結晶Siタンデム型太陽電池に向けたSi系ワイドギャップ新材料の探索

• 研究課題/領域番号: 15H02237
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 筑波大学
• 研究代表者: 末益 崇 筑波大学, 数理物質系, 教授 (40282339)
• 研究期間 (年度): 2015-04-01 – 2018-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2017年度)
• 配分額: 24,570千円 (直接経費: 18,900千円、間接経費: 5,670千円); 2017年度: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円); 2016年度: 8,450千円 (直接経費: 6,500千円、間接経費: 1,950千円); 2015年度: 9,620千円 (直接経費: 7,400千円、間接経費: 2,220千円)
• キーワード: 太陽電池 / 化学量論組成 / 空孔欠陥 / 分光感度 / キャリア密度 / シリサイド半導体 / ストイキオメトリー / 組成比 / 点欠陥 / ヘテロ界面 / シリサイド / 結晶成長 / 半導体物性

研究成果の概要

本研究では、Ba(Si,C)2において、禁制帯幅拡大を実現することを目的とした。プロパンをRFプラズマ状にしてC源に用い、a軸配向CドープBaSi2膜を成長した。a軸の格子定数を求めたが、全ての試料で約0.892nmであり、RFパワー依存性は得られなかった。全ての試料において、C濃度は1cc当たり10の21乗程度であった。試料によりC濃度に差が無いのは、アンドープBaSi2膜中に多数の空孔欠陥があるからではないかと考えた。そこで、Ba/Si堆積レート比を1.0から5.1まで変えた試料を成長した。分光感度は堆積レート比に極めて敏感であり、また、キャリア密度は、堆積レート比が2.2で最少となった。

研究成果

• [国際共同研究] Belarusian state university(Belarus)
• [国際共同研究] Delft University of Technology(オランダ)
• [国際共同研究] Uppsala University(スウェーデン)
• [国際共同研究] Delft University of Technology(オランダ)
• [国際共同研究] Shanghai Normal University(China)
• [国際共同研究] Belarusian State University(Belarus)
• [国際共同研究] Uppsala University(Sweden)
• [雑誌論文] Spectroscopic evidence of photogenerated carrier separation by built-in electric field in Sb-doped n-BaSi2/B-doped p-BaSi2 homojunction diodes (2018)
  • 著者名/発表者名: Komomo Kodama, Ryota Takabe, Tianguo Deng, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 57 号: 5 ページ: 050310-050310
  • DOI: 10.7567/jjap.57.050310
  • NAID: 120007134328
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Effect of BaSi2 template growth duration on the generation of defects and performance of p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells (2018)
  • 著者名/発表者名: Suguru Yachi, Ryota Takabe, Tianguo Deng, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 57 号: 4 ページ: 042301-042301
  • DOI: 10.7567/jjap.57.042301
  • NAID: 120007134326
  • 査読あり
• [雑誌論文] Decrease in electrical contact resistance of Sb-doped n+-BaSi2 layers and spectral response of an Sb-doped n+-BaSi2/undoped BaSi2 structure for solar cells (2018)
  • 著者名/発表者名: Komomo Kodama, Ryota Takabe, Suguru Yachi, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 57 号: 3 ページ: 031202-031202
  • DOI: 10.7567/jjap.57.031202
  • NAID: 120007134590
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impact of Ba to Si deposition rate ratios during molecular beam epitaxy on carrier concentration and spectral response of BaSi2 epitaxial films (2018)
  • 著者名/発表者名: Ryota Takabe, Tianguo Deng, Komomo Kodama, Yudai Yamashita, Takuma Sato, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 123 号: 4
  • DOI: 10.1063/1.4994850
  • NAID: 120007134087
  • 査読あり
• [雑誌論文] Reduction in interface defect density in p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells by a modified pretreatment of the Si substrate (2018)
  • 著者名/発表者名: Yudai Yamashita, Suguru Yachi, Ryota Takabe, Takuma Sato, Miftahullatif Emha Bayu, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 57 号: 2 ページ: 025501-025501
  • DOI: 10.7567/jjap.57.025501
  • NAID: 120007134591
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of p-BaSi2 layer thickness on the solar cell performance of p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells (2017)
