| 研究課題/領域番号 |
15H03555
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 東京農工大学 |
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研究代表者 |
熊谷 義直 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 卓越教授 (20313306)
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| 研究分担者 |
村上 尚 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (90401455)
富樫 理恵 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (50444112)
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| 研究協力者 |
Sitar Zlatko
木下 亨
Tuomisto Filip
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
17,160千円 (直接経費: 13,200千円、間接経費: 3,960千円)
2017年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2016年度: 5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円)
2015年度: 7,930千円 (直接経費: 6,100千円、間接経費: 1,830千円)
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| キーワード | 窒化アルミニウム / 点欠陥 / n形導電性 / 不純物 / ドーピング / HVPE法 / ショットキーバリアダイオード / Siドーピング / 転位 / エッチピット / 結晶工学 / エピタキシャル成長 / バルク結晶 / 導電性制御 / PVT法 |
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| 研究成果の概要 |
物理気相輸送法で作製した低転位密度の窒化アルミニウム（AlN）単結晶基板上にハイドライド気相成長（HVPE）法でAlN厚膜を高速成長することでn形導電性を有するAlN基板を創出することを検討した。AlN表面に意図せず蓄積する高濃度シリコン（Si）不純物の蓄積メカニズムを解明し、その抑制により意図的なSiドーピングの影響を検討可能とした。四塩化珪素をドーピングガスに用いることで、Si不純物濃度の制御を達成した。SiドープAlNバルク結晶の電気的特性評価からn形導電性の発現を確認した。また、n形AlN基板を用いて作製した世界初の縦型ショットキーバリアダイオードの動作を確認した。
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