| 研究課題/領域番号 |
15H03558
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 名城大学 |
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研究代表者 |
成塚 重弥 名城大学, 理工学部, 教授 (80282680)
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| 研究分担者 |
上山 智 名城大学, 理工学部, 教授 (10340291)
丸山 隆浩 名城大学, 理工学部, 教授 (30282338)
清水 一男 静岡大学, イノベーション社会連携推進機構, 准教授 (90282681)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
17,160千円 (直接経費: 13,200千円、間接経費: 3,960千円)
2019年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2018年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2017年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2016年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2015年度: 8,190千円 (直接経費: 6,300千円、間接経費: 1,890千円)
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| キーワード | 電気・電子材料 / 化学ビームエピタキシー / 転位低減化 / マイクロチャンネルエピタキシー / 窒化ガリウム / グラフェンマスク / マイクロプラズマ / リモートエピタキシー / ヘテロエピタキシャル成長 / 応力低減 / 横方向成長 / Ⅲ－Ⅴ on Si / CBE / グラフェン / グラフェンの直接成長 / グラフェン析出法 / グラフェン減圧CVD / 無転位テンプレート基板 / 減圧マイクロプラズマ処理 / MBE / 高温アルコールCVD |
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| 研究成果の概要 |
本研究課題では、基板として手に入らない材料の無転位テンプレートを提供するために、ヘテロエピタキシャル成長における優れた転位低減化技術であるマイクロチャンネルエピタキシーの改善をおこなった。改善のポイントの一つは、グラフェンマスクの利用であり、もう一つは、マイクロチェンネルを透過する転位の低減のためにリモートエピタキシーを利用することである。その結果、グラフェンマスクの利用に成功し、グラフェンマスクのもつ、成長原料の分解促進効果、結晶情報伝達効果を検出し、従来技術を凌ぐ基盤技術の導出に成功した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究はヘテロエピタキシャル成長の転位低減化において、従来のマイクロチャンネルエピタキシーの限界を打ち破る可能性を提供した。チャンネル部を通過する転位の減少、降温過程における基板と成長層の熱膨張係数差に起因する応力の低減効果を含む。ヘテロエピタキシャル成長の転位が大きく低減されることで、光電子集積回路等の革新的なデバイスの実現が加速され、情報化社会の推進を図る上での大きなブレークスルーとなる。
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