  • 著者名/発表者名: Suguru Yachi, Ryota Takabe, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 56 号: 5S1 ページ: 05DB03-05DB03
  • DOI: 10.7567/jjap.56.05db03
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Enhanced spectral response of semiconducting BaSi2 films by oxygen incorporation (2017)
  • 著者名/発表者名: Weijie Du, Ryota Takabe, Suguru Yachi, Kaoru Toko, Takashi Suemasu
  • 雑誌名: Thin Solid FIlms 巻: 629 ページ: 17-21
  • DOI: 10.1016/j.tsf.2017.03.046
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Growth of BaSi2 continuous films on Ge(111) by molecular beam epitaxy and fabrication of p-BaSi2/n-Ge heterojunction solar cells (2017)
  • 著者名/発表者名: Ryota Takabe, Suguru Yachi, Daichi Tsukahara, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 56 号: 5S1 ページ: 05DB02-05DB02
  • DOI: 10.7567/jjap.56.05db02
  • NAID: 120007134350
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Minority-carrier lifetime and photoresponse properties of B-doped p-BaSi2, a potential light absorber for solar cells (2017)
  • 著者名/発表者名: M. Emha Bayu, Cham Thi Trinh, Ryota Takabe, Suguru Yachi, Kaoru Toko, Noritaka Usami, and Takashi Suemasu
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 56 号: 5S1 ページ: 05DB01-05DB01
  • DOI: 10.7567/jjap.56.05db01
  • NAID: 120007134351
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Exploring the potential of semiconducting BaSi2 for thin-film solar cell applications (2017)
  • 著者名/発表者名: Takashi Suemasu, Noritaka Usami
  • 雑誌名: Journal of Physics D: Applied Physics 巻: 50 号: 2 ページ: 1-18
  • DOI: 10.1088/1361-6463/50/2/023001
  • NAID: 120007128549
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] First-principles study of twin grain boundaries in epitaxial BaSi2 on Si(111) (2016)
  • 著者名/発表者名: Masakazu Baba, Masanori Kohyama, and Takashi Suemasu
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 120 号: 8
  • DOI: 10.1063/1.4961603
  • NAID: 120007129364
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Effect of amorphous Si capping layer on the hole transport properties of BaSi2 and improved conversion efficiency approaching 10% in p-BaSi2/n-Si solar cells (2016)
  • 著者名/発表者名: Suguru Yachi, Ryota Takabe, Hiroki Takeuchi, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 109 号: 7
  • DOI: 10.1063/1.4961309
  • NAID: 120007129362
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Influence of air exposure duration and a-Si capping layer thickness on the performance of p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells (2016)
  • 著者名/発表者名: Ryota Takabe, Suguru Yachi, Weijie Du, Daichi Tsukahara, Hiroki Takeuchi, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu
  • 雑誌名: AIP ADVANCES 巻: 6 号: 8 ページ: 085107-085107
  • DOI: 10.1063/1.4961063
  • NAID: 120007129374
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Effects of deposition rate on the structure and electron density of evaporated BaSi2 films (2016)
  • 著者名/発表者名: Kosuke O. Hara, Cham Thi Trinh, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Yasuyoshi Kurokawa, Takashi Suemasu, and Noritaka Usami
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 120 号: 4
  • DOI: 10.1063/1.4959214
  • NAID: 120007129434
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Evaluation of band offset at amorphous-Si/BaSi2 interfaces by hard x-ray photoelectron spectroscopy (2016)
