| 研究課題/領域番号 |
15H02249
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
荒井 滋久 東京工業大学, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 教授 (30151137)
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| 研究分担者 |
雨宮 智宏 東京工業大学, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 助教 (80551275)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
中途終了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
17,550千円 (直接経費: 13,500千円、間接経費: 4,050千円)
2015年度: 17,550千円 (直接経費: 13,500千円、間接経費: 4,050千円)
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| キーワード | 光デバイス / 光回路 / 半導体レーザ / 光配線 / 光インターコネクト |
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| 研究実績の概要 |
将来のLSI上にオンチップ光配線を実現する上で必要とされる、高速電気信号を光信号に変換できる超低電力動作半導体レーザを実現することを目的として行う研究であり、これまで申請代表者が提案・実現してきた薄膜（メンブレン）半導体レーザの極低電流動作および10Gbit/sを超える超高速変調の実現を目指した。
この薄膜（メンブレン）半導体レーザだけでなく、信号を伝える低損失光導波路および高速光検出器も合わせて実現することを目的として申請した基盤研究(S)が採択されたため、本申請の基盤研究(A)は５月末で中断することとなった。
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| 現在までの達成度 (段落) |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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