| 研究課題/領域番号 |
15H03554
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
結晶工学
|
|---|
| 研究機関 | 東北大学 |
|---|
研究代表者 |
鷲尾 勝由 東北大学, 工学研究科, 教授 (20417017)
|
|---|
| 研究分担者 |
櫻庭 政夫 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (30271993)
川島 知之 東北大学, 工学研究科, 講師 (40708450)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
|
| 配分額 *注記 |
16,770千円 (直接経費: 12,900千円、間接経費: 3,870千円)
2017年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2016年度: 5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円)
2015年度: 6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円)
|
|---|
| キーワード | ゲルマニウム / カーボン / 量子ドット / 自己組織化 / 結晶成長 / 機能融合 / 電子デバイス / 光素子 |
|---|
| 研究成果の概要 |
機能融合デバイスの創生を目指し、サブ原子層カーボン(C)を媒介とした、Si基板上のGe量子ドットの形成技術を検討した。C-Si反応によるSi表面再構成とCを媒介した固相成長を用い、プロセスパラメータを最適化することによってGe量子ドットを形成できることを確認した。また、2つの手法における成長モードと形成メカニズムを解明した。さらに、Ge量子ドットの積層構造の形成を検討し、歪補償スペーサ層の導入によりドット径と密度を維持できることを確認した。
|