  • 著者名/発表者名: Ryota Takabe, Hiroki Takeuchi, Weijie Du, Keita Ito, Kaoru Toko, Shigenori Ueda,5 Akio Kimura, and Takashi Suemasu
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 119 号: 16 ページ: 165304-165304
  • DOI: 10.1063/1.4947501
  • NAID: 120007129572
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells with conversion efficiency reaching 9.0% (2016)
  • 著者名/発表者名: Daichi Tsukahara, Suguru Yachi, Hiroki Takeuchi, Ryota Takabe, Weijie Du, Masakazu Baba, Yunpeng Li, Kaoru Toko, Noritaka Usami, and Takashi Suemasu
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 108 号: 15
  • DOI: 10.1063/1.4945725
  • NAID: 120007129625
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Measurement of valence-band offset at native oxide/BaSi2 interfaces by hard x-ray photoelectron spectroscopy (2016)
  • 著者名/発表者名: R. Takabe, W. Du, K. Ito, H. Takeuchi, K. Toko, S. Ueda, A. Kimura, and T. Suemasu
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 119 号: 2 ページ: 0253061-5
  • DOI: 10.1063/1.4939614
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Formation of BaSi2 heterojunction solar cells using transparent MoOx hole transport layers (2015)
  • 著者名/発表者名: W. Du, R. Takabe, M. Baba, H. Takeuchi, K. O. Hara, K. Toko, N. Usami, and T. Suemasu
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 106 号: 12
  • DOI: 10.1063/1.4916348
  • NAID: 120007130309
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [学会発表] Ba/Siフラックス比を変えて作製したSi(111)基板上undoped n-BaSi2エピタキシャル膜の評価 (2017)
  • 著者名/発表者名: 高部 涼太
  • 学会等名: 第78回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜、神奈川県横浜市
  • 年月日: 2017-03-16
• [学会発表] BaSi2 pn ホモ接合太陽電池作製に向けた表面電極/Sb-doped n-BaSi2間の接触抵抗低減 (2017)
  • 著者名/発表者名: 小玉 小桃
  • 学会等名: 第78回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜、神奈川県横浜市
  • 年月日: 2017-03-16
• [学会発表] 真空蒸着法により作製したa-Si/BaSi2の接触抵抗低減効果 (2017)
  • 著者名/発表者名: 須原 貴道
  • 学会等名: 第78回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜、神奈川県横浜市
  • 年月日: 2017-03-16
• [学会発表] p-BaSi2の厚みとp-BaSi2/n-Siヘテロ接合太陽電池特性の関係 (2017)
  • 著者名/発表者名: 山下 雄大
  • 学会等名: 第78回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜、神奈川県横浜市
  • 年月日: 2017-03-16
• [学会発表] BaSi2テンプレート層がp-BaSi2/n-Siヘテロ太陽電池特性に与える効果 (2017)
  • 著者名/発表者名: 谷内 卓
  • 学会等名: 第78回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜、神奈川県横浜市
  • 年月日: 2017-03-16
• [学会発表] Characterization of p-BaSi2/n-Si solar cells using Boron-doped p-BaSi2 on textured n-Si (001) grown by molecular beam epitaxy (2017)
  • 著者名/発表者名: Deng Tianguo
  • 学会等名: 第78回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜、神奈川県横浜市
  • 年月日: 2017-03-16
• [学会発表] BaSi2エピタキシャル膜における近赤外欠陥発光の評価 (2017)
  • 著者名/発表者名: 村社 尚紀
  • 学会等名: 第78回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜、神奈川県横浜市
  • 年月日: 2017-03-15
• [学会発表] Characterizations of crystalline quality and electrical properties of nitrogen-doped BaSi2 films on Si(111) (2017)
  • 著者名/発表者名: Xu Zhihao
  • 学会等名: 第78回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜、神奈川県横浜市
  • 年月日: 2017-03-15
• [学会発表] Fabrication of low B-doped p-BaSi2/n+-Si heterojunction solar cells (2017)
  • 著者名/発表者名: Miftahullatif Emha Bayu
  • 学会等名: 第78回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜、神奈川県横浜市
  • 年月日: 2017-03-15
• [学会発表] BaSi2膜の組成比制御とホモ接合太陽電池への取り組み (2017)
  • 著者名/発表者名: 末益 崇
  • 学会等名: 日本学術振興会第175委員会
  • 招待講演
• [学会発表] Semiconducting BaSi2- Si-based new absorber-layer material for solar cells (2017)
  • 著者名/発表者名: 末益 崇
