15,000千円、間接経費: 4,500千円)
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| キーワード | ドービング / ロジウム(IV) / 可視光光触媒活性 / 酸化チタン(IV) / 電子トラップ / ドーピング / ロジウム / オゾン酸化 / 可視光応答 / 光触媒反応 / イオン半径 / イオン交換 / オゾン処理 / 四価ロジウム / 可視光吸収 / 酸化チタン |
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| 研究成果の概要 |
光触媒の応答波長範囲を拡大したり，光触媒活性を向上させる目的で光触媒の構成元素以外の異種元素を結晶格子内に導入するドーピングがひろく研究されてきたが，異種元素あるいはその酸化物などは，結晶格子中ではなく，結晶粒子表面に担持されていることがほとんどである．本研究では，チタン(IV)イオンとほぼおなじイオン半径をもつロジウム(IV)に着目し，酸化チタンの結晶格子中にチタン(IV)イオンと置換するかたちで導入する「真性ドープ」型光触媒を調製法の最適化を図るとともに，その可視光照射下における光触媒活性を検討した．
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