| 研究課題/領域番号 |
15H02292
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
伊藤 満 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (30151541)
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| 研究協力者 |
安井 伸太郎 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 助教 (40616687)
谷山 智康 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 准教授 (10302960)
濱嵜 容丞 防衛大学校, 助教
森分 博紀 日本ファインセラミックスセンター, 主幹研究員 (40450853)
片山 司 東京大学, 理学部化学科, 助教 (50784617)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
44,720千円 (直接経費: 34,400千円、間接経費: 10,320千円)
2017年度: 7,670千円 (直接経費: 5,900千円、間接経費: 1,770千円)
2016年度: 17,680千円 (直接経費: 13,600千円、間接経費: 4,080千円)
2015年度: 19,370千円 (直接経費: 14,900千円、間接経費: 4,470千円)
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| キーワード | 強誘電性 / 強磁性 / フェリ磁性 / 薄膜 / 電圧制御 / マルチフェロイック / マルチフェロイックス / k-アルミナ / 結晶ドメイン / 磁性 / 垂直磁化 / 電圧磁化制御 / PLD / 先端機能デバイス / セラミックス / 電子・電気材料 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、垂直磁化した磁性体あるいはマルチフェロイック薄膜に電場を印加して、磁化反転を行うための、材料とデバイス構造を最適化するための基礎的知見を得ることを目的として、一連の実験を行った。κアルミナ型、YMnO3型マルチフェロイック材料に関してはドメイン構造、磁化特性、および室温での強誘電性に着目して材料探索を目的として薄膜合成をおこない、マルチフェロイック特性を調べた。強磁性体金属ー強誘電体ヘテロ構造も作製して電場による磁化制御を行った。
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