  • 学会等名: International Conference on Solid State Materials and Devices
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Effect of Sb-doped n+-BaSi2 surface layer on the carrier transport properties and spectral response (2017)
  • 著者名/発表者名: Komomo Kodama, Ryota Takabe, Kaoru Toko, Takashi Suemasu
  • 学会等名: 27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
  • 国際学会
• [学会発表] Dependence of solar cell characteristics on Si substrate pretreatment (2017)
  • 著者名/発表者名: Yudai Yamashita, Ryota Takabe, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu
  • 学会等名: 27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
  • 国際学会
• [学会発表] Impact of Ba/Si flux ratio during molecular beam epitaxy growth on the characteristics of BaSi2 epitaxial films on Si(111) (2017)
  • 著者名/発表者名: Ryota Takabe, Tianguo Deng, K. Kodama, Y. Yamashita, Koaru Toko, and Takashi Suemasu
  • 学会等名: 27th International Photovoltaic Photovoltaic Science and Engineering Conference
  • 国際学会
• [学会発表] Nitrogen-doped BaSi2 thin film on n-Si (111) by molecular beam epitaxy and radio-frequency plasma generator (2017)
  • 著者名/発表者名: Zhihao Xu, Tianguo Deng, Ryota Takabe Du, Miftahullatif Emha Bayu, Kaoru Toko and Takashi Suemasu
  • 学会等名: 27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
  • 国際学会
• [学会発表] Investigation on boron-doped p-BaSi2/n-Si hetero-junction solar cells on a textured Si(001) substrate (2017)
  • 著者名/発表者名: Tianguo Deng, Kazuhiro Gotoh, Ryota Takabe, Zhihao Xu, Suguru Yachi, Yudai Yamashita, Kaoru Toko, Noritaka Usami, Takashi Suemasu
  • 学会等名: 27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
  • 国際学会
• [学会発表] Recent progress towards BaSi2 solar cells (2016)
  • 著者名/発表者名: T. Suemasu
  • 学会等名: Seventh International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
  • 発表場所: Hawaii, USA
  • 年月日: 2016-11-23
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Possibility of fabricating n-BaSi2/p type multicrystalline Si (p-mc-Si) heterojunction solar cells (2016)
  • 著者名/発表者名: Li Yunpeng
  • 学会等名: 第77回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ、新潟県新潟市
  • 年月日: 2016-09-16
• [学会発表] Minority-carrier lifetime in B-doped BaSi2 epitaxial films (2016)
  • 著者名/発表者名: M. Emha Bayu
  • 学会等名: 第77回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ、新潟県新潟市
  • 年月日: 2016-09-16
• [学会発表] p-BaSi2/n-Siヘテロ接合太陽電池特性のp-BaSi2膜厚依存 (2016)
  • 著者名/発表者名: 谷内 卓
  • 学会等名: 第77回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ、新潟県新潟市
  • 年月日: 2016-09-15
• [学会発表] 大気暴露時間およびa-Siキャップ層の膜厚がp-BaSi2/n-Siヘテロ太陽電池性能に与える効果 (2016)
  • 著者名/発表者名: 髙部 涼太
  • 学会等名: 第77回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ、新潟県新潟市
  • 年月日: 2016-09-15
• [学会発表] Characterization of undoped-BaSi2 and Boron-doped BaSi2 on textured Si (001) substrate grown by molecular beam epitaxy (2016)
  • 著者名/発表者名: Deng Tianguo
  • 学会等名: 第77回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ、新潟県新潟市
  • 年月日: 2016-09-15
• [学会発表] Fabrication of nitrogen-doped BaSi2 films on Si(111) by molecular beam epitaxy (2016)
  • 著者名/発表者名: Zhihao Xu
  • 学会等名: 第77回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ、新潟県新潟市
  • 年月日: 2016-09-15
• [学会発表] p-BaSi2/n-Si solar cells with conversion efficiency approaching 10% by reduction of contact resistance and surface passivation using a-Si capping layers (2016)
  • 著者名/発表者名: S. Yachi
  • 学会等名: APAC Silicide 2016
