| 研究課題/領域番号 |
15H02307
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
材料加工・組織制御工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
小池 淳一 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 (10261588)
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| 研究分担者 |
安藤 大輔 東北大学, 工学研究科, 助教 (50615820)
須藤 祐司 東北大学, 工学研究科, 准教授 (80375196)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
45,110千円 (直接経費: 34,700千円、間接経費: 10,410千円)
2017年度: 9,100千円 (直接経費: 7,000千円、間接経費: 2,100千円)
2016年度: 8,840千円 (直接経費: 6,800千円、間接経費: 2,040千円)
2015年度: 27,170千円 (直接経費: 20,900千円、間接経費: 6,270千円)
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| キーワード | 半導体 / 配線 / リフロー / 微細化 / 半導体超微細化 / 機能・構造材料 / 多層配線 / 構造・機能材料 |
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| 研究成果の概要 |
LSIデバイスは微細化することによって高性能化を実現してきたが、多層配線が細くなり過ぎて形成できないという課題があった。本研究では、高温で銅合金をスパッタ成膜するダイナミックナノリフロー法によって幅が15nmの超微細配線（M2配線とビア）を形成する条件を見出した。この方法によれば成膜中に合金元素が絶縁層界面に偏析して蒸着物の濡れ性を向上する。また、配線形成の可否を決める因子は、配線形成初期の表面曲率勾配と加熱・冷却中の熱応力勾配であり、それぞれの因子による駆動力を定量的に評価したところ同等の効果であることが明らかになった。得られた知見をもとにリフロー挙動をシミュレーションすることができた。
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