  • 発表場所: 九州大学西新プラザ、福岡県福岡市
  • 年月日: 2016-07-17
  • 国際学会
• [学会発表] Enhancement of hole concentration in B-doped BaSi2 epitaxial thin films by pulse laser annealing (2016)
  • 著者名/発表者名: E. Emha Bayu
  • 学会等名: APAC Silicide 2016
  • 発表場所: 九州大学西新プラザ、福岡県福岡市
  • 年月日: 2016-07-17
  • 国際学会
• [学会発表] Fabrication of B-doped p-BaSi2 on n-Ge(111) substrates for heterojunction solar cells (2016)
  • 著者名/発表者名: R. Takabe
  • 学会等名: APAC Silicide 2016
  • 発表場所: 九州大学西新プラザ、福岡県福岡市
  • 年月日: 2016-07-17
  • 国際学会
• [学会発表] Proposal of a method to realize BaSi2 thin films with uniform orientation using reactivity of excessive Ba in the film and Si substrate in vacuum evaporation (2016)
  • 著者名/発表者名: Y. Nakagawa
  • 学会等名: APAC Silicide 2016
  • 発表場所: 九州大学西新プラザ、福岡県福岡市
  • 年月日: 2016-07-17
  • 国際学会
• [学会発表] Post-annealing effects on BaSi2 Evaporated films grown on Si substrates (2016)
  • 著者名/発表者名: T. Suhara
  • 学会等名: APAC Silicide 2016
  • 発表場所: 九州大学西新プラザ、福岡県福岡市
  • 年月日: 2016-07-17
  • 国際学会
• [学会発表] Recent progress in BaSi2 thin-film solar cells (2016)
  • 著者名/発表者名: T. Suemasu
  • 学会等名: 23rd Int Workshop on active-matrix flatpanel displays and deices
  • 発表場所: 龍谷大学響都ホール、京都府京都市
  • 年月日: 2016-07-07
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Photoresponse measurement of highly oriented BaSi2 films on Ge(111) using solid phase epitaxy templates (2016)
  • 著者名/発表者名: R. Takabe
  • 学会等名: 43rd International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: 富山国際会議場、富山県富山市
  • 年月日: 2016-06-27
  • 国際学会
• [学会発表] p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells with 9.0% efficiency (2016)
  • 著者名/発表者名: S. Yachi
  • 学会等名: 43rd International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: 富山国際会議場、富山県富山市
  • 年月日: 2016-06-27
• [学会発表] Control of the Electrical Properties of BaSi2 Evaporated Films for Solar Cell Applications (2016)
  • 著者名/発表者名: K. O. Hara
  • 学会等名: 43rd Photovoltaic Specialists Conference
  • 発表場所: Portland, USA
  • 年月日: 2016-06-09
  • 国際学会
• [学会発表] Band alignments at native oxide/BaSi2 and amorphous-Si/BaSi2 interfaces measured by hard x-ray photoelectron spectroscopy (2016)
  • 著者名/発表者名: R. Takabe
  • 学会等名: 43rd Photovoltaic Specialists Conference
  • 発表場所: Portland, USA
  • 年月日: 2016-06-09
  • 国際学会
• [学会発表] Si(111)基板上BaSi2エピタキシャル膜の双晶粒界に対する第一原理計算 (2016)
  • 著者名/発表者名: 馬場 正和
  • 学会等名: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東京工業大学、東京都目黒区
  • 年月日: 2016-03-21
• [学会発表] a-Si層挿入による表面電極/BaSi2間の接触抵抗低減 (2016)
  • 著者名/発表者名: 谷内 卓
  • 学会等名: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東京工業大学、東京都目黒区
  • 年月日: 2016-03-21
• [学会発表] Minority-carrier lifetime of BaSi2 formed on various multicrystalline Si substrates (2016)
  • 著者名/発表者名: LI YUNPENG
  • 学会等名: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東京工業大学、東京都目黒区
  • 年月日: 2016-03-21
• [学会発表] 偏光ラマンスペクトル測定によるBaSi2の分子振動モード解析 (2016)
  • 著者名/発表者名: 山口 陽己
  • 学会等名: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東京工業大学、東京都目黒区
  • 年月日: 2016-03-21
• [学会発表] 硬X 線光電子分光法によるa-Si/BaSi2のバンドアライメント測定 (2016)
  • 著者名/発表者名: 高部 涼太
  • 学会等名: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東京工業大学、東京都目黒区
  • 年月日: 2016-03-21
• [学会発表] シリサイド系半導体材料BaSi2を用いたSiベースヘテロ接合太陽電池の作製 (2016)
  • 著者名/発表者名: 塚原 大地
  • 学会等名: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東京工業大学、東京都目黒区
  • 年月日: 2016-03-21
• [学会発表] Photoresponse property of BaSi2 film grown on Si substrate by vacuum evaporation (2016)
  • 著者名/発表者名: Trinh Cham Thi
  • 学会等名: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東京工業大学、東京都目黒区
  • 年月日: 2016-03-21
• [学会発表] Effects of pulse laser annealing on the crystallinity and electrical properties of B-doped BaSi2 epitaxial thin films (2016)
  • 著者名/発表者名: Miftahullatif Emha Bayu
  • 学会等名: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東京工業大学、東京都目黒区
  • 年月日: 2016-03-21
• [学会発表] 高速成膜によるBaSi2蒸着膜の構造・特性変化 (2016)
  • 著者名/発表者名: 原 康祐
  • 学会等名: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東京工業大学、東京都目黒区
  • 年月日: 2016-03-21
• [学会発表] アンドープBaSi2蒸着膜へのポストアニール効果 (2016)
  • 著者名/発表者名: 須原 貴道
  • 学会等名: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東京工業大学、東京都目黒区
  • 年月日: 2016-03-21
• [学会発表] RFスパッタリング法による多結晶BaSi2薄膜の形成, (2016)
  • 著者名/発表者名: 横山 晟也
  • 学会等名: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東京工業大学、東京都目黒区
  • 年月日: 2016-03-20
• [学会発表] Growth of High Quality BaSi2 Film on Ge Substrate by Vacuum Evaporation Method (2015)
  • 著者名/発表者名: C. T. Trinh
  • 学会等名: 25th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
  • 発表場所: Busan, Korea
  • 年月日: 2015-11-16
  • 国際学会
• [学会発表] Study on surface potential distribution and minotiry-carrier lifetime mapping of BaSi2 formed on multicrystalline Si substrates (2015)
  • 著者名/発表者名: Y. Li
  • 学会等名: 25th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
  • 発表場所: Busan, Korea
  • 年月日: 2015-11-15
  • 国際学会
• [学会発表] BaSi2 エピタキシャル膜の光変調ラマンスペクトル (2015)
  • 著者名/発表者名: 塚本 裕明
  • 学会等名: 第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場、愛知県名古屋市
  • 年月日: 2015-09-15
• [学会発表] BaSi2 エピタキシャル膜における偏光ラマンスペクトル解析 (2015)
  • 著者名/発表者名: 山口 陽己
  • 学会等名: 第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場、愛知県名古屋市
  • 年月日: 2015-09-15
• [学会発表] 真空蒸着法で作製したBaSi2 膜の面方位の形成メカニズムの検討 (2015)
  • 著者名/発表者名: 中川 慶彦
  • 学会等名: 第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場、愛知県名古屋市
  • 年月日: 2015-09-15
• [学会発表] アルカリ金属フッ化物処理によるBaSi2 薄膜の電気特性制御, (2015)
  • 著者名/発表者名: 原 康祐
  • 学会等名: 第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場、愛知県名古屋市
  • 年月日: 2015-09-15
• [学会発表] Ge(111) 基板上BaSi2 エピタキシャル膜の分光感度特性 (2015)
  • 著者名/発表者名: 高部 涼太
  • 学会等名: 第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場、愛知県名古屋市
  • 年月日: 2015-09-15
• [学会発表] 硬X 線光電子分光法による自然酸化膜/BaSi2 のバンドオフセット測定 (2015)
  • 著者名/発表者名: 高部 涼太
  • 学会等名: 第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場、愛知県名古屋市
  • 年月日: 2015-09-15
• [学会発表] DLTS 法によるboron doped p-BaSi2 膜中の欠陥準位評価 (2015)
  • 著者名/発表者名: 武内 大樹
  • 学会等名: 第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場、愛知県名古屋市
  • 年月日: 2015-09-15
• [学会発表] In-situ MoOx キャップを施したBaSi2 エピタキシャル膜の電気/ 光学特性評価 (2015)
  • 著者名/発表者名: 武内 大樹
  • 学会等名: 第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場、愛知県名古屋市
  • 年月日: 2015-09-15
• [学会発表] 第一原理計算によるBaSi2(011)/(011) 双晶粒界・界面構造についての考察 (2015)
  • 著者名/発表者名: 馬場 正和
  • 学会等名: 第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場、愛知県名古屋市
  • 年月日: 2015-09-15
• [学会発表] ヘリコン波プラズマスパッタ法によるBaSi2 薄膜の作製 (2015)
  • 著者名/発表者名: 横山 晟也
  • 学会等名: 第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場、愛知県名古屋市
  • 年月日: 2015-09-15
• [学会発表] MBE 法でエピタキシャル成長したBaSi2 膜粒径の成長膜厚依存性 (2015)
  • 著者名/発表者名: 塚原 大地
  • 学会等名: 第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場、愛知県名古屋市
  • 年月日: 2015-09-15
• [学会発表] Present status towards BaSi2 thin-film solar cells (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Suemasu
  • 学会等名: ASCO-NANOMAT 2015
  • 発表場所: Vladivostok, Russia
  • 年月日: 2015-08-24
  • 招待講演
• [学会発表] Exploration the Potential of Semiconducting BaSi2 for Thin-film Solar Cell Applications (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Suemasu
  • 学会等名: Symposium of B: Earth Abundant Materials for Solar Energy Harvesting, ICMAT
  • 発表場所: Singapore, Singapore
  • 年月日: 2015-07-01
  • 招待講演
• [学会発表] Cross-sectional electric field distributions in BaSi2 homo and BaSi2/Si hetero pn junctions (2015)
  • 著者名/発表者名: M. Baba
  • 学会等名: 42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference
  • 発表場所: New Orleans, USA
  • 年月日: 2015-06-17
  • 国際学会
• [学会発表] Fabrication and Characterization of BaSi2 Films on Ge(111) Substrates by Molecular Beam Epitaxy (2015)
  • 著者名/発表者名: R. Takabe
  • 学会等名: 42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference
  • 発表場所: New Orleans, USA
  • 年月日: 2015-06-17
  • 国際学会
• [学会発表] Exploration of the possibility of semiconducting BaSi2 nanofilms for solar cell applications (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Suemasu
  • 学会等名: Nanomeeting 2015
  • 発表場所: New Orleans, USA
  • 年月日: 2015-05-29
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Recent development towards BaSi2 thin film solar cells (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Suemasu
  • 学会等名: 5th Asia-Africa Sustainable Energy Forum
  • 発表場所: University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki
  • 年月日: 2015-05-13
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Surface potential distribution of BaSi2 thin film on multicrystalline Si by Kelvin probe force microscopy (2015)
  • 著者名/発表者名: Y. Li
  • 学会等名: 5th Asia-Africa Sustainable Energy Forum
  • 発表場所: University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki
  • 年月日: 2015-05-12
  • 国際学会
• [学会発表] Grain boundary analysis of semiconducting BaSi2 for solar cell applications (2015)
  • 著者名/発表者名: M. Baba
  • 学会等名: 5th Asia-Africa Sustainable Energy Forum
  • 発表場所: University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki
  • 年月日: 2015-05-12
  • 国際学会
• [学会発表] Investigation of a BaSi2 pn junction on Si(111) by Kelvin probe force microscopy (2015)
  • 著者名/発表者名: D. Tsukahara
  • 学会等名: 5th Asia-Africa Sustainable Energy Forum
  • 発表場所: University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki
  • 年月日: 2015-05-12
  • 国際学会
• [学会発表] Formation of BaSi2 heterojunction solar cells by transparent MoOx hole contacts (2015)
  • 著者名/発表者名: W. Du
  • 学会等名: 5th Asia-Africa Sustainable Energy Forum
  • 発表場所: University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki
  • 年月日: 2015-05-12
  • 国際学会
• [学会発表] Characterization of oxides/BaSi2 interface states using high-low capacitance method (2015)
  • 著者名/発表者名: H. Takeuchi
  • 学会等名: 5th Asia-Africa Sustainable Energy Forum
  • 発表場所: University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki
  • 年月日: 2015-05-12
  • 国際学会
• [学会発表] Crystal growth of BaSi2 continous films on Ge(111) substrate (2015)
  • 著者名/発表者名: R. Takabe
  • 学会等名: 5th Asia-Africa Sustainable Energy Forum
  • 発表場所: University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki
  • 年月日: 2015-05-12
  • 国際学会
• [備考] 環境半導体・磁性体研究室
  • URL: http://www.bk.tsukuba.ac.jp/~ecology/publications.html
• [備考] 筑波大学 末益・都甲研究室HP
  • URL: http://www.bk.tsukuba.ac.jp/~ecology/